公开(公告)号：CN109565279A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780043516.6

申请日：2017-07-13

申请人： 亥伯龙半导体公司

发明人： 阿尔托·奥罗拉

IPC分类号： H03K19/094 ,  H01L27/085 ,  H03K19/003 ,  H03K19/20 ,  H03K19/0952

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/085 ,  H01L27/098 ,  H01L27/1203 ,  H03K19/003 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952 ,  H03K19/20

摘要： 本发明涉及一种半导体逻辑元件，包括：第一导电类型场效应晶体管和第二导电类型场效应晶体管。所述第一FET的栅极是所述半导体逻辑元件的输入，所述第二FET的漏极被称为所述半导体逻辑元件的输出，并且所述第二FET的源极是所述半导体逻辑元件的源极。通过向所述场效应晶体管的端子施加可适用的电位，可以影响所述逻辑元件的输出的状态。本发明还涉及包括描述的逻辑元件的不同种类的逻辑电路。