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    膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法
    1.
    发明授权
    膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法 失效

    公开(公告)号：CN107275195B

    公开(公告)日：2019-12-31

    申请号：CN201710585224.7

    申请日：2017-07-18

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 汪军 ,  袁广才 ,  王东方 ,  方冲 ,  李广耀

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

    摘要： 一种膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法。该膜层图案化方法，包括：在待图案化的膜层上涂敷光刻胶；对光刻胶进行曝光以及显影，光刻胶经过曝光以及显影后被完全去除的部分对应的区域为第一区域；对光刻胶进行后烘，光刻胶发生高温融塌以使被完全去除的部分对应的区域变化为第二区域，经过后烘的光刻胶形成掩膜图案；以及以掩膜图案为掩模对膜层进行图案化。该膜层图案化方法利用热融性光刻胶在显影和后烘后发生高温融塌的特点，为待图案化的膜层形成曝光机精度以下的小尺寸图案提供可能，并且该方法工艺简单、成本低。

    数据线维修方法和阵列基板
    2.
    发明公开
    数据线维修方法和阵列基板 无效

    公开(公告)号：CN106773427A

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：CN201710142370.2

    申请日：2017-03-10

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 王磊 ,  方冲 ,  许明亮 ,  林丽萍 ,  杨家元 ,  王学柱

    IPC分类号： G02F1/1362

    摘要： 本发明公开了一种数据线维修方法和阵列基板，属于显示技术领域。所述方法包括：确定阵列基板中数据线的断开处的位置；通过阵列基板的公共电极线将第一子数据线和第二子数据线连接，第一子数据线和公共电极线的第一连接点连接，第二子数据线和公共电极线的第二连接点连接；断开子公共电极线与除子公共电极线外的其它公共电极线间的连接，子公共电极线为第一连接点和第二连接点之间的公共电极线。本发明通过遍布阵列基板的公共电极来将断开的数据线连接，并将用于连接数据线的公共电极线与其他公共电极线断开，解决了相关技术中通过CVD形成连接线可能会降低阵列基板的开口率的问题。达到了能够在不影响阵列基板的开口率的情况下修复数据线的效果。

    一种阵列基板、显示装置、维修方法及制作方法
    8.
    发明授权
    一种阵列基板、显示装置、维修方法及制作方法 有权

    公开(公告)号：CN104932128B

    公开(公告)日：2020-11-24

    申请号：CN201510418678.6

    申请日：2015-07-14

    申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

    发明人： 冯耀耀 ,  刘国全 ,  方冲

    IPC分类号： G02F1/13 ,  G02F1/1343

    摘要： 本发明提供一种阵列基板、显示装置、维修方法及制作方法，该阵列基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多条信号线，还包括：多个公共电极，相邻的所述公共电极之间具有镂空区域，所述信号线对应于所述镂空区域设置，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影不重叠；多条维修线，与所述信号线绝缘设置，位于所述镂空区域，所述维修线在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。本发明可以提高信号线的维修效率，降低维修风险。

    膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法
    9.
    发明公开
    膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法 失效

    公开(公告)号：CN107275195A

    公开(公告)日：2017-10-20

    申请号：CN201710585224.7

    申请日：2017-07-18

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

    发明人： 汪军 ,  袁广才 ,  王东方 ,  方冲 ,  李广耀

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

    摘要： 一种膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法。该膜层图案化方法，包括：在待图案化的膜层上涂敷光刻胶；对光刻胶进行曝光以及显影，光刻胶经过曝光以及显影后被完全去除的部分对应的区域为第一区域；对光刻胶进行后烘，光刻胶发生高温融塌以使被完全去除的部分对应的区域变化为第二区域，经过后烘的光刻胶形成掩膜图案；以及以掩膜图案为掩模对膜层进行图案化。该膜层图案化方法利用热融性光刻胶在显影和后烘后发生高温融塌的特点，为待图案化的膜层形成曝光机精度以下的小尺寸图案提供可能，并且该方法工艺简单、成本低。