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公开(公告)号：CN110326107B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201980000717.7
申请日：2019-05-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H10K59/122 , G06V40/13 , H10K59/60 , H10K59/126
摘要： 本公开提供了一种OLED显示基板、面板、装置、制作方法、指纹识别模组，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板，包括：位于相邻像素区域之间的微孔遮光图形，所述微孔遮光图形包括多个成像小孔，所述微孔遮光图形与所述OLED显示基板的不透光电极同层设置且彼此绝缘。本公开的技术方案，能够降低指纹识别产品的厚度。
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公开(公告)号：CN111696459B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010455850.6
申请日：2020-05-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/00 , G09G3/3266
摘要： 本发明提供一种检测模组、裂纹检测方法、显示面板和显示装置。检测模组包括检测电路和裂纹检测线；检测电路和裂纹检测线设置于周边区域；检测电路的控制端与裂纹检测线的第一端耦接，检测电路的第一端与第一电压信号线耦接，检测电路的第二端与多级移位寄存器单元中的一级移位寄存器单元的扫描信号输出端耦接；检测电路用于在其控制端的电位的控制下，控制导通或断开裂纹检测线与扫描信号输出端之间的连通；裂纹检测线的第二端与第一电压信号线耦接。本发明能够指示显示面板的周边区域是否存在裂纹。
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公开(公告)号：CN110047896B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201910338849.2
申请日：2019-04-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该显示基板包括：衬底基板；在该衬底基板上异层设置的导电图形和导电遮光层；以及，在导电图形与导电遮光层之间设置的绝缘膜层。该导电图形包括信号走线，导电遮光层的横截面的面积大于信号走线的横截面的面积，使得该导电遮光层的电阻小于信号走线的电阻。该绝缘膜层具有第一连接孔和第二连接孔，信号走线可以通过第一连接孔和第二连接孔与导电遮光层之间形成导电回路，通过该导电回路可以对信号走线中与驱动IC之间距离较远的位置处传输的电信号的电压进行补偿，有效的提高了显示基板的亮度的均一性。
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公开(公告)号：CN111223408B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010086930.9
申请日：2020-02-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本申请实施例提供了一种显示面板、边缘破损检测方法、制备方法、及显示装置，涉及显示面板技术领域。显示面板包括：显示区域、位于显示区域内的开孔、位于开孔周边的开关器件、环绕开孔设置的栅极信号线、以及发光信号线；开关器件的第一端与发光信号线电连接；开关器件的第二端与栅极信号线的信号输入端电连接；开关器件的控制端与栅极信号线的信号输出端电连接。边缘破损检测方法包括如下步骤：若开孔的边缘没有破损，则开关器件关闭，栅极信号线不输出第一电平信号；若开孔的边缘破损，则开关器件导通，栅极信号线输出第一电平信号至发光信号线上。本申请实施例能够有效地判断AA Hole的开孔的边缘是否破损。
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公开(公告)号：CN110190106B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910510151.4
申请日：2019-06-13
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/32
摘要： 本申请公开了一种显示面板及其制备方法、检测方法、显示装置，用以提高对晶体管电学特性检测的准确度。本申请实施例提供的一种显示面板，所述显示面板具有显示区和包围所述显示区的非显示区；所述显示区包括显示像素电路；所述非显示区包括至少一个测试像素电路，所述测试像素电路与所述显示像素电路的电路结构相同，所述测试像素电路包括多个晶体管，至少一个所述晶体管的电极分别与不同的测试垫电连接。
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公开(公告)号：CN110783220A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911076617.0
申请日：2019-11-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示面板线路检测结构及其制作方法，通过在待检测的薄膜晶体管的预设标识处形成漏斗形凹槽，并且在漏斗形凹槽的斜面上进行金属有机气体的解离，从而避免了高电压下的离子束对薄膜晶体管的膜层产生损伤，除此之外，由于漏斗形凹槽的上半部分的宽深比较大，下半部分结构的宽深比较小，在漏斗形凹槽的斜面上进行金属有机气体的解离，金属有机气体离解后挥发性物质可以容易地从上半部分结构排出，解离后的金属则沿着漏斗形凹槽的斜面滑入下半部分的凹槽中，从而形成检测电极，避免了对薄膜晶体管膜层产生损伤的同时，也减小了检测电极的电阻，有利于提高检测结果的准确性。
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公开(公告)号：CN110010701B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910480914.5
申请日：2019-06-04
申请人： 成都京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管和制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置，以改善现有技术的显示面板，在分辨率不断提升时，有源层与源漏极层走线之间接触电阻进一步增大，并最终出现严重的RC延迟、功率消耗较大的问题。所述薄膜晶体管，包括：依次层叠设置于衬底基板之上的有源层、绝缘层和源漏极层，其中，所述源漏极层通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述有源层导通；所述源漏极层与所述有源层之间在所述通孔位置处具有过渡层，所述过渡层覆盖所述通孔的底部，以及覆盖所述通孔的至少部分侧壁，所述过渡层为一体结构，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素。
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公开(公告)号：CN110010701A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910480914.5
申请日：2019-06-04
申请人： 成都京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管和制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置，以改善现有技术的显示面板，在分辨率不断提升时，有源层与源漏极层走线之间接触电阻进一步增大，并最终出现严重的RC延迟、功率消耗较大的问题。所述薄膜晶体管，包括：依次层叠设置于衬底基板之上的有源层、绝缘层和源漏极层，其中，所述源漏极层通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述有源层导通；所述源漏极层与所述有源层之间在所述通孔位置处具有过渡层，所述过渡层覆盖所述通孔的底部，以及覆盖所述通孔的至少部分侧壁，所述过渡层为一体结构，所述过渡层包括所述有源层的元素以及第一膜层的元素。
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公开(公告)号：CN108465945A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810264111.1
申请日：2018-03-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种激光切割系统及切割方法，所述激光切割系统设置激光切割系统的所有激光源的位置相对固定，不同激光源发出的激光在待切割基板所在平面的投射光斑完全不重合，且所有激光源发出的激光在待切割基板所在平面的投射光斑的几何中心的连线与切割线平行，即所有激光源发出的激光的投射光斑沿所述切割线彼此间隔一定距离排布，从而使得所有激光源能够沿同一条切割线同时对待切割基板进行切割，不同激光源切割的切割线完全重合，克服不同激光源通过不同的驱动机构对位至所述切割线进行切割导致的偏移量，提高了切割质量，提升了产品的品质。还可以节省切割时间，简化工艺流程，并减少切割产生的烟尘，颗粒及减小热影响区。
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公开(公告)号：CN107587106A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201711062791.0
申请日：2017-11-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法，所述掩模板包括掩模板主体，所述掩模板主体上设有遮挡部和多个开口部；所述掩模板主体包括相背的两个面，其中在所述相背的两个面中至少一个面上的预定区域处设有磁性层。本发明能够改善蒸镀时由于掩模板不平坦而导致的混色、均一性差等不良，提升产品良率。
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