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公开(公告)号：CN116334698A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310116418.8
申请日：2023-02-15
申请人： 九江德福科技股份有限公司 , 甘肃德福新材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种超低轮廓反转处理电解铜箔及其印制线路板的制备方法，电解铜箔的制备方法包括：(1)钛阴极辊抛磨；(2)电解生箔；(3)超微细粗糙化处理；(4)钝化处理。印制线路板的制备方法包括化学结合层的构建和印制线路板热压合。本发明制备的超低轮廓反转处理电解铜箔加工而成的印制线路板表现出优异的信号传输性能，当信号频率为16GHz时，微带线结构的插入损失介于‑0.72～‑0.90dB/in之间，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN113293413A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110670273.7
申请日：2021-06-17
申请人： 九江德福科技股份有限公司
IPC分类号： C25D1/04
摘要： 本发明公开了一种电解铜箔小试实验槽，包括电镀槽组件，电镀槽组件连接有储液槽组件，储液槽组件上设置有温控机构，储液槽组件连接有动力循环机构，动力循环机构与电镀槽组件连接；电镀槽组件包括电镀槽槽体和与电镀槽槽体连接的底座，电镀槽槽体上均匀开设有多个第一限位口，底座上开设有与多个第一限位口一一对应的第二限位口，电镀槽槽体内设置有阳极板和阴极板，阳极板和阴极板与第一限位口和第二限位口卡扣连接，电镀槽槽体的上部设置有溢流管，电镀槽槽体下部的两侧面上分别设置有上液喷淋管和第一排污管。本发明在高端铜箔的研发过程当中，实现各项过程参数稳定、可控、精确且易操作的功能，提高研发精度及效率。
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公开(公告)号：CN115386926A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211010836.0
申请日：2022-08-23
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种电解铜箔表面处理方法，包括：(1)使用脉冲电源对电解生箔的光面进行电化学抛光预处理；(2)通过整平剂辅助的直流电化学沉积形成粗化打底层，得到具有粗化打底层的电解铜箔；(3)通过添加剂辅助的脉冲电化学沉积在粗化打底层表面形成第二粗化层；(4)最后依次通过电化学沉积在电解铜箔的处理面和非处理面电沉积阻挡层和防氧化层，涂覆硅烷偶联剂得到成品箔；其中，在所述第二粗化层表面形成有粗化颗粒。本发明方法在处理面形成的粗化颗粒，显著增大了电解铜箔处理面的比表面积，在增强机械结合作用的同时也提升了化学结合作用。
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公开(公告)号：CN117004997A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310657007.X
申请日：2023-06-05
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途，属于电解铜箔技术领域，以解决铜箔可加工性中尽量杜绝引入非铜金属的问题。该方法包括添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理、零含量铁磁性功能层构建、化学结合层适配与构建。本发明方法生产的超低轮廓电解铜箔具有超低的表面轮廓度、微细粗糙化化组织、特殊形貌粗化组织、不含铁磁性金属含量、稳定的抗剥离性能、出色的信号完整性等典型特征；在加工覆铜板产品时，电解铜箔与树脂基材之间的结合强度也足够。且由于产品不含铁磁性金属含量，作为PCB产品的原料，从根本上消除铁磁性金属对信号传输的不利影响，保证信号的完整性。
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公开(公告)号：CN116288544A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310073032.3
申请日：2023-02-06
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种应用于高频高速PCB的超低轮廓铜箔生产方法，属于电解铜箔技术领域，以实现生产的超低轮廓(HVLP)铜箔既能保证信号传输中的完整性，还能保证加工覆铜板CCL产品时的可靠性。方法包括电解超低轮廓毛箔、电化学抛光预处理、添加剂辅助超微细粗化处理及固化处理、电沉积非金属钝化层构建、化学结合层构建。本发明既能降低作为原材料的铜箔表面的粗糙度，还能满足电解铜箔与树脂基材之间的结合强度，所以能产出高质量的CCL，也能确保PCB产品的可靠性与信号传输的完整性。
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公开(公告)号：CN113176188A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110376618.8
申请日：2021-04-08
申请人： 九江德福科技股份有限公司
IPC分类号： G01N15/08
摘要： 本发明公开了一种电解铜箔比表面积的测定方法，包括对电解铜箔表面进行粗化和固化处理；将经过粗化和固化处理的电解铜箔裁成平整样条；使用超景深显微镜对所述平整样条进行观测，利用3D成像功能，构建3D图形；截取一定面积的所述3D图形，检测所述3D图形的表面积和截面积数据。通过本发明的检测方法检测铜箔比表面积，将比表面积测定量化，可有效反应二次粗糙化铜粒的生长程度，晶粒结晶的致密度，减少了晶体生长缺陷的漏判。此方法检测的电解铜箔表面铜粒分布取得良好评价，并且铜箔剥离强度稳定易控。
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公开(公告)号：CN113092364A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110340626.7
申请日：2021-03-30
申请人： 九江德福科技股份有限公司
IPC分类号： G01N19/04
摘要： 本发明公开了一种中高Tg板材用高温高延铜箔剥离强度的检测方法，包括步骤：将铜箔进行裁剪；剪适合大小的半固化片，采用相间方式，与HTE铜箔毛面逐步重叠，使得半固化片可两面利用；放入层压机中，根据选择合适的温度，并设定固定时间进行层压；使用裁剪机对层压板进行裁剪，宽度为100mm，长度延长到整块层压板；将处理好的层压板固定到剥离强度测试仪的底盘上，并使用美工刀具剥离10‑20mm长度，固定于仪器牵引夹具上；设置牵引速度＞150mm/min，同时设定好转毂的位置，剥离强度测试仪运行过程中，通过张力感应器的变化，来表征其剥离的程度。本发明测量样本面更加宽广，可覆盖整个铜箔横向面积的检测，均匀性更强。
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公开(公告)号：CN217940571U
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202221669615.X
申请日：2022-06-30
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种电解铜箔表面处理机硅烷液喷淋系统，包括硅烷液喷淋单元、铜箔输送单元和硅烷液处理单元，所述硅烷液处理单元包括搅拌桶，所述搅拌桶内设搅拌扇叶，所述搅拌桶底部通过PV管一连接供液泵，所述供液泵输出端通过PV管二连通所述搅拌桶的顶部，所述供液泵输出端还通过上液钢丝软管连接所述硅烷液喷淋单元，所述硅烷液喷淋单元下方设有回液槽，所述回液槽通过回液钢丝软管连通所述搅拌桶的顶部。通过本实用新型的系统可提供稳定浓度的硅烷液进行喷淋，采用喷淋硅烷液的方式可以将硅烷液均匀的喷淋在铜箔毛面，大大提高铜箔毛面硅烷液涂覆的均匀性，避免了辊涂方式中将异物涂覆到铜箔毛面而引起的质量缺陷。
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公开(公告)号：CN217651330U
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202121343098.2
申请日：2021-06-17
申请人： 九江德福科技股份有限公司
IPC分类号： C25D1/04
摘要： 本实用新型公开了一种电解铜箔小试实验槽，包括电镀槽组件，电镀槽组件连接有储液槽组件，储液槽组件上设置有温控机构，储液槽组件连接有动力循环机构，动力循环机构与电镀槽组件连接；电镀槽组件包括电镀槽槽体和与电镀槽槽体连接的底座，电镀槽槽体上均匀开设有多个第一限位口，底座上开设有与多个第一限位口一一对应的第二限位口，电镀槽槽体内设置有阳极板和阴极板，阳极板和阴极板与第一限位口和第二限位口卡扣连接，电镀槽槽体的上部设置有溢流管，电镀槽槽体下部的两侧面上分别设置有上液喷淋管和第一排污管。本实用新型在高端铜箔的研发过程当中，实现各项过程参数稳定、可控、精确且易操作的功能，提高研发精度及效率。
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公开(公告)号：CN216338019U
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202122653358.2
申请日：2021-11-02
申请人： 九江德福科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种电解铜箔表面处理机导电辊浸泡装置,包括导电辊，导电辊下方设有浸泡槽，浸泡槽侧面设有进液口，进液口连接有进液管，浸泡槽侧面上端设有三个溢流口。本实用新型通过浸泡导电辊可让浸泡液更好的均匀涂覆在导电辊上，使导电辊表面各部分降温效果一致，同时导电辊在较低的合适温度下良好工作，从而避免铜箔毛面镀铜现象的发生，保障了铜箔外观颜色的一致性。
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