公开(公告)号：CN105607412A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610005579.X

申请日：2016-01-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 马群 ,  皇甫鲁江 ,  闵天圭 ,  嵇凤丽

IPC分类号： G03F1/64

CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/0011 ,  H01L2227/326 ,  G03F1/64

摘要： 本发明涉及一种掩膜版安装框架和利用掩膜版安装框架固定掩膜版的方法。该掩膜版安装框架包括框架本体和设置在框架本体的第一侧边上的拉伸单元，拉伸单元包括用于连接掩膜版的滑块及使滑块沿垂直于第一侧边的方向滑动的导向机构。本发明在第一侧边上设置有拉伸单元，拉伸单元有用于连接掩膜版的滑块和限制滑块滑动方向的导向机构。在将掩膜版安装到本发明提供的掩膜版安装框架上时，仅需将掩膜版的一端部固定在第一侧边的拉伸单元中的滑块上，滑动滑块，使掩膜版绷紧，安装过程简单。而在使用过程中掩膜版发生松弛时，也只需滑动滑块使掩膜版再次绷紧即可，操作也比较简单，同时由于不需要更换新的掩膜版能够降低OLED面板的制作成本。

公开(公告)号：CN104362177A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410532290.4

申请日：2014-10-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 王志强 ,  康峰 ,  张琨鹏 ,  闵天圭

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66484

摘要： 本发明提供一种NMOS器件及其制作方法，包括：第一栅极结构和第二栅极结构；位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间且靠近所述第一栅极结构处的第一轻掺杂区，位于靠近所述第二栅极结构处且在所述第二栅极结构远离所述第一栅极结构的一侧的第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区为N型轻掺杂区；位于所述第一轻掺杂区和所述第二栅极结构之间的N型重掺杂区；位于所述第一栅极结构远离所述第二栅极结构的一侧的源区，位于所述第二轻掺杂区远离所述第二栅极结构的一侧的漏区。本发明能够使得源漏串联电阻降低40％左右，线性区和饱和区的跨导分别增加50％和20％左右，获得较小的漏电流和较低功耗。

公开(公告)号：CN105511220A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610080491.4

申请日：2016-02-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 张朝波 ,  刘亮亮 ,  田宏伟 ,  白妮妮 ,  韩帅 ,  康峰 ,  唐亮 ,  绰洛鹏 ,  闵天圭

IPC分类号： G03F1/24

摘要： 本发明提供一种掩膜版，属于曝光技术领域，其可解决现有的掩膜版会因衍射影响而分辨率受限的问题。本发明的掩膜版包括：图形结构，其包括遮光区和透光区；设于图形结构出光侧的全反射结构，在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层，所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率。

公开(公告)号：CN104091895A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410307522.6

申请日：2014-06-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 马群 ,  元裕太 ,  闵天圭

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/5064 ,  H01L27/3244

摘要： 本发明提供了一种有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置，通过使子像素所在位置处的空穴传输层由N层子空穴传输层构成，其中，第N个子像素所在位置处的空穴传输层包括N层子空穴传输层，第N个子像素所在位置处所包括的子空穴传输层覆盖所在位置处的空穴传输层厚度比所述第N个子像素所在位置处的空穴传输层厚度高的子像素在空穴传输层中的所在位置区域，以形成共用子空穴传输层；所述N层子空穴传输层中，除位于最高层的子空穴传输层采用精细金属掩膜蒸镀工艺制作以外，其他子空穴传输层采用共用掩膜蒸镀工艺制作。从而可提高有机发光二极管基板的制作效率，降低有机发光二极管的制作成本。

公开(公告)号：CN104218069B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410425967.4

申请日：2014-08-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 马群 ,  闵天圭 ,  吴海东

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/56 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/5275 ,  H01L2251/568

摘要： 本发明提供了一种OLED显示装置的修复方法，包括：确定杂质粒子在叠层结构中的位置；去除杂质粒子及杂质粒子上方的位于待形成凹槽区域内的膜层，在叠层结构中形成凹槽，凹槽的开口朝向外界环境；在凹槽内形成修复结构，修复结构的折射率小于叠层结构的折射率。利用上述方法对显示装置修复后，发光层(光密介质)所产生的光线中的一部分会进入修复结构(光疏介质)，光线方向改变为朝向修复结构平行于显示平面的表面，从而从修复结构中出射的光线能够被人眼接收，消除了杂质粒子引起的黑缺，提高了产品良率，避免了成本浪费。

公开(公告)号：CN104157550B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410364244.8

申请日：2014-07-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 刘宇 ,  闵天圭 ,  张琨鹏 ,  徐敬义 ,  任艳伟

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04

摘要： 本发明实施例公开了一种薄膜图形化方法及掩膜板，涉及微电子技术领域，能够直接在基板上沉积形成具有孔洞的薄膜。本发明的方法包括：在基板上方放置第一掩膜板，在所述第一掩膜板的遮挡下进行第一次薄膜沉积；然后去掉第一掩膜板，在基板上方放置第二掩膜板，在所述第二掩膜板的遮挡下进行第二次薄膜沉积；其中，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板上均设置有与薄膜上的所述孔洞区域相对应的第一遮挡部；所述第一掩膜板的非遮挡区域与所述第二掩膜板的非遮挡区域互补后形成的图形，与所述孔洞之外的薄膜分布区域相对应。

公开(公告)号：CN105226202A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510742598.6

申请日：2015-11-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 敖宁 ,  绰洛鹏 ,  闵天圭 ,  许瑾

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： H01L27/32 ,  G09G3/3208 ,  H01L33/641 ,  H01L51/5246 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/42 ,  H01L51/524

摘要： 本发明公开了一种封装基板及其制作方法、OLED显示装置及其制作方法，涉及显示技术领域，能够避免涂布在封装基板上的玻璃胶的外侧边缘产生毛刺。该封装基板包括衬底基板，所述衬底基板包括用于涂布玻璃胶的粘合区域，所述封装基板还包括位于所述衬底基板上的第一挡墙，所述第一挡墙沿所述粘合区域的外侧边缘设置，所述第一挡墙用于阻挡涂布在所述粘合区域上的所述玻璃胶向外流动。本发明用于阻隔外界的水汽和氧气进入OLED显示装置内。

公开(公告)号：CN104831237A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510272142.8

申请日：2015-05-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 王建强 ,  马群 ,  修海志 ,  吕玉武 ,  闵天圭

IPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/243 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542

摘要： 本发明公开了一种蒸镀装置和蒸镀系统。该蒸镀装置包括：第一加热部；导热部，导热部包括柱状的第一导热部以及环绕第一导热部并与第一导热部间隔一定距离的第二导热部，第一导热部与第二导热部之间的空间用于放置蒸镀材料，导热部用于将第一加热部散发的热量传导至蒸镀材料并使蒸镀材料升华；喷射部，喷射部用于将通过导热部加热升华的蒸镀材料喷出。该蒸镀系统包括：根据本发明的蒸镀装置、监控装置、PLC控制装置及温度控制装置，其中，监控装置用于监控蒸镀材料的喷射速率；PLC控制装置与监控装置进行通信，用于接收监控装置获取的喷射速率，并对喷射速率大小进行判断，根据判断结果向温度控制装置发出指令调节第一加热部的加热温度。

公开(公告)号：CN104037063A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410263852.X

申请日：2014-06-13

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 刘宇 ,  闵天圭 ,  张琨鹏 ,  王凤国 ,  白妮妮

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  G03F7/00

CPC分类号： H01L51/0011 ,  H01L27/1288 ,  H01L21/02636 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042

摘要： 本发明公开了一种薄膜图形化方法和薄膜图形化装置，包括：将掩膜板放置在基板上方，所述掩膜板具有与预设图形相同的镂空部分；在掩膜板上覆盖薄膜，掩膜板镂空部分的薄膜形成在基板上，其余被掩膜板覆盖的区域无薄膜，从而在基板上形成图形化的薄膜。本发明中薄膜图形化方法，可以通过一次沉积就直接将掩膜板上的图形转移到基板上，省去了光刻和刻蚀的工艺步骤，大大简化工艺流程，节约薄膜图形化的成本。

公开(公告)号：CN105511220B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201610080491.4

申请日：2016-02-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

发明人： 张朝波 ,  刘亮亮 ,  田宏伟 ,  白妮妮 ,  韩帅 ,  康峰 ,  唐亮 ,  绰洛鹏 ,  闵天圭

IPC分类号： G03F1/24

摘要： 本发明提供一种掩膜版，属于曝光技术领域，其可解决现有的掩膜版会因衍射影响而分辨率受限的问题。本发明的掩膜版包括：图形结构，其包括遮光区和透光区；设于图形结构出光侧的全反射结构，在远离图形结构的方向上所述全反射结构包括依次设置且接触的高折射层、第一低折射层，所述高折射层的折射率大于第一低折射层的折射率。