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公开(公告)号:CN1827679A
公开(公告)日:2006-09-06
申请号:CN200610071638.X
申请日:2003-05-23
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: B82Y30/00 , C08K9/04 , C08L25/06 , C08L2205/02 , Y10S977/712 , Y10S977/778 , Y10S977/788 , Y10S977/844 , Y10S977/847 , C08L2666/04
Abstract: 本发明涉及一种使包含星形聚苯乙烯的聚合物基质中的多层无机材料基本上剥离的方法,该方法包括:(a)将所述多层无机材料与包含星形聚合物的聚合物组合物混合,其中在该星形聚合物中,许多包含苯乙烯的臂被连接到核心上;(b)加热所述混合物以形成可流动的聚合物熔体;(c)任选地使所述混合物经受剪切;(d)在任何任选的其他加工步骤以前或者以后,将所述混合物冷却,以得到基本上剥离的材料。
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公开(公告)号:CN101711437A
公开(公告)日:2010-05-19
申请号:CN200880022106.4
申请日:2008-06-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/0074 , H01L51/0073 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了包含有机半导体薄膜材料的有机半导体材料薄层,其中该薄膜材料基本包含杂芘化合物或衍生物。在一个实施方案中,薄膜晶体管包含有机半导体材料层。进一步公开了优选通过相对低温升华或溶液相沉积到基底上来制造有机薄膜晶体管器件的方法。
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公开(公告)号:CN1459467A
公开(公告)日:2003-12-03
申请号:CN03136861.1
申请日:2003-05-23
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: B82Y30/00 , C08K9/04 , C08L25/06 , C08L2205/02 , Y10S977/712 , Y10S977/778 , Y10S977/788 , Y10S977/844 , Y10S977/847 , C08L2666/04
Abstract: 公开了用无机层状材料和星形聚苯乙烯制成的纳米复合材料,其可以与常规线性聚苯乙烯共混。该无机层状材料可以具有剥离的结构、基本上剥离的或者插层的结构。该剥离的结构可以使物理性能显著地提高,即使仅仅使用很低含量的粘土。本发明还涉及可用于生产本发明组合物的方法。在一个实施方案中,制备了粘土和星形聚合物的物理混合物,然后将该混合物加热几个小时,优选在高切剪混合下,以提高剥离速率,之后加入廉价的商品线性聚苯乙烯聚合物而得到组合物。
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公开(公告)号:CN101711437B
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN200880022106.4
申请日:2008-06-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H01L51/0074 , H01L51/0073 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 公开了包含有机半导体薄膜材料的有机半导体材料薄层,其中该薄膜材料基本包含杂芘化合物或衍生物。在一个实施方案中,薄膜晶体管包含有机半导体材料层。进一步公开了优选通过相对低温升华或溶液相沉积到基底上来制造有机薄膜晶体管器件的方法。
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公开(公告)号:CN1256372C
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:CN03136861.1
申请日:2003-05-23
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: B82Y30/00 , C08K9/04 , C08L25/06 , C08L2205/02 , Y10S977/712 , Y10S977/778 , Y10S977/788 , Y10S977/844 , Y10S977/847 , C08L2666/04
Abstract: 公开了用无机层状材料和星形聚苯乙烯制成的纳米复合材料,其可以与常规线性聚苯乙烯共混。该无机层状材料可以具有剥离的结构、基本上剥离的或者插层的结构。该剥离的结构可以使物理性能显著地提高,即使仅仅使用很低含量的粘土。本发明还涉及可用于生产本发明组合物的方法。在一个实施方案中,制备了粘土和星形聚合物的物理混合物,然后将该混合物加热几个小时,优选在高切剪混合下,以提高剥离速率,之后加入廉价的商品线性聚苯乙烯聚合物而得到组合物。
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