公开(公告)号：CN101341178A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200680048269.0

申请日：2006-12-20

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·舒克拉 ,  D·M·特加登 ,  T·R·威尔特

IPC: C08F12/34 ,  C08F26/06 ,  G02F1/1337

CPC classification number: C08F220/36 ,  G02F1/133788 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1005

Abstract: 本发明涉及包含通式I的光活性含茋唑的聚合物的光学可定向排列材料：其中，Ma、Mb、Mc是构成聚合物的单体单元；x、y、z分别是单体单元Ma、Mb、Mc的摩尔分数，其中在各情况下0＜x≤1；0≤y＜1，0≤z＜1；Sa和Sb是间隔单元；Za是能够发生光化学异构化/二聚反应的茋唑单元；Zb是茋唑单元，和n是4到10,000。本发明还涉及使用一层光学定向排列材料的显示器，和将取向层定向排列以及使已施涂于光学定向排列的取向层上的液晶层发生取向的方法。

公开(公告)号：CN101711437A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200880022106.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·方可拉 ,  T·R·威尔特 ,  A·L·卡洛李 ,  W·G·艾恩 ,  D·R·罗贝洛

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0074 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

Abstract: 公开了包含有机半导体薄膜材料的有机半导体材料薄层，其中该薄膜材料基本包含杂芘化合物或衍生物。在一个实施方案中，薄膜晶体管包含有机半导体材料层。进一步公开了优选通过相对低温升华或溶液相沉积到基底上来制造有机薄膜晶体管器件的方法。

公开(公告)号：CN101711437B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880022106.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·方可拉 ,  T·R·威尔特 ,  A·L·卡洛李 ,  W·G·艾恩 ,  D·R·罗贝洛

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0074 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

Abstract: 公开了包含有机半导体薄膜材料的有机半导体材料薄层，其中该薄膜材料基本包含杂芘化合物或衍生物。在一个实施方案中，薄膜晶体管包含有机半导体材料层。进一步公开了优选通过相对低温升华或溶液相沉积到基底上来制造有机薄膜晶体管器件的方法。