封装芯片、电子设备及封装芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN117727709A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311776264.1

    申请日:2023-12-21

    摘要: 本申请实施例提供一种封装芯片、电子设备及封装芯片的制造方法,封装芯片包括:基板、胶层和芯片,基板上设置有围坝,围坝合围形成至少一个开口区,基板朝向围坝的一侧设置有凹槽,凹槽位于开口区;胶层位于开口区,胶层设置于基板朝向开口区的一侧且填充至少部分凹槽;芯片位于开口区,芯片设置于胶层背离基板一侧。围坝将芯片的位置固定,胶层位于开口区,胶层设置于基板朝向开口区的一侧,将芯片设置于胶层上,当胶层被加热融化后会向凹槽流动以填充凹槽,在胶层流动的过程中,芯片随着胶层流动而进行移动实现精准对位,从而提升各芯片在开口区中位置的一致性,提高各芯片的位置精度,提升了芯片对位的精确性。

    电池单元、电池组件及电池组件的制备方法

    公开(公告)号:CN117500287A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311434742.0

    申请日:2023-10-31

    IPC分类号: H10K30/50 H10K30/88 H10K71/00

    摘要: 本申请实施例提供的一种电池单元、电池组件及电池组件的制备方法,涉及电池技术领域,所述电池组件包括本申请中所述的电池单元,所述电池单元包括相互串联的第一电池单元和第二电池单元,所述第一电池单元和所述第二电池单元共用同一基板;所述电池组件还包括阻隔件,所述阻隔件位于所述基板一侧,且所述阻隔件位于所述第一电池单元的第一电极和所述第二电池单元的第一电极之间以及位于所述第一电池单元的功能层和所述第二电池单元的堤坝之间。本申请通过在第一电极远离基板的一侧设置堤坝,可以限制功能层的流动,从而可以降低制备电池单元和电池组件的刻蚀次数,进而可以降低电池单元和电池组件的加工工艺的复杂性和工艺成本。

    显示面板及显示装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116156941A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310211120.5

    申请日:2023-03-02

    摘要: 本申请涉及一种显示面板及显示装置,其中,显示面板包括:发光层,具有沿显示面板的厚度方向相对设置的出光侧和背光侧;遮光层,设置于发光层的出光侧,遮光层具有多个第一开口;四分之一波片,设置于发光层的出光侧;反射式偏光层,设置于四分之一波片背离发光层的一侧,使入射该层的光线中具有第一偏振方向的入射光线发生反射,并使具有第二偏振方向的入射光线透射,第二偏振方向与四分之一波片的光轴方向之间的夹角为45°;线偏光层,设置于反射式偏光层背离四分之一波片的一侧,使入射该层的光线中具有第一偏振方向的入射光线被吸收,并使具有第二偏振方向的入射光线透射。本申请实施例提供的显示面板能够提高出光率,降低环境光反射。

    显示面板和显示装置

    公开(公告)号:CN118946199A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411009036.6

    申请日:2024-07-25

    摘要: 本申请涉及一种显示面板和显示装置。一种显示面板包括阵列基板、第一像素层、第二像素层和阻光层。第一像素层包括间隔设置于阵列基板上的多个第一子像素,第二像素层设于第一像素层远离阵列基板的一侧,且包括间隔布设的多个第二子像素。阻光层设于第一像素层远离阵列基板的一侧。其中,阵列基板内设置多个像素电路,每一像素电路包括与对应的第一子像素电连接的第一驱动晶体管、与对应的第二子像素电连接的第二驱动晶体管,第一驱动晶体管用于向对应的第一子像素提供驱动电流,第二驱动晶体管用于向对应的第二子像素提供驱动电流。可达到防窥效果的同时,也可提高显示面板的分辨率。

    钙钛矿电池、用电装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117156874A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311100590.0

    申请日:2023-08-29

    摘要: 本申请公开了一种钙钛矿电池、用电装置;钙钛矿电池包括依次层叠设置的第一电极层、第一载流子传输层、钙钛矿吸收复合层、第二载流子传输层和第二电极层;钙钛矿吸收复合层包括至少两层钙钛矿薄层;相邻两层钙钛矿薄层分别为第一钙钛矿薄层和第二钙钛矿薄层,第一钙钛矿薄层的导带高于第二钙钛矿薄层的导带,第一钙钛矿薄层的价带高于第二钙钛矿薄层的价带,第一钙钛矿薄层的价带低于第二钙钛矿薄层的导带,使得相邻两层钙钛矿薄层之间形成二型能带分布,调控和优化钙钛矿电池的光谱响应范围,提高太阳光能量的利用率。

    激光刻蚀装置
    10.
    发明公开
    激光刻蚀装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117139856A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311176379.7

    申请日:2023-09-12

    摘要: 本申请提供了一种激光刻蚀装置,包括:真空腔室,激光器,以及与激光器电连接的控制组件;真空腔室,用于放置刻蚀对象,并为刻蚀对象提供真空环境;激光器,用于在控制组件的控制下,对真空腔室中的刻蚀对象进行激光刻蚀;其中,激光器位于刻蚀对象的重力方向一侧。将刻蚀对象置于真空环境中,并利用位于刻蚀对象下方的激光器对刻蚀对象进行刻蚀,一方面可以隔绝外界环境的影响,另一方面可以使得刻蚀过程中产生的微粒受重力影响下落,从而避免微粒飞溅并污染刻蚀对象,提升了刻蚀效果,增加了产品良率。