公开(公告)号：CN105099430A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510519608.X

申请日：2015-08-16

申请人： 重庆电子工程职业学院

发明人： 尹洪剑

IPC分类号： H03K19/017 ,  H03K19/0952

摘要： 本发明公开了一种功率输出电路，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3和第四晶体管Q4；第一晶体管Q1的基极是功率输出电路的输入端，第四晶体管Q4的发射极是功率输出电路的输出端，电节点a通过偏置电阻RP与电源VCC相连接。本发明具有开关速度快，抗干扰能力强，输出信号矩形特性良好的有益效果。

公开(公告)号：CN102694013B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210189604.6

申请日：2008-03-20

申请人： 电力集成公司

发明人： 迈克尔·墨菲

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952

CPC分类号： H03K19/0952 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H03F1/226 ,  H03K17/567 ,  H03K19/09482

摘要： 一种电路包括输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点。该电路还包括III族氮化物耗尽模式FET，其具有源极、漏极和栅极，其中，耗尽模式FET的栅极联接到使耗尽模式FET保持在其导通状态的电势。另外，该电路还包括增强模式FET，其具有源极、漏极和栅极。耗尽模式FET的源极串联联接到增强模式FET的漏极。耗尽模式FET的漏极用作输入漏极节点，增强模式FET的源极用作输入源极节点，并且增强模式FET的栅极用作输入栅极节点。

公开(公告)号：CN109565279A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780043516.6

申请日：2017-07-13

申请人： 亥伯龙半导体公司

发明人： 阿尔托·奥罗拉

IPC分类号： H03K19/094 ,  H01L27/085 ,  H03K19/003 ,  H03K19/20 ,  H03K19/0952

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/085 ,  H01L27/098 ,  H01L27/1203 ,  H03K19/003 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952 ,  H03K19/20

摘要： 本发明涉及一种半导体逻辑元件，包括：第一导电类型场效应晶体管和第二导电类型场效应晶体管。所述第一FET的栅极是所述半导体逻辑元件的输入，所述第二FET的漏极被称为所述半导体逻辑元件的输出，并且所述第二FET的源极是所述半导体逻辑元件的源极。通过向所述场效应晶体管的端子施加可适用的电位，可以影响所述逻辑元件的输出的状态。本发明还涉及包括描述的逻辑元件的不同种类的逻辑电路。

公开(公告)号：CN107431485A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680006035.3

申请日：2016-01-13

申请人： 海伯利安半导体公司

发明人： A·M·欧若拉

IPC分类号： H03K19/094 ,  H01L27/085 ,  H03K19/003 ,  H03K19/20 ,  H03K19/0952

摘要： 本发明涉及一种半导体逻辑元件，其包含具有第一导电性类型的场效应晶体管及具有第二导电性类型的场效应晶体管。该第一FET的栅极为该半导体逻辑元件的输入端，该第二FET的漏极称为该半导体逻辑元件的输出端，且该第二FET的源极为该半导体逻辑元件的源极。通过将适用电位施加至该等场效应晶体管的端子，有可能影响该逻辑元件之该输出端的状态。本发明亦涉及包含所描述逻辑元件的不同种类的逻辑电路。

公开(公告)号：CN102783030B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180011903.4

申请日：2011-02-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 天野圣子 ,  丰高耕平 ,  三宅博之 ,  宫崎彩 ,  宍户英明 ,  楠纮慈

IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952

CPC分类号： G11C19/28 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/184 ,  H01L25/03 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L2924/0002 ,  H03K19/0013 ,  H05K7/02 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。

公开(公告)号：CN112151617A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010951137.0

申请日：2016-01-13

申请人： 海伯利安半导体公司

发明人： A·M·欧若拉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/098 ,  H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952 ,  H03K19/20 ,  H01L27/06

摘要： 本发明涉及一种半导体逻辑元件，其包含具有第一导电性类型的场效应晶体管及具有第二导电性类型的场效应晶体管。该第一FET的栅极为该半导体逻辑元件的输入端，该第二FET的漏极称为该半导体逻辑元件的输出端，且该第二FET的源极为该半导体逻辑元件的源极。通过将适用电位施加至该等场效应晶体管的端子，有可能影响该逻辑元件之该输出端的状态。本发明亦涉及包含所描述逻辑元件的不同种类的逻辑电路。

公开(公告)号：CN107431485B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201680006035.3

申请日：2016-01-13

申请人： 海伯利安半导体公司

发明人： A·M·欧若拉

IPC分类号： H03K19/094 ,  H01L27/085 ,  H03K19/003 ,  H03K19/20 ,  H03K19/0952

摘要： 本发明涉及一种半导体逻辑元件，其包含具有第一导电性类型的场效应晶体管及具有第二导电性类型的场效应晶体管。该第一FET的栅极为该半导体逻辑元件的输入端，该第二FET的漏极称为该半导体逻辑元件的输出端，且该第二FET的源极为该半导体逻辑元件的源极。通过将适用电位施加至该等场效应晶体管的端子，有可能影响该逻辑元件之该输出端的状态。本发明亦涉及包含所描述逻辑元件的不同种类的逻辑电路。

公开(公告)号：CN105099430B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201510519608.X

申请日：2015-08-16

申请人： 重庆电子工程职业学院

发明人： 尹洪剑

IPC分类号： H03K19/017 ,  H03K19/0952

摘要： 本发明公开了一种功率输出电路，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3和第四晶体管Q4；第一晶体管Q1的基极是功率输出电路的输入端，第四晶体管Q4的发射极是功率输出电路的输出端，电节点a通过偏置电阻RP与电源VCC相连接。本发明具有开关速度快，抗干扰能力强，输出信号矩形特性良好的有益效果。

公开(公告)号：CN102783030A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011903.4

申请日：2011-02-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 天野圣子 ,  丰高耕平 ,  三宅博之 ,  宫崎彩 ,  宍户英明 ,  楠纮慈

IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952

CPC分类号： G11C19/28 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/184 ,  H01L25/03 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L2924/0002 ,  H03K19/0013 ,  H05K7/02 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。

公开(公告)号：CN102694013A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210189604.6

申请日：2008-03-20

申请人： 电力集成公司

发明人： 迈克尔·墨菲

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952

CPC分类号： H03K19/0952 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H03F1/226 ,  H03K17/567 ,  H03K19/09482

摘要： 一种电路包括输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点。该电路还包括III族氮化物耗尽模式FET，其具有源极、漏极和栅极，其中，耗尽模式FET的栅极联接到使耗尽模式FET保持在其导通状态的电势。另外，该电路还包括增强模式FET，其具有源极、漏极和栅极。耗尽模式FET的源极串联联接到增强模式FET的漏极。耗尽模式FET的漏极用作输入漏极节点，增强模式FET的源极用作输入源极节点，并且增强模式FET的栅极用作输入栅极节点。