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公开(公告)号:CN111477160A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010462912.6
申请日:2020-05-27
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G09G3/20 , G09G3/32 , G09G3/3275 , G09G3/36
摘要: 本发明提供一种源极驱动电路的推力调节方法及其装置、显示装置,属于显示技术领域。本发明提供的一种源极驱动电路的调节方法,该方法应用于显示面板中,包括判断显示面板的显示状态,根据显示面板的显示状态调节所源极驱动电路的推力大小。由于可以根据显示面板的显示状态来调节源极驱动电路的推力大小,因此能够避免源极驱动电路的推力过剩造成显示面板的功耗的浪费,或者能够避免源极驱动电路的推力不足导致显示面板的显示不均一,从而能够提高显示面板的显示质量以及节省功耗。
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公开(公告)号:CN113035765B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202110198742.X
申请日:2021-02-22
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L25/075 , G09F9/33
摘要: 本公开实施例提供一种芯片转移方法及装置、显示基板及显示装置,该芯片转移方法包括:将芯片晶圆中的多个发光二极管LED芯片转移到过渡基板上;其中,所述过渡基板包括:基底和位于基底的一侧的多个粘附结构,所述粘附结构包括:内壁向中间倾斜的凹槽,被配置为粘取LED芯片,并使粘附于内壁上的LED芯片呈倾斜状态;所述LED芯片包括:位于同一侧的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极包括磁性材料;在磁吸单元提供的磁力的作用下,控制LED芯片垂直翻转,以使第一电极和第二电极朝向背离所述过渡基板的方向;将所述过渡基板上的翻转后的多个LED芯片转移到目标基板中对应的多个待设置LED芯片的位置上。
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公开(公告)号:CN116147890A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202211500905.6
申请日:2022-11-28
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
摘要: 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及点灯线、印刷电路板及显示模组,用于避免点灯线反插造成的印刷电路板及显示模组的损伤。点灯线中的产品端具有第一引脚,用于连接印刷电路板;设备端具有第二引脚,用于连接点灯器;多条走线中的第一电源线包括第一子线和第二子线;控制器;控制器包括第三引脚、第四引脚和第五引脚;第一子线的两端与第二引脚、第四引脚连接;第二子线的两端与第一引脚、第五引脚连接;开关线的一端与第三引脚,另一端用于连接印刷电路板;控制器被配置为,在开关信号的控制下,将第四引脚和第五引脚导通,将第一电源信号通过第二子线、控制器及第一子线传输至第一引脚。点灯线、印刷电路板及显示模组用于图像显示。
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公开(公告)号:CN108170316B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN201810002428.8
申请日:2018-01-02
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G06F3/041 , H01L27/32 , G02F1/1333
摘要: 本发明实施例提供一种半成品显示用基板及制备方法、半成品显示面板、显示面板的制备方法,涉及显示技术领域,可解决现有技术中在显示面板上制作触控层时,因异物导致的触控层断线的问题。该半成品显示用基板包括:衬底基板、设置在所述衬底基板的第一表面上的光刻胶层以及设置在所述衬底基板的第二表面上的第一膜层;其中,所述第一表面和所述第二表面为所述衬底基板的相对的两个表面。
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公开(公告)号:CN108170316A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201810002428.8
申请日:2018-01-02
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G06F3/041 , H01L27/32 , G02F1/1333
摘要: 本发明实施例提供一种半成品显示用基板及制备方法、半成品显示面板、显示面板的制备方法,涉及显示技术领域,可解决现有技术中在显示面板上制作触控层时,因异物导致的触控层断线的问题。该半成品显示用基板包括:衬底基板、设置在所述衬底基板的第一表面上的光刻胶层以及设置在所述衬底基板的第二表面上的第一膜层;其中,所述第一表面和所述第二表面为所述衬底基板的相对的两个表面。
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公开(公告)号:CN107272950A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710447737.1
申请日:2017-06-14
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G06F3/041
CPC分类号: G06F3/0412 , G06F2203/04103
摘要: 本发明公开了一种覆盖表面式触摸屏、其制作方法及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上形成触控电极层的图形;在形成触控电极层的图形之前或之后,采用形成触控电极层的掩模板,在衬底基板上触控电极层的图形之外的区域,形成保护层的图形。本发明实施例提供的制作方法,通过采用形成触控电极层的掩模板,在衬底基板上触控电极层的图形之外的区域,形成保护层的图形,在不增加掩模板成本的基础上,降低了由触控电极引起的段差,且保护层与触控电极和衬底基板之间存在一定的粘性,增加了触控电极与衬底基板之间的粘性,因而可以防止触控电极发生脱落,也改善了在清洗、切割以及压力测试等工艺过程中,触控电极容易被划伤或残存颗粒等问题。
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公开(公告)号:CN113451330B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202010218324.8
申请日:2020-03-25
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121 , H10K59/80 , H10K50/805 , H10K50/84 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要: 本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决显示产品中,晶体管中的部分膜层在爬坡的位置容易发生断裂,从而降低显示产品的良率的问题。所述阵列基板中的晶体管结构包括:栅极图形,有源图形和两个电极图形;两个电极图形与两个电极接触区一一对应,电极图形包括相耦接的第一电极子图形和第二电极子图形,第一电极子图形在基底上的正投影与对应的电极接触区在基底上的正投影具有第一交叠区域,第二电极子图形覆盖栅极图形的部分第一边界,第二电极子图形在基底上的正投影的延伸方向,与部分第一边界在基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。本发明提供的阵列基板用于形成显示装置。
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公开(公告)号:CN106940502B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201710351819.6
申请日:2017-05-18
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G02F1/1345 , G02F1/1333 , G02F1/1339
摘要: 本发明公开了一种液晶显示面板及显示装置,包括:相对设置的对向基板和阵列基板、驱动电路、位于对向基板与阵列基板之间的液晶;阵列基板具有显示区和非显示区,显示区内设置有信号线,非显示区内设置有用于连接驱动电路与信号线的转接端子;对向基板面向阵列基板一侧设置有公共电极层;转接端子包括:与驱动电路电连接的第一接线端子,与信号线电连接的第二接线端子,以及覆盖第一接线端子和第二接线端子的导电层;导电层与公共电极层绝缘设置。通过将公共电极层与导电层进行绝缘设置,以使公共电极层与导电层之间不能够通过液晶形成电流使导电层发生电化学腐蚀,防止信号线与驱动电路之间形成断路无法进行信号传输,以提高显示质量。
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公开(公告)号:CN111522170A
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:CN202010541065.2
申请日:2020-06-15
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1362
摘要: 本申请公开了一种显示基板及显示装置,涉及显示技术领域。该显示基板包括至少一个异形像素,且每个异形像素靠近周边区域的一侧的边界线的形状与衬底基板中异形显示区域的边界线的形状相匹配,因此该异形像素不会超出显示基板的异形显示区域,便于显示基板窄边框的实现,且可以避免异形显示区域的边界线处显示的图像呈锯齿状,保证显示装置的显示效果。并且,由于异形像素在衬底基板上的正投影的面积小于矩形像素在衬底基板上的正投影的面积,因此黑矩阵层在每个矩形像素所在区域形成的开口的面积,大于在任一异形像素所在区域形成的开口的面积,可以确保异形像素和矩形像素发出的光线的亮度平滑过渡,显示装置的亮度均一性较好。
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公开(公告)号:CN118057609A
公开(公告)日:2024-05-21
申请号:CN202211448066.8
申请日:2022-11-18
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
IPC分类号: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要: 本公开实施例提供了一种晶元芯片、驱动面板的制备方法、显示基板及电子设备,晶元芯片包括:晶元基板、微米发光二极管芯片、第一弱化结构、第二弱化结构;微米发光二极管芯片包括芯片本体和焊电极,焊电极设置在微米发光二极管芯片远离晶元基板的顶面,焊电极的材料中掺杂有磁性材料;第一弱化结构的第二端设置在微米发光二极管芯片的第一侧面上,第二弱化结构的第二端设置在微米发光二极管芯片的第二侧面上,微米发光二极管芯片通过第一弱化结构和第二弱化结构支撑在晶元基板上,第一侧面与第二侧面相对设置,第一弱化结构和第二弱化结构相对于微米发光二极管芯片为非对称设置。本公开实施例可以简化巨量转移过程的制程工艺,转移过程简单。
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