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公开(公告)号：CN106910682B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710148341.7
申请日：2017-03-14
申请人： 云南大学
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种采用向改性Si薄膜引入辅助性离子提高光学性能的方法，属于半导体材料发光的技术领域。本发明基于Si离子自注入技术与快速热退火工艺，在SOI衬底上的Si膜中产生发光缺陷或团簇技术，首先采用金属蒸汽真空弧离子源离子注入机进行离子注入，将Si离子和辅助性离子分别注入SOI片（顶层是200nm厚度的(100)晶向的P型单晶Si，中间层是375nm厚的SiO2，底层是厚度为6.75µm的P型单晶Si），接着用快速退火炉对SOI进行快速退火。通过调节辅助性离子的复合注入剂量、能量以及热处理工艺，促使辅助性离子与填隙Si原子成键，从而增强中间带上的激子荧光失活能。采用本发明的技术方案亦有助于团簇发光稳定性的提升，从而提高SOI材料的光学性能。在半导体材料发光方面，对于近室温SOI—LED器件领域有推广应用。
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公开(公告)号：CN106910682A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710148341.7
申请日：2017-03-14
申请人： 云南大学
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种采用向改性Si薄膜引入辅助性离子提高光学性能的方法，属于半导体材料发光的技术领域。本发明基于Si离子自注入技术与快速热退火工艺，在SOI衬底上的Si膜中产生发光缺陷或团簇技术，首先采用金属蒸汽真空弧离子源离子注入机进行离子注入，将Si离子和辅助性离子分别注入SOI片（顶层是200nm厚度的(100)晶向的P型单晶Si，中间层是375nm厚的SiO2，底层是厚度为6.75 µm的P型单晶Si），接着用快速退火炉对SOI进行快速退火。通过调节辅助性离子的复合注入剂量、能量以及热处理工艺，促使辅助性离子与填隙Si原子成键，从而增强中间带上的激子荧光失活能。采用本发明的技术方案亦有助于团簇发光稳定性的提升，从而提高SOI材料的光学性能。在半导体材料发光方面，对于近室温SOI—LED器件领域有推广应用。
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公开(公告)号：CN116948640A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310929041.8
申请日：2023-07-27
申请人： 云南大学
摘要： 本发明公开了一步水热法制备超高荧光量子产率绿光碳量子点的方法及应用。属于纳米材料制备技术及光电子学领域。以罗丹明染料和强碱的水溶液作为前驱体，然后转移入对位聚苯酚为内衬的反应釜，在一定温度下水热反应一定时间，再经过0.22μm滤网过滤，得到超高荧光量子产率绿光碳量子点。本发明所制备的碳量子点荧光辐射中心波长为520nm，粒径分布在3～5nm，具有良好的稳定性和超高的荧光量子产率。本发明所制备的碳量子点可作为激光增益介质，实现低阈值的绿光激光辐射，还可以作为探针分子，实现对溶液pH值和重金属离子的检测。
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公开(公告)号：CN108574199A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810349284.3
申请日：2018-04-18
申请人： 云南大学
CPC分类号： H01S3/213 , H01S3/2358 , H01S3/302 , H01S3/307
摘要： 本发明公开一种荧光共振能量转移光流控激光器及其制备方法和应用，本发明装置以聚二甲基硅氧烷PDMS作为基片将激光器及导光光纤集成在一块芯片上，所述PDMS基片与导光光纤耦合处设置至少一道增益介质沟槽，所述增益介质沟槽内填充包层介质溶液，所述增益介质沟槽一端设置流体入口通道、另一端设置流体出口通道，所述流体入口通道的进口和流体出口通道的出口均设置微型蠕动泵。本发明在不改变抽运光波长的情况下，利用染料分子间的荧光共振能量转移机制，实现任意较长波长的激光辐射，实现可调谐的多波段激光辐射；增益介质沟槽由微型蠕动泵连接，使得沟槽中染料分子不容易被漂白；利用荧光共振能量转移激光的低阈值特性，实现高灵敏度的生物、化学检测。
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公开(公告)号：CN115825028A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211495361.9
申请日：2022-11-27
申请人： 云南大学
摘要： 本发明提供一种可用于多离子同时检测的光纤光流控检测系统和检测方法，连续波（CW）激光器产生激励光1‑5，经过由焦距分别为f1和f2构成的透镜6‑7组成的扩束系统8，所述的经扩束后的光进入带有三个小孔的孔径光阑9后分别进入包含三根光纤10‑12的PDMS基片13的前端面。所述激励光进入光纤端面后进入由包含有染料溶液的毛细管14‑16滤光系统17后以全反射方式沿光纤轴向不断传播，其消逝场与微流通道中荧光探针分子相互作用实现多种微量离子的同时检测。
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公开(公告)号：CN115793160A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211495370.8
申请日：2022-11-27
申请人： 云南大学
摘要： 本发明公开一种多光束激励的碳量子点（CQDs）二维光波导阵列系统及应用，以折射率为n2的聚二甲基硅氧烷（PDMS）作为基片，基片上刻有N（N≥3）个光纤通道，将与光纤通道数目匹配的折射率为n1的N根石英裸光纤分别植入到PDMS基片的光纤通道中，所述的每个光纤通道均包含N个微流通道，在所述微流通道中填入折射率为n3的CQDs作为光纤的液体包层介质，其外封装后形成一个二维的N×N型CQDs面阵LC光波导，所述的n1＞n2且n1＞n3，采用沿光纤轴向光激励方式，同时实现二维N×N型的CQDs面阵荧光辐射。本发明在一块芯片上同时实现多根光纤及多个微流通道集成的N×N型CQDs二维面阵LC光波导，可用于面阵LED或芯片上的光源，在显色、照明及生化传感领域具有重要的应用。
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公开(公告)号：CN116948640B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310929041.8
申请日：2023-07-27
申请人： 云南大学
摘要： 本发明公开了一步水热法制备超高荧光量子产率绿光碳量子点的方法及应用。属于纳米材料制备技术及光电子学领域。以罗丹明染料和强碱的水溶液作为前驱体，然后转移入对位聚苯酚为内衬的反应釜，在一定温度下水热反应一定时间，再经过0.22μm滤网过滤，得到超高荧光量子产率绿光碳量子点。本发明所制备的碳量子点荧光辐射中心波长为520nm，粒径分布在3～5nm，具有良好的稳定性和超高的荧光量子产率。本发明所制备的碳量子点可作为激光增益介质，实现低阈值的绿光激光辐射，还可以作为探针分子，实现对溶液pH值和重金属离子的检测。
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