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公开(公告)号：CN112071868B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202010990335.8
申请日：2020-09-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/12 , H10K59/12 , G02F1/1333
摘要： 本发明实施例提供一种LTPS TFT阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题，该LTPS TFT阵列基板包括：衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管；所述金属块设置于所述衬底上，所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度，其余部分具有第二晶粒度；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个；其中，所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。
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公开(公告)号：CN113871483A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010614083.9
申请日：2020-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , G09F9/30 , G02B27/01
摘要： 本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管，其包括：基底，位于所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极包括依次设置所述基底上、且电连接的第一栅极和第二栅极；所述有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间；且所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上正投影部分重叠；所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影部分重叠。
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公开(公告)号：CN112071868A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010990335.8
申请日：2020-09-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1333
摘要： 本发明实施例提供一种LTPS TFT阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题，该LTPS TFT阵列基板包括：衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管；所述金属块设置于所述衬底上，所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面；所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层；所述多晶硅层包括源极区、漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度，其余部分具有第二晶粒度；所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个；其中，所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。
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公开(公告)号：CN114078363B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202010827799.7
申请日：2020-08-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，阵列基板包括多个功能区域，多个功能区域之间间隔设置；每个功能区域包括遮挡层，相邻两个功能区域中的遮挡层相互连接，且多个所述遮挡层中的一个与接地区域连接。本申请技术方案将多个功能区域中相邻的两个功能区域的遮挡层进行连接，从而使得多个功能区域变成连接的金属网，且多个遮挡层中的一个与接地区域连接，从而实现遮挡层的接地，通过遮挡层接地的设置改变遮挡层原有的漂移状态，从而从根本上解决了因源漏层与遮挡层耦合导致的亮度不均一的不良问题，进而改善因遮挡层漂移导致的电子设备等超高亮背光产品的亮度不均等不良问题。
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公开(公告)号：CN114628403A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011363569.6
申请日：2020-11-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/15 , H01L27/32 , H01L23/544 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本公开实施例提供一种显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置，该显示基板母板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的显示基板区域和位于所述显示基板区域周边的标记区域；该显示基板母板还包括：设置在所述显示基板区域的薄膜晶体管、设置在所述标记区域的标记结构和设置在所述薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的平坦化层；其中，所述平坦化层包括：设置在所述标记结构对应位置处，且沿靠近所述衬底基板的方向延伸的凹槽，所述凹槽在所述衬底基板上的正投影覆盖所述标记结构在衬底基板上的正投影。
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公开(公告)号：CN114846395B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202080003176.6
申请日：2020-12-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 本申请公开了一种彩膜基板及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域。该彩膜基板中的黑矩阵层包括第一膜层和第二膜层。由于该第一膜层的材料和第二膜层的材料不同，因此该第一膜层和第二膜层中的至少一层膜层可以不采用树脂胶制备，进而能够减少第一膜层的第一通孔和第二膜层的第二通孔中至少一个通孔内残留的树脂胶，保证显示装置的显示效果。并且，由于第一膜层的反射率较大，且第二膜层的光学密度较大，因此可以确保本申请提供的彩膜基板能够满足黑矩阵层设计要求。
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公开(公告)号：CN113871483B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010614083.9
申请日：2020-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , G09F9/30 , G02B27/01
摘要： 本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管，其包括：基底，位于所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极包括依次设置所述基底上、且电连接的第一栅极和第二栅极；所述有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间；且所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上正投影部分重叠；所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影部分重叠。
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公开(公告)号：CN114846395A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080003176.6
申请日：2020-12-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 本申请公开了一种彩膜基板及其制造方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域。该彩膜基板中的黑矩阵层包括第一膜层和第二膜层。由于该第一膜层的材料和第二膜层的材料不同，因此该第一膜层和第二膜层中的至少一层膜层可以不采用树脂胶制备，进而能够减少第一膜层的第一通孔和第二膜层的第二通孔中至少一个通孔内残留的树脂胶，保证显示装置的显示效果。并且，由于第一膜层的反射率较大，且第二膜层的光学密度较大，因此可以确保本申请提供的彩膜基板能够满足黑矩阵层设计要求。
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公开(公告)号：CN114078363A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010827799.7
申请日：2020-08-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要： 本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，阵列基板包括多个功能区域，多个功能区域之间间隔设置；每个功能区域包括遮挡层，相邻两个功能区域中的遮挡层相互连接，且多个所述遮挡层中的一个与接地区域连接。本申请技术方案将多个功能区域中相邻的两个功能区域的遮挡层进行连接，从而使得多个功能区域变成连接的金属网，且多个遮挡层中的一个与接地区域连接，从而实现遮挡层的接地，通过遮挡层接地的设置改变遮挡层原有的漂移状态，从而从根本上解决了因源漏层与遮挡层耦合导致的亮度不均一的不良问题，进而改善因遮挡层漂移导致的电子设备等超高亮背光产品的亮度不均等不良问题。
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公开(公告)号：CN103018986B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210491174.3
申请日：2012-11-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , H01L21/77 , H01L27/12 , G09G3/36
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/134363 , G02F1/136286
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备和驱动方法、液晶显示面板，用以降低液晶显示装置所需的驱动电压，并提高光穿透率。阵列基板包括横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅线，每个像素单元包括像素电极和公共电极，其中，所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极、第二公共电极和所述像素电极位于同一层，以及所述第一公共电极和第二公共电极为条状图案，且第一公共电极、所述像素电极和第二公共电极相互间隔排列，其中：第一公共电极通过第一接触孔与第一公共电极导线连接，第二公共电极通过第二接触孔与第二公共电极导线连接，且第一公共电极导线和第二公共电极导线与所述栅线平行。
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