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公开(公告)号：CN105937052B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105937052A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
CPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105887195A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610439088.6
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
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公开(公告)号：CN106057645A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610438124.7
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02096
摘要： 本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)SPM清洗：用浓度95％～98％浓硫酸和浓度30％～32％过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液；(2) SOM清洗：将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95％～98％浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中；(3)APM清洗：将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28％～30％氨水、30％～32％过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下，能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物，获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面，达到免清洗(Epi‑ready)的要求。
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公开(公告)号：CN205993960U
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201620606454.8
申请日：2016-06-21
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 一种洁净柜，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净柜，其特征在于该洁净柜是一个柜体，该柜体由两块侧板、一块背板和柜门构成，柜体顶部安装高效过滤器，高效过滤器顶部设置静压箱，静压箱顶部开口处设置风机，柜体内侧板上设置紫外线杀菌灯，并设置若干对对称布置的凹槽，置物架通过凹槽水平固定在两侧板之间，柜体底部设置排风孔。本实用新型的一种洁净柜，组装拆卸方便，操作简单实用，结构设计科学合理，利用空气流通原理起到良好的清洁作用，方便有效且节省人力物力。
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公开(公告)号：CN206384870U
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201621297227.8
申请日：2016-11-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
IPC分类号： C02F1/02
CPC分类号： Y02A20/212 , Y02W10/37
摘要： 本实用新型提供了一种节能的废水预热装置，包括：废水罐、平板集热器、辅助热源装置、供料泵、控制器、进料口、太阳能盘管、加热管、第一温度感应器、出料口、第二温度感应器。其中，第一温度感应器位于太阳能盘管与加热管之间的废水罐内壁上，第二温度感应器位于出料口处，第一温度感应器和第二温度感应器与控制器的输入端相连接，控制器的输出端分别与供料泵和辅助热源装置相连接。本实用新型选用将太阳能转化为热能的平板集热器作为主要加热源，降低了能耗，避免了环境污染；当阴天、夜晚时，选用电加热炉或热泵作为辅助加热源，能弥补平板集热器的不足之处；选用第一温度感应器、第二温度感应器和控制器组成的控温系统，能实现废水罐温度的精确控制，达到生产的温度要求。
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公开(公告)号：CN205723474U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620672887.3
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种洁净室用晶片清洗工作台，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净室用晶片清洗工作台，该工作台是一个柜体，该柜体分为上中下三个部分，上部为空气循环系统，中部为工作区域，下部是一个支撑台。本实用新型的一种洁净室用晶片清洗工作台，设计科学，使用方便，把清洗窗口、甩干窗口及验片窗口整合在同一操作台上，实现了在及时排出清洗晶片产生的有害气体的同时，减少了晶片再次受到沾污的机会，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN206384940U
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201621326597.X
申请日：2016-12-06
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
IPC分类号： C02F9/02
CPC分类号： Y02W10/37
摘要： 本实用新型涉及水处理工艺技术领域，公开了一种机械加工锗废水过滤处理系统，其特征在于，包括通过管道依次连接的废水池、高位废水罐、离心机、半清水池、陶瓷膜过滤器、清水池以及生产用冷却循环系统，其中，所述废水池与所述高位废水罐连接的管道上设置有供料泵，所述半清水池与所述陶瓷膜过滤器连接的管道上设置有污水泵，所述清水池与所述生产用冷却循环系统连接的管道上设置有抽水泵。本实用新型实现了在有效回收锗料的同时，将锗废水转化为冷却循环水，变废为宝，并且减少了对环境的污染和降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN205765548U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620689709.1
申请日：2016-07-04
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B37/30
摘要： 一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，涉及晶体加工技术领域，尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成，陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫，无蜡垫内设置圆形凹槽，圆垫放置在无蜡垫的圆形凹槽内，圆形铁盘压在圆垫上，使所有圆垫表面处于同一平面，圆形铁盘表面中央设置有圆柱形铁块。本实用新型的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，设计科学，结构简单，使用方便，能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙，让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面，进而改善了锗单晶片的总厚度变化，圆垫为聚氯乙烯材料，使用时间长，有利于降低成本。
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