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公开(公告)号:CN108920031A
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201810826601.6
申请日:2018-07-25
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要: 本发明提供一种反射式触控基板及显示装置,属于显示技术领域。本发明的反射式触控基板,包括:基底,位于所述基底上的多条数据线、多条栅线,其中,多条所述栅线和多条所述数据线交叉设置限定出多个像素区;所述反射式触控基板还包括:多条第一反射条;每条所述第一反射条贯穿一列所述像素区;其中,至少部分所述第一反射条用作触控线。
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公开(公告)号:CN108920031B
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN201810826601.6
申请日:2018-07-25
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要: 本发明提供一种反射式触控基板及显示装置,属于显示技术领域。本发明的反射式触控基板,包括:基底,位于所述基底上的多条数据线、多条栅线,其中,多条所述栅线和多条所述数据线交叉设置限定出多个像素区;所述反射式触控基板还包括:多条第一反射条;每条所述第一反射条贯穿一列所述像素区;其中,至少部分所述第一反射条用作触控线。
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公开(公告)号:CN106898614B
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201710109259.3
申请日:2017-02-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
摘要: 本发明提供了一种柔性阵列基板、显示面板及制作方法,涉及显示领域,用以在弯折柔性显示面板时,使张力分散到该显示面板的波形结构的每一点上,从而分散该显示面板的受力,降低了有源层和源漏极的受到的作用力,减少了有源层和源漏极断裂的概率。所述柔性阵列基板包括:上表面至少部分呈波形的栅极绝缘层,以及位于所述栅极绝缘层上依次设置的呈波形的源漏极与呈波形的有源层;其中,所述栅极绝缘层的波峰和波谷沿弯折边的方向依次交替排列;所述源漏极的波峰与所述栅极绝缘层的波峰相对应,所述源漏极的波谷与所述栅极绝缘层的波谷相对应;所述有源层的波峰与所述栅极绝缘层的波峰相对应,所述有源层的波谷与所述栅极绝缘层的波谷相对应。
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公开(公告)号:CN106898614A
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201710109259.3
申请日:2017-02-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
摘要: 本发明提供了一种柔性阵列基板、显示面板及制作方法,涉及显示领域,用以在弯折柔性显示面板时,使张力分散到该显示面板的波形结构的每一点上,从而分散该显示面板的受力,降低了有源层和源漏极的受到的作用力,减少了有源层和源漏极断裂的概率。所述柔性阵列基板包括:上表面至少部分呈波形的栅极绝缘层,以及位于所述栅极绝缘层上依次设置的呈波形的源漏极与呈波形的有源层;其中,所述栅极绝缘层的波峰和波谷沿弯折边的方向依次交替排列;所述源漏极的波峰与所述栅极绝缘层的波峰相对应,所述源漏极的波谷与所述栅极绝缘层的波谷相对应;所述有源层的波峰与所述栅极绝缘层的波峰相对应,所述有源层的波谷与所述栅极绝缘层的波谷相对应。
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公开(公告)号:CN107068570A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710276986.9
申请日:2017-04-25
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L29/06 , G02F1/1362
摘要: 本发明提供一种薄膜晶体管、显示基板、显示装置及制作方法。薄膜晶体管的制作方法包括:形成具有第一凹槽结构和第二凹槽结构的有源层,第一凹槽结构和第二凹槽结构相互独立;在所第一凹槽结构和第二凹槽结构内分别沉积导电材料,以形成薄膜晶体管的源电极和漏电极。本发明的方案在有源层上形成第一凹槽结构和第二凹槽结构,之后将导电材料沉积在第一凹槽结构和第二凹槽结构内以直接形成源/漏电极。在沉积过程中,第一凹槽结构和第二凹槽结构可看成是容器,避免导电材料蔓延到有源层其他区域上,可防止导电材料的离子影响有源层的导电性能,使得薄膜晶体管在制作完成后具有较低的关态电流,从而能够更为稳定地驱动显示画面。
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公开(公告)号:CN106129188A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610810604.1
申请日:2016-09-08
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0749
CPC分类号: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0749
摘要: 本发明提供一种薄膜太阳能电池的制作方法,包括利用干法成膜工艺进行的以下步骤:在基底上形成背电极层;在所述背电极层上形成吸收层;在所述吸收层上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成窗口层。相应地,本发明还提供一种由上述制作方法制成的薄膜太阳能电池。本发明能够提高薄膜太阳能电池的生产效率,减少膜层缺陷。
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公开(公告)号:CN106057828A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610666482.3
申请日:2016-08-12
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
CPC分类号: H01L27/1222 , H01L27/1237 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78663 , H01L29/78669 , H01L27/1214 , H01L27/1259
摘要: 本发明的实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板,涉及显示技术领域,可解决现有技术中栅绝缘层损伤的问题。该基板的制备方法包括在衬底上形成TFT,所述TFT包括依次形成在所述衬底上的栅极、栅绝缘层、非晶硅有源层、n+非晶硅欧姆接触层以及源极和漏极;在形成所述非晶硅有源层之后,形成所述n+非晶硅欧姆接触层之前,所述方法还包括形成保护绝缘层,所述保护绝缘层包括位于所述非晶硅有源层的沟道区域的第一图案,以及位于非TFT区域的第二图案;其中,所述第二图案在非TFT区域覆盖所述栅绝缘层。用于具有TFT的装置。
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公开(公告)号:CN106024593A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610473195.0
申请日:2016-06-24
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/77
CPC分类号: H01L21/027 , H01L21/77
摘要: 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。制作方法包括形成绝缘层的图形的步骤,该形成绝缘层的图形的步骤包括:涂覆一层绝缘材料以形成绝缘层;在绝缘层上形成中间层,并对中间层进行图案化处理,中间层材料的刻蚀选择比大于绝缘材料;以图案化的中间层为掩膜板,对绝缘层进行干法刻蚀,形成与图案化的中间层相同的绝缘层的图形。本发明使得刻蚀过程中,作为掩膜板的中间层的消耗程度小于绝缘层的消耗程度,从而保证中间层能够支持到绝缘层完成刻蚀,即绝缘层可通过一次刻蚀就能完成图形制作,从而提高了生产效率。此外,高刻蚀选择比的掩膜板可以被制作的更薄,因此在掩膜精度上也得到改善。
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公开(公告)号:CN107195637B
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN201710358185.7
申请日:2017-05-19
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L27/12
摘要: 本发明公开了一种显示面板的制造方法和显示面板,属于显示技术领域。所述方法包括:在形成有第一膜层结构的衬底基板上形成绝缘层;在所述绝缘层上形成过孔;在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成接触电极和第二膜层结构,所述接触电极位于所述过孔内,使得所述第一膜层结构、所述第二膜层结构及所述接触电极三者之间均构成电连接。本发明通过在过孔处形成接触电极,以接触电极来连接两个膜层结构,解决了相关中两个膜层结构可能在过孔处断开的问题。达到了位于绝缘层两侧的两个膜层结构能够稳定的形成电连接的效果。
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公开(公告)号:CN106024720B
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201610391190.3
申请日:2016-06-03
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L23/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L21/84
摘要: 本申请提供了一种硅基薄膜晶体管及制备方法,以及一种薄膜晶体管有源矩阵装置及制备方法,用以减小悬空式薄膜晶体管的膜层表面残余的应力,使得薄膜晶体管的膜层表面平整,从而提高该薄膜晶体管的性能,本申请提供的一种硅基薄膜晶体管包括:硅基底、薄膜微桥和至少一个薄膜晶体管;其中,所述硅基底具有至少一个微腔,每一所述微腔使得位于该微腔上的所述薄膜微桥悬空;所述薄膜微桥设置在所述硅基底上方,且悬空于每一所述微腔上的薄膜微桥包括:平面结构的中心区域和位于该中心区域周围的波纹状结构的周边区域;每一所述薄膜晶体管设置在每一所述薄膜微桥的中心区域上方。
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