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公开(公告)号:CN108352251B
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201680062835.7
申请日:2016-10-26
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明的电容器具备:电介质层5和内部电极层7交替层叠多个的电容器主体1、和在该电容器主体1的内部电极层7露出的端面设置的外部电极3,其中,电介质层5由电介质陶瓷构成,所述电介质陶瓷由以钛酸钡为主成分并且包含稀土类元素的晶粒9构成,并且晶粒9在晶界附近部9a具有稀土类元素的浓度比内部9b低的低浓度区域12。晶粒9还含有钒,相比于内部9b,在低浓度区域12含有更多的该钒。晶粒9还含有镁和锰,该镁和锰具有在晶界附近部12达到最大、朝向内部9b降低的浓度梯度。
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公开(公告)号:CN102007557B
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN200980110566.7
申请日:2009-03-19
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/36 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电容器。该层叠陶瓷电容器的电介质瓷器以钛酸钡为主成分,且以说明书中所述的比例含有钒、镁、锰、说明书中所述的稀土类元素及铽。构成所述电介质瓷器的结晶具有第一晶体组和第二晶体组,所述第一晶体组包括钙的浓度为0.2原子%以下的第一晶粒,所述第二晶体组包括钙的浓度为0.4原子%以上的第二晶粒。将在所述电介质瓷器的研磨面观察到的所述第一晶粒的面积设为C1、所述第二晶粒的面积设为C2时,C2/(C1+C2)为0.3~0.7。在所述电介质瓷器的X射线衍射图中,表示立方晶的钛酸钡的(200)面的衍射强度大于表示正方晶的钛酸钡的(002)面的衍射强度。居里温度为95~105℃。
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公开(公告)号:CN108352251A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680062835.7
申请日:2016-10-26
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明的电容器具备:电介质层5和内部电极层7交替层叠多个的电容器主体1、和在该电容器主体1的内部电极层7露出的端面设置的外部电极3,其中,电介质层5由电介质陶瓷构成,所述电介质陶瓷由以钛酸钡为主成分并且包含稀土类元素的晶粒9构成,并且晶粒9在晶界附近部9a具有稀土类元素的浓度比内部9b低的低浓度区域12。晶粒9还含有钒,相比于内部9b,在低浓度区域12含有更多的该钒。晶粒9还含有镁和锰,该镁和锰具有在晶界附近部12达到最大、朝向内部9b降低的浓度梯度。
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公开(公告)号:CN101981637A
公开(公告)日:2011-02-23
申请号:CN200980110560.X
申请日:2009-03-24
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电容器。其为将(i)由电介质瓷器构成的电介质层与(ii)内部电极层交替地层叠而形成,其中,所述电介质瓷器包括以钛酸钡为主成分的晶粒,且含有规定量的钙、镁、钒、锰及铽、选自钇、镝、钬及铒的至少一种稀土类元素,在所述电介质瓷器的X射线衍射图中,表示立方晶系的钛酸钡的(200)面的衍射强度大于表示正方晶系的钛酸钡的(002)面的衍射强度,且居里温度为90~100℃。
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公开(公告)号:CN101641304A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200880009546.6
申请日:2008-03-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/6281 , C04B35/62815 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/30
Abstract: 一种电介体瓷器,其具有:以钛酸钡为主成分,固溶有钙、钒、镁、锰、和选自钇、镝、钬、铒及铽的至少一种稀土类元素的芯·壳结构的晶粒;在该晶粒之间存在的晶界相,相对于所述晶粒,分别以规定的比例含有钒、镁及稀土类元素及锰,通过将居里温度设为95~105℃的范围,能够得到高介电常数且能够减小相对介电常数的温度变化率,并且,绝缘阻抗的电压依赖性小的电介体瓷器。
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公开(公告)号:CN101641305B
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN200880009615.3
申请日:2008-03-26
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01B3/12 , B32B18/00 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/6281 , C04B35/62815 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6021 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , H01G4/1227 , H01G4/30 , Y10T428/2982
Abstract: 一种电介体瓷器,其具有:具有芯壳结构且以钛酸钡为主成分的晶粒和在该晶粒之间存在的晶界相,分别以规定的比例含有钒、镁及稀土类元素及锰,将居里温度设为80~90℃的范围,由此能够得到高介电常数且相对介电常数的温度特性的稳定性优越,并且,绝缘阻抗的电压依赖性小的电介体瓷器。
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公开(公告)号:CN101960543B
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN200980107404.8
申请日:2009-03-24
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种层叠陶瓷电容器。其为将(i)由电介质瓷器构成的电介质层与(ii)内部电极层交替地层叠而形成的层叠陶瓷电容器,其中,所述电介质瓷器包括以钛酸钡为主成分的晶粒,且含有规定量的镁、钒、锰及铽、选自钇、镝、钬及铒的至少一种稀土类元素,在所述电介质瓷器的X射线衍射图中,表示立方晶系的钛酸钡的(200)面的衍射强度大于表示正方晶系的钛酸钡的(002)面的衍射强度,且居里温度为110~120℃。
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公开(公告)号:CN101765894B
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200780100036.5
申请日:2007-11-29
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器,构成电介质瓷器的晶体由第一晶体组和第二晶体组构成,所述第一晶体组由钙浓度为0.2原子%以下的晶体粒子构成,所述第二晶体组由钙浓度为0.4原子%以上的晶体粒子构成,包含于构成第一晶体组的晶体粒子的中央部中的镁、第一稀土类元素与包含于表层部中的各浓度比大于构成第二晶体组的晶体粒子的相同浓度比,并且在研磨了电介质瓷器表面时的研磨面中,在将构成所述第一晶体组的晶体粒子的面积设为a,将构成所述第二晶体组的晶体粒子的面积设为b时,b/(a+b)为0.5~0.8。
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公开(公告)号:CN101765572A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN200880100541.4
申请日:2008-03-28
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本发明提供电介质瓷器和叠层陶瓷电容器,其中,所述电介质瓷器介电常数高,且相对介电常数的温度变化满足EIA标准的X5R特性,在所施加的电压低的情况下,也可以获得高绝缘电阻,所述叠层陶瓷电容器作为电介质层具备此种电介质瓷器,在高温负载试验中的寿命特性方面优异。本发明是以Ca浓度不同的钛酸钡作为主体的陶瓷电容器,相对于构成所述钛酸钡的钡100摩尔,以V2O5换算含有0.05~0.3摩尔钒,以MgO换算含有0~1摩尔镁,以MnO换算含有0~0.5摩尔锰,以RE2O3换算含有0.4~1.5摩尔选自钇、镝、钬及铒中的1种稀土类元素(RE),在电介质瓷器的X射线衍射图中,显示正方晶系的钛酸钡的(004)面的衍射强度大于显示立方晶系的钛酸钡的(400)面的衍射强度。
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