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    电介质瓷器及叠层陶瓷电容器
    2.
    发明授权
    电介质瓷器及叠层陶瓷电容器 有权

    公开(公告)号：CN101765572B

    公开(公告)日：2013-02-20

    申请号：CN200880100541.4

    申请日：2008-03-28

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 东勇介 ,  山崎洋一 ,  福田大辅 ,  大铃英之 ,  上野纯 ,  名古屋雅昭

    IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    Abstract: 本发明提供电介质瓷器和叠层陶瓷电容器，其中，所述电介质瓷器介电常数高，且相对介电常数的温度变化满足EIA标准的X5R特性，在所施加的电压低的情况下，也可以获得高绝缘电阻，所述叠层陶瓷电容器作为电介质层具备此种电介质瓷器，在高温负载试验中的寿命特性方面优异。本发明是以Ca浓度不同的钛酸钡作为主体的陶瓷电容器，相对于构成所述钛酸钡的钡100摩尔，以V2O5换算含有0.05～0.3摩尔钒，以MgO换算含有0～1摩尔镁，以MnO换算含有0～0.5摩尔锰，以RE2O3换算含有0.4～1.5摩尔选自钇、镝、钬及铒中的1种稀土类元素(RE)，在电介质瓷器的X射线衍射图中，显示正方晶系的钛酸钡的(004)面的衍射强度大于显示立方晶系的钛酸钡的(400)面的衍射强度。

    电介体瓷器及层叠陶瓷电容器
    3.
    发明授权
    电介体瓷器及层叠陶瓷电容器 失效

    公开(公告)号：CN101668721B

    公开(公告)日：2013-01-23

    申请号：CN200880013339.8

    申请日：2008-03-28

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 山崎洋一 ,  大铃英之 ,  藤冈芳博 ,  福田大辅

    IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    Abstract: 一种电介体瓷器，其包括以钙浓度不同的两种钛酸钡为主成分的晶粒(晶粒中的钙浓度比0.3原子％少的第一晶粒和晶粒中的钙浓度在0.3原子％以上的第二晶粒)，在所述两种晶粒中，相对于构成所述钛酸钡的钛100摩尔，以V2O5换算的情况下含有0.1～0.2摩尔的钒，以MgO换算的情况下含有0.55～0.75摩尔的镁，以RE2O3换算的情况下含有0.55～0.75摩尔的钇、镝、钬、铒及铽中的至少一种稀土类元素(RE)，以MnO换算的情况下含有0.25～0.6摩尔的锰，将所述第一晶粒的面积设为C1、所述第二晶粒的面积设为C2时，满足C2/(C1+C2)＝0.5～0.8，并且居里温度为85～95℃。

    叠层陶瓷电容器
    4.
    发明公开
    叠层陶瓷电容器 失效

    公开(公告)号：CN101765894A

    公开(公告)日：2010-06-30

    申请号：CN200780100036.5

    申请日：2007-11-29

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 山崎洋一 ,  大铃英之 ,  藤冈芳博 ,  福田大辅

    IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

    CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器，构成电介质瓷器的晶体由第一晶体组和第二晶体组构成，所述第一晶体组由钙浓度为0.2原子％以下的晶体粒子构成，所述第二晶体组由钙浓度为0.4原子％以上的晶体粒子构成，包含于构成第一晶体组的晶体粒子的中央部中的镁、第一稀土类元素与包含于表层部中的各浓度比大于构成第二晶体组的晶体粒子的相同浓度比，并且在研磨了电介质瓷器表面时的研磨面中，在将构成所述第一晶体组的晶体粒子的面积设为a，将构成所述第二晶体组的晶体粒子的面积设为b时，b/(a+b)为0.5～0.8。

    芯片型电子零件
    6.
    发明公开
    芯片型电子零件 有权

    公开(公告)号：CN1702786A

    公开(公告)日：2005-11-30

    申请号：CN200510074393.1

    申请日：2005-05-26

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 山崎洋一

    IPC: H01G4/12 ,  H01L23/12 ,  H05K1/03

    Abstract: 本发明提供一种芯片型电子零件，其中陶瓷主体的至少一个面为凸状的弯曲面。具体地，可以是所述陶瓷主体厚度方向的至少一个面弯曲成凸状，同时陶瓷主体的侧面弯曲成凹状，或者也可以只有一个面为凸状的弯曲面。由此，即使是小型也变为视觉辨识性高、且机械强度高。另外，在具备绝缘层与导体层交替层叠而成的陶瓷主体、和一对外部电极的芯片型电子零件中，形成为：陶瓷主体的所述外部电极间的中央部的层叠方向厚度大于端面侧的厚度。由此，可以防止外部电极的破坏，且可以使陶瓷主体增大。

    薄膜电容器、连结型电容器、逆变器以及电动车辆
    8.
    发明授权
    薄膜电容器、连结型电容器、逆变器以及电动车辆 有权

    公开(公告)号：CN108028143B

    公开(公告)日：2020-04-28

    申请号：CN201680053374.7

    申请日：2016-09-21

    Applicant: 京瓷株式会社

    Inventor： 山崎洋一 ,  中尾吉宏

    IPC: H01G13/02 ,  H01G4/18 ,  H01G9/048

    Abstract: 具备：金属化薄膜(3a和3b)卷绕在包含绝缘材料的芯体(4)而成的主体(5)；和分别设置在主体(5)的轴长方向的两端面的第1、第2端子电极(6a、6b)，芯体(4)中，垂直于轴长方向(z方向)的截面具有：具有长径和短径的长圆形形状的外周(7)；和形成沿长径的缝隙的内周(8)。通过具备这样的芯体(4)，能够抑制金属化薄膜(3a、3b)的松弛、金属化薄膜(3a、3b)间的空隙的产生，能够成为绝缘性高的薄膜电容器(A)。

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