-
公开(公告)号:CN105511220A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201610080491.4
申请日:2016-02-04
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G03F1/24
摘要: 本发明提供一种掩膜版,属于曝光技术领域,其可解决现有的掩膜版会因衍射影响而分辨率受限的问题。本发明的掩膜版包括:图形结构,其包括遮光区和透光区;设于图形结构出光侧的全反射结构,在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层,所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率。
-
公开(公告)号:CN105511220B
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201610080491.4
申请日:2016-02-04
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G03F1/24
摘要: 本发明提供一种掩膜版,属于曝光技术领域,其可解决现有的掩膜版会因衍射影响而分辨率受限的问题。本发明的掩膜版包括:图形结构,其包括遮光区和透光区;设于图形结构出光侧的全反射结构,在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层,所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率。
-
公开(公告)号:CN107994058A
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201711202350.6
申请日:2017-11-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示面板及其封装方法,属于显示技术领域。该显示基板包括:衬底基板,设置在该衬底基板上的绝缘层和多条导线;该绝缘层位于该衬底基板的封装区域的部分设置有至少一个凹槽,该至少一个凹槽与该多条导种的至少一条导线一一对应;该至少一条导线中,每条导线位于该封装区域的部分设置在对应的一个凹槽内。本发明提供的显示基板可以通过凹槽将相邻的导线隔离开,该位于凹槽内的导线即使在封装的过程中被高温烧熔,也不会与其他相邻的导线短路,有效降低了显示不良的概率。
-
公开(公告)号:CN107195689B
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN201710602821.6
申请日:2017-07-21
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、OLED显示面板,用以采用形成薄膜晶体管中栅极的图形的掩膜版形成LDD区域,从而节省了制作成本。所述薄膜晶体管的制作方法,包括:在衬底基板上依次形成多晶硅膜层和栅极绝缘层;采用构图工艺在具有所述栅极绝缘层的衬底基板之上形成栅极的图形;对具有所述栅极的图形的衬底基板进行第一次掺杂;采用形成所述栅极的图形的掩膜版在经过所述第一次掺杂之后的衬底基板上形成第一光刻胶的图形,所述第一光刻胶的图形覆盖所述栅极的图形以及用于形成轻掺杂漏区的区域;对具有所述第一光刻胶的图形的衬底基板进行第二次掺杂,形成有源层的图形。
-
公开(公告)号:CN107195689A
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201710602821.6
申请日:2017-07-21
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、OLED显示面板,用以采用形成薄膜晶体管中栅极的图形的掩膜版形成LDD区域,从而节省了制作成本。所述薄膜晶体管的制作方法,包括:在衬底基板上依次形成多晶硅膜层和栅极绝缘层;采用构图工艺在具有所述栅极绝缘层的衬底基板之上形成栅极的图形;对具有所述栅极的图形的衬底基板进行第一次掺杂;采用形成所述栅极的图形的掩膜版在经过所述第一次掺杂之后的衬底基板上形成第一光刻胶的图形,所述第一光刻胶的图形覆盖所述栅极的图形以及用于形成轻掺杂漏区的区域;对具有所述第一光刻胶的图形的衬底基板进行第二次掺杂,形成有源层的图形。
-
公开(公告)号:CN104078621B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201410280920.3
申请日:2014-06-20
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要: 本发明公开了一种多晶硅薄膜及薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置,该低温多晶硅薄膜晶体管包括基板、在基板上形成的缓冲层,以及通过构图工艺在缓冲层上形成的有源层,此外,在所述的有源层上还形成有绝热保温层。本发明通过在多晶硅薄膜结构中设计绝热保温层,该绝热保温层与缓冲层分别在有源层的上表面和下表面来抑制熔融硅中温度的扩散,起到双层保温的作用,从而明显延长多晶硅晶化的时间。同时,绝热保温层的图案设计可以使有源层在图案边缘部分先结晶形成多晶硅籽晶,引导熔融硅生长,有助于大尺寸晶粒的生长,有效的提高了TFT的迁移率。
-
公开(公告)号:CN104362177A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410532290.4
申请日:2014-10-10
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/7831 , H01L29/0847 , H01L29/66484
摘要: 本发明提供一种NMOS器件及其制作方法,包括:第一栅极结构和第二栅极结构;位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区,位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区,所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区;位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区;位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区,位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。本发明能够使得源漏串联电阻降低40%左右,线性区和饱和区的跨导分别增加50%和20%左右,获得较小的漏电流和较低功耗。
-
公开(公告)号:CN107994058B
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201711202350.6
申请日:2017-11-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示面板及其封装方法,属于显示技术领域。该显示基板包括:衬底基板,设置在该衬底基板上的绝缘层和多条导线;该绝缘层位于该衬底基板的封装区域的部分设置有至少一个凹槽,该至少一个凹槽与该多条导种的至少一条导线一一对应;该至少一条导线中,每条导线位于该封装区域的部分设置在对应的一个凹槽内。本发明提供的显示基板可以通过凹槽将相邻的导线隔离开,该位于凹槽内的导线即使在封装的过程中被高温烧熔,也不会与其他相邻的导线短路,有效降低了显示不良的概率。
-
公开(公告)号:CN104362177B
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201410532290.4
申请日:2014-10-10
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要: 本发明提供一种NMOS器件及其制作方法,包括:第一栅极结构和第二栅极结构;位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区,位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区,所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区;位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区;位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区,位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。本发明能够使得源漏串联电阻降低40%左右,线性区和饱和区的跨导分别增加50%和20%左右,获得较小的漏电流和较低功耗。
-
公开(公告)号:CN104795428A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201510170140.8
申请日:2015-04-10
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要: 本发明涉及一种阵列基板及其制作方法以及显示装置,该阵列基板包括多个像素,每个像素包括发光区域和不发光区域,在所述不发光区域中设置有并联的第一电容、第二电容和第三电容,其中,所述第一电容、第二电容和第三电容用于存储所述像素的数据线写入的信号。根据本发明的技术方案,通过在像素的不发光区域设置三个并联的电容,可以提高对应像素的存储电容Cst,以便将数据线写入的信号完全存储下来,保证在TFT关断后,仍能显示正确的灰阶,保证了面板的显示效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-