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公开(公告)号：CN108807628B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810415769.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜，所述基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜包括晶体Ag纳米线网格和包裹所述晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜。本发明采用基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜作为LED芯片的电流注入层，可以有效改善电流分布的均匀性，电流密度比ITO提高10％以上；与ITO相比，Ag纳米线网格增强Al掺杂ZnO薄膜的厚度减小，成本也显著降低；基于晶体Ag纳米线网格的Al掺杂ZnO薄膜排列的周期性好，具备一定的光子晶体的功能，有利于提高LED的正面出光效率。
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公开(公告)号：CN108766630B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810531450.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明提供一种基于金属纳米线的柔性传感器、及其制备方法，由从下至上依次排列的第一PDMS薄膜层、金属纳米导电网络、电极、第二PDMS薄膜层组成，该方法包括S1)、制备金属非晶纳米薄膜；S2)、制备金属纳米导电网络；S3)、涂覆第一PDMS薄膜层；S4)、剥离衬底；S5)、镀电极；S6)、制备第二PDMS薄膜层。本发明制备方法简单、运用范围广泛，并且衬底可以多次反复使用，进一步降低了制备成本；另外，金属纳米导电网络为一体化结晶态的，进一步提高了传感器的导电性能和传感器的灵敏性，并且通过将一体化金属纳米网络全部转移到PDMS薄膜上，使得传感器的稳定性、响应性、柔性大大提高，而且还降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN108956710A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810558838.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 五邑大学
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 本发明公开了一种网格状ZnO螺旋式多孔空心纳米线传感器的制备方法，该方法以纺丝液为原料，先在ITO导电玻璃上使用静电纺丝制备前驱体，再将前驱体转移至电阻炉中煅烧获得网格状ZnO螺旋式多孔空心纳米线，然后在网格状ZnO螺旋式多孔空心纳米线四周涂覆Ag或者Au电极或者导电胶，并引出导线，即可获得结构完成的气敏传感器，该方法可控性好，工艺简单，成本低而且获得的传感器灵敏度高。
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公开(公告)号：CN108682739A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810415766.4
申请日：2018-05-03
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种金属量子点增强ZnO阻变存贮器，所述金属量子点增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有金属量子点。本发明的金属量子点增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中穿插沉积有金属量子点，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸，提高了ZnO阻变存贮器的相应速率和器件的稳定性；金属量子点可以起到掩膜的作用，有利于提高ZnO薄膜的晶体质量，赋予阻变存贮器良好的运行稳定性。
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公开(公告)号：CN108611609A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810471588.7
申请日：2018-05-17
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明提供一种金属纳米线网络、及其制备方法，该纳米线包括由下至上排列的衬底和金属纳米线，其制备步骤包括S1)、将清洗干净的衬底放入溅射仪中，然后抽真空，在10-2Pa时，通入氩气，溅射金属靶材，得到厚度为5-30nm的非晶态的金属非晶纳米薄膜；S2)、将制备好的金属非晶纳米薄膜转移到管式退火炉中，先以0.4L/min的流量通入15min的纯度99.999％的氮气，排空管式炉中的氧气，然后将氮气的流量调整为0.1-0.3L/min，按照2-5℃/min的升温速率将管式退火炉中的温度升至300-600℃，保温0.5-20min，非晶态的金属非晶纳米薄膜在高温下缓慢结晶，薄膜缓慢收缩，在氮气的辅助下逐步形成结晶态的金属纳米线网络，本发明制备简单、适用范围广、导电性能好，金属纳米线网络的可控生长，制备成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108022982A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711066452.X
申请日：2017-11-02
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/073 , H02S40/10 , B82Y30/00 , E06B7/28
Abstract: 本发明提供一种基于ZnO基透明太阳能电池的智能窗及其制备方法，包括从下至上依次设置的玻璃衬底层、第一网格状Ag纳米线电极层、n型ZnO薄膜层、P型ZnMgO薄膜层、第二网格状Ag纳米线电极层、Ag纳米粒子薄膜层，本发明通过Ag纳米粒子薄膜层作为掩膜，促进横向过生长，诱导位错湮灭，提高P型ZnMgO薄膜层的质量，同时，Ag纳米粒子层具有局域表面等离子体增强效应，在提高太阳能转换效率的同时，还具有自清洁功能，从而进一步降低了后期的维护成本，另外通过n型ZnO薄膜层与P型ZnMgO薄膜层构成单节太阳能电池吸收储存太阳能，另外，由于Ag粒子对红外线具有优异的反射特性，Ag纳米线和Ag纳米粒子可以将室内的大部分红外线反射回来，起到冬暖的作用。
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公开(公告)号：CN108956712B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810700070.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 五邑大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米柱阵列、ZnO纳米晶及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米柱阵列，所述Si纳米柱阵列表面分布有ZnO纳米晶，所述Si纳米柱阵列的顶部还设置有电极材料；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO纳米晶的分布均匀性，提并利用Si纳米柱阵列的特殊光学特性及ZnO纳米晶的局域表面敏感性提高传感器的灵敏度和整体性能。
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公开(公告)号：CN108962433A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810591499.6
申请日：2018-06-10
Applicant: 五邑大学
CPC classification number: H01B5/14 , H01B13/0026
Abstract: 本发明涉及一种金属有序网格的柔性透明导电薄膜的制备方法，包括静电纺丝溶液的制备、有机物纤维骨架薄膜的制备、磁控溅射金属纳米薄膜的制备、并使用旋涂仪将聚酰亚胺(PI)溶液旋涂在金属纳米薄膜表面，并通过梯度温度固化，最终原位转移后得到金属有序网格的柔性透明导电薄膜。本发明提供的制备方法简单、易操作，金属有序网格的结构特性可以解决金属纳米线导电网络面临的问题；并且该透明导电薄膜能形成完整的导通网络，无需后处理工艺就能实现优异的光电性能，另外，由于有序网格的周期重复性，可保证大面积透明导电薄膜性能的均匀性，局部刻蚀电极应用时不会破坏整个导电网络的联通性，并且还具有良好的耐弯折性能，适用性强。
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公开(公告)号：CN108807665A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810415270.7
申请日：2018-05-03
Applicant: 五邑大学
CPC classification number: H01L45/14 , B82Y30/00 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器，所述Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器包括衬底，所述衬底上依次设置有Pt薄膜、第一ZnO层、第二ZnO层、第三ZnO层和电极，所述第二ZnO层内穿插有Ag纳米线。本发明的Ag纳米线增强ZnO阻变存贮器通过在ZnO层中包裹金属纳米线来增强器件的性能，该ZnO层的厚度小，有效地降低了制备的成本和器件的尺寸；通过在ZnO层中包裹金属纳米线，可以提高ZnO阻变存贮器的相应速率，赋予阻变存贮器良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN108807609A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810415268.X
申请日：2018-05-03
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法，包括以下步骤：1)在图形化衬底上形成一层金属薄膜，快速升温至750‑1200℃，退火1‑10min，即可在图形化衬底上形成金属纳米粒子；2)转移至MOCVD生长室中，生长缓冲层；3)生长u型GaN、n型GaN、InGaN/GaN量子阱、AlGaN电子阻挡层和p型GaN，即可获得金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED。本发明利用金属纳米粒子作为掩膜，提高缓冲层的横向外延过生长，降低位错密度，达到提高磊晶的效果；使用金属纳米粒子，有利于减小缓冲层的厚度；Au或Ag纳米粒子对光具有较好的反射特性，将有源层发出来的光和LED表面反射回来的光发射出去，提高了LED器件的出光效率。
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