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公开(公告)号：CN117157773A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280000610.4
申请日：2022-03-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 提供了一种发光二极管芯片，包括：基底；设置在基底上的至少两个发光单元，包括相邻的第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元和第二发光单元中的每一个包括：设置在基底上的第一半导体层；设置在第一半导体层远离基底的发光层；和设置在发光层远离基底的第二半导体层，其中，发光二极管芯片还包括导电的桥接部，桥接部用于电连接第一发光单元的第二半导体层与第二发光单元的第一半导体层；第一发光单元包括靠近第二发光单元的第一侧壁，桥接部包括设置在第一发光单元的第一侧壁上的倾斜连接部，倾斜连接部相对于基底的朝向至少两个发光单元的表面倾斜；以及发光二极管芯片还包括第一绝缘层，第一绝缘层包括被夹在第一发光单元的第一侧壁与倾斜连接部之间的倾斜部，倾斜部的至少一部分相对于基底的朝向至少两个发光单元的表面以倾斜角度θ倾斜，倾斜角度θ≤60°。
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公开(公告)号：CN113675305B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202110961540.6
申请日：2021-08-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种发光二极管芯片和显示装置。发光二极管芯片包括：基底；发光结构，位于基底的一侧；第一电极和第二电极，位于发光结构背离基底的一侧，第一电极和第二电极分别与发光结构连接，发光结构配置为在第一电极和第二电极的电压差作用下产生光线；发光二极管芯片的发光中心相对于基底的几何中心存在预设偏移量，发光二极管芯片的发光中心为发光结构的发光区域在基底上的正投影的几何中心。本公开实施例的技术方案，在将LED芯片设置在背板上时，可以使得像素内子像素的发光中心更加集中，使得像素发光面积更集中，减小目视的差异性，提高显示效果；另外，可以减小像素间距，提高显示装置的分辨率。
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公开(公告)号：CN114447173A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210109375.6
申请日：2022-01-28
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/00 , H01L23/544
摘要： 发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
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公开(公告)号：CN115606011B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080002177.9
申请日：2020-09-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
摘要： 一种发光二极管芯片、显示基板及其制作方法。该发光二极管芯片包括：第一导电类型半导体层、发光层、至少两个第二导电类型半导体层以及至少两个第一电极；发光层位于第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第二导电类型半导体层，位于发光层远离第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第一电极分别与至少两个第二导电类型半导体层电性相连。至少两个第二导电类型半导体层在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，至少两个第一电极在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置。该发光二极管芯片可降低单个LED发光结构的尺寸，可实现较高的像素密度，并且在小电流的驱动下效率也较高。
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公开(公告)号：CN114447173B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210109375.6
申请日：2022-01-28
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/00 , H01L23/544
摘要： 发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
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公开(公告)号：CN117296161A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280000906.6
申请日：2022-04-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/08
摘要： 本公开提供一种发光芯片、发光基板、显示装置和发光基板的制作方法。所述发光芯片包括：衬底；发光结构，所述发光结构位于所述衬底的一侧；反射层，所述反射层位于所述发光结构背离所述衬底的一侧；至少两个子发光辅助键合层，所述至少两个子发光辅助键合层位于所述反射层背离所述发光结构的一侧；凸起部，所述凸起部位于所述反射层背离所述发光结构的一侧，且所述凸起部在所述衬底的正投影与所述子发光辅助键合层在所述衬底的正投影互不重叠，且所述凸起部的厚度小于所述子发光辅助键合层的厚度。
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公开(公告)号：CN116391265A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180002744.5
申请日：2021-09-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 提供了一种发光器件、发光基板和显示装置。发光器件包括：衬底(1)；第一半导体层(21)，第一半导体层(21)位于衬底(1)的一侧；发光层(3)，发光层(3)位于第一半导体层(21)背离衬底(1)的一侧；第二半导体层(22)，第二半导体层(22)位于发光层(3)背离第一半导体层(21)的一侧，第一半导体层(21)为N型半导体层、P型半导体层中的一者，第二半导体层(22)为N型半导体层、P型半导体层中的另一者；第二半导体层(22)在衬底(1)的正投影面积小于发光层(3)在衬底(1)的正投影面积，且第二半导体层(22)在衬底(1)的正投影位于发光层(3)在衬底(1)的正投影内。
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公开(公告)号：CN115606011A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202080002177.9
申请日：2020-09-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司(CN) , 京东方晶芯科技有限公司(CN)
摘要： 一种发光二极管芯片、显示基板及其制作方法。该发光二极管芯片包括：第一导电类型半导体层、发光层、至少两个第二导电类型半导体层以及至少两个第一电极；发光层位于第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第二导电类型半导体层，位于发光层远离第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第一电极分别与至少两个第二导电类型半导体层电性相连。至少两个第二导电类型半导体层在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，至少两个第一电极在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置。该发光二极管芯片可降低单个LED发光结构的尺寸，可实现较高的像素密度，并且在小电流的驱动下效率也较高。
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公开(公告)号：CN110456558B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201810431300.3
申请日：2018-05-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 本发明提供一种光学膜材、背光源及显示装置，属于显示技术领域。本发明的光学膜材，包括：透明基材，位于所述透明基材第一面的第一扩散膜；所述光学膜材还包括：位于所述透明基材与所述第一面相对的第二面的光学功能层；所述光学功能层包括：透射区和反射区；其中，在所述反射区具有反射结构。
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公开(公告)号：CN116368629A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180003142.1
申请日：2021-10-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/10
摘要： 一种发光器件及其制备方法、发光基板及其制备方法，发光器件包括衬底、设置在所述衬底上的发光功能层，以及设置在所述衬底上将至少部分所述发光功能层覆盖的反射层，所述反射层包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层沿所述衬底厚度方向叠层设置，所述第一材料层包括原子晶体材料，所述第一材料层位于所述第二材料层远离所述衬底的一侧，所述第一材料层远离所述第二材料层的一侧的表面形成为所述反射层远离所述衬底一侧的表面。
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