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公开(公告)号：CN114078363B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202010827799.7
申请日：2020-08-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，阵列基板包括多个功能区域，多个功能区域之间间隔设置；每个功能区域包括遮挡层，相邻两个功能区域中的遮挡层相互连接，且多个所述遮挡层中的一个与接地区域连接。本申请技术方案将多个功能区域中相邻的两个功能区域的遮挡层进行连接，从而使得多个功能区域变成连接的金属网，且多个遮挡层中的一个与接地区域连接，从而实现遮挡层的接地，通过遮挡层接地的设置改变遮挡层原有的漂移状态，从而从根本上解决了因源漏层与遮挡层耦合导致的亮度不均一的不良问题，进而改善因遮挡层漂移导致的电子设备等超高亮背光产品的亮度不均等不良问题。
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公开(公告)号：CN114628403A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011363569.6
申请日：2020-11-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/15 , H01L27/32 , H01L23/544 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本公开实施例提供一种显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置，该显示基板母板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域；该显示基板母板还包括：设置在所述显示基板区域的薄膜晶体管、设置在所述标记区域的标记结构和设置在所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的平坦化层；其中，所述平坦化层包括：设置在所述标记结构对应位置处，且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽，所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述标记结构在衬底基板上的正投影。
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公开(公告)号：CN108803170A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810652245.0
申请日：2018-06-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/136209 , G02F2001/13606 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1259
摘要： 本发明实施例公开一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于减小阵列基板的寄生电容，以提高显示装置的显示品质。所述阵列基板包括衬底基板以及设在所述衬底基板一侧的多条栅线，所述栅线背向所述衬底基板的一侧设有多条数据线；每条所述栅线包括多个由各所述数据线分隔形成的栅线子段；每条所述栅线与所述衬底基板之间均设有多个遮光金属部；其中，每相邻的两个所述栅线子段与一个所述遮光金属部对应，且每相邻的两个所述栅线子段通过对应的所述遮光金属部串联。本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示装置用于TFT驱动的显示装置。
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公开(公告)号：CN107946318A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711206103.3
申请日：2017-11-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，用以通过反射的方式将外界环境光进行反射，使得阵列基板通过半反射半透射的方式进行显示，从而改善了户外环境下阵列基板的显示效果。所述阵列基板，包括显示区域，所述显示区域包括开口区域，所述阵列基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管；以及设置在所述衬底基板上且位于所述显示区域的金属反光层，所述金属反光层包括对光线具有反射作用的反光区域以及对光线具有透射作用的镂空区域；其中，所述金属反光层与所述薄膜晶体管中的任一膜层同层设置且相互绝缘。
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公开(公告)号：CN109860108B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910146805.X
申请日：2019-02-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本发明提供了CMOS薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板。制作CMOS薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成半导体层，半导体层同层间隔设置的包括N型区域和P型区域，其中，N型区域依次划分为第一区、第二区、第三区、第四区和第五区，用于形成N型薄膜晶体管，P型区域依次划分为第六区、第七区和第八区，用于形成P型薄膜晶体管；对第一区和第五区进行第一N型离子掺杂；对N型区域进行第一P型离子掺杂；对N型区域和P型区域进行第二P型离子掺杂；对第一区、第二区、第四区、第五区、第六区和第八区进行第二N型离子掺杂；对第六区和第八区进行第三P型离子掺杂，其中，第一N型离子掺杂和第一P型离子掺杂是通过同一个半色调掩膜板进行的。由此，可缩短制作工艺时长，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN107390444B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201710795480.9
申请日：2017-09-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G03F7/00
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置。该阵列基板包括：包括衬底基板，以及设置于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述像素区域中设置有漫反射层，所述漫反射层的朝向所述阵列基板的出光侧的表面凹凸不平。本发明中，设置在阵列基板的像素区域中的漫反射层能够对外界光进行漫反射，从而能够提高具有该阵列基板的显示装置在户外环境下的亮度，改善在户外环境下的显示效果。此外，由于借助外界光提高显示装置的亮度，因而不会增加显示装置的能耗。
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公开(公告)号：CN108803170B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810652245.0
申请日：2018-06-22
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12
摘要： 本发明实施例公开一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于减小阵列基板的寄生电容，以提高显示装置的显示品质。所述阵列基板包括衬底基板以及设在所述衬底基板一侧的多条栅线，所述栅线背向所述衬底基板的一侧设有多条数据线；每条所述栅线包括多个由各所述数据线分隔形成的栅线子段；每条所述栅线与所述衬底基板之间均设有多个遮光金属部；其中，每相邻的两个所述栅线子段与一个所述遮光金属部对应，且每相邻的两个所述栅线子段通过对应的所述遮光金属部串联。本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示装置用于TFT驱动的显示装置。
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公开(公告)号：CN107390444A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710795480.9
申请日：2017-09-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G03F7/00
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/136209 , G03F7/00
摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置。该阵列基板包括：包括衬底基板，以及设置于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定出多个像素区域，所述像素区域中设置有漫反射层，所述漫反射层的朝向所述阵列基板的出光侧的表面凹凸不平。本发明中，设置在阵列基板的像素区域中的漫反射层能够对外界光进行漫反射，从而能够提高具有该阵列基板的显示装置在户外环境下的亮度，改善在户外环境下的显示效果。此外，由于借助外界光提高显示装置的亮度，因而不会增加显示装置的能耗。
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公开(公告)号：CN114846395B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202080003176.6
申请日：2020-12-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 本申请公开了一种彩膜基板及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域。该彩膜基板中的黑矩阵层包括第一膜层和第二膜层。由于该第一膜层的材料和第二膜层的材料不同，因此该第一膜层和第二膜层中的至少一层膜层可以不采用树脂胶制备，进而能够减少第一膜层的第一通孔和第二膜层的第二通孔中至少一个通孔内残留的树脂胶，保证显示装置的显示效果。并且，由于第一膜层的反射率较大，且第二膜层的光学密度较大，因此可以确保本申请提供的彩膜基板能够满足黑矩阵层设计要求。
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公开(公告)号：CN114846395A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080003176.6
申请日：2020-12-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 本申请公开了一种彩膜基板及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域。该彩膜基板中的黑矩阵层包括第一膜层和第二膜层。由于该第一膜层的材料和第二膜层的材料不同，因此该第一膜层和第二膜层中的至少一层膜层可以不采用树脂胶制备，进而能够减少第一膜层的第一通孔和第二膜层的第二通孔中至少一个通孔内残留的树脂胶，保证显示装置的显示效果。并且，由于第一膜层的反射率较大，且第二膜层的光学密度较大，因此可以确保本申请提供的彩膜基板能够满足黑矩阵层设计要求。
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