公开(公告)号：CN101711437A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200880022106.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·方可拉 ,  T·R·威尔特 ,  A·L·卡洛李 ,  W·G·艾恩 ,  D·R·罗贝洛

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0074 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

Abstract: 公开了包含有机半导体薄膜材料的有机半导体材料薄层，其中该薄膜材料基本包含杂芘化合物或衍生物。在一个实施方案中，薄膜晶体管包含有机半导体材料层。进一步公开了优选通过相对低温升华或溶液相沉积到基底上来制造有机薄膜晶体管器件的方法。

公开(公告)号：CN101711437B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880022106.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·方可拉 ,  T·R·威尔特 ,  A·L·卡洛李 ,  W·G·艾恩 ,  D·R·罗贝洛

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0074 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

Abstract: 公开了包含有机半导体薄膜材料的有机半导体材料薄层，其中该薄膜材料基本包含杂芘化合物或衍生物。在一个实施方案中，薄膜晶体管包含有机半导体材料层。进一步公开了优选通过相对低温升华或溶液相沉积到基底上来制造有机薄膜晶体管器件的方法。