一种消除硅芯异常的方法

    公开(公告)号:CN106191994A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610539047.4

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明涉及一种消除硅芯异常的方法,该方法包括对进入炉内的循环氢进行两步预处理,第一步处理为循环氢进入还原炉前用特殊介孔分子筛对循环氢中的三氯氢硅等大分子进行吸收;第二步处理为在还原炉底盘装有涂覆特殊媒介的内件,经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入还原炉内后,循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳;特殊介孔分子筛、特殊媒介和氮化物或氧化物外壳不会对产品质量造成影响,从而能有效地解决硅芯异常问题,提高多晶硅产品质量。

    一种消除硅芯异常的方法

    公开(公告)号:CN106191994B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201610539047.4

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明涉及一种消除硅芯异常的方法,该方法包括对进入炉内的循环氢进行两步预处理,第一步处理为循环氢进入还原炉前用特殊介孔分子筛对循环氢中的三氯氢硅等大分子进行吸收;第二步处理为在还原炉底盘装有涂覆特殊媒介的内件,经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入还原炉内后,循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳;特殊介孔分子筛、特殊媒介和氮化物或氧化物外壳不会对产品质量造成影响,从而能有效地解决硅芯异常问题,提高多晶硅产品质量。

    一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构

    公开(公告)号:CN206108910U

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201620715795.9

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构,卡瓣放置在与电极套连接的石墨底座中心位置,电极安装在还原炉的底盘上;硅芯穿过由卡瓣围成的空腔并通过石墨螺帽旋紧固定在石墨底座上;卡瓣为由碳化硅‑石墨复合材料制成的卡瓣;卡瓣由四瓣碳化硅子卡瓣构成。本实用新型的卡瓣通过添加有适量石墨的碳化硅制成,避免高压击穿困难和同一电流下与硅芯接触位置碳化硅卡瓣严重发热而使硅芯熔断,在出炉过程中由于卡瓣与硅棒的弹性模量或热膨胀系数相差很大而很好地分离,使碳化硅卡瓣与硅料的分离效果更好,并充分利用碳化硅的优异性能,使碳化硅卡瓣具有很长的使用寿命,使卡瓣能重复使用,从而降低成本。

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