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公开(公告)号:CN100482017C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200580005766.8
申请日:2005-02-11
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , H01L51/001 , H01L51/0059 , H01L51/0077 , H01L51/0081
Abstract: 用于将有机材料汽化到基材表面上以形成薄膜的方法,所述方法包括在汽化装置内提供一定量的有机材料并且将汽化装置中的第一加热区中的有机材料主动地保持在汽化温度以下。所述方法还包括将汽化装置的第二加热区加热到该有机材料的汽化温度以上和以控制速率将有机材料从第一加热区计量加入到第二加热区,使得薄截面的该有机材料在取决于所需的速度的汽化温度下加热,从而有机材料汽化并且在基材表面上形成薄膜。
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公开(公告)号:CN1922927A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200580005766.8
申请日:2005-02-11
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , H01L51/001 , H01L51/0059 , H01L51/0077 , H01L51/0081
Abstract: 用于将有机材料汽化到基材表面上以形成薄膜的方法,所述方法包括在汽化装置内提供一定量的有机材料并且将汽化装置中的第一加热区中的有机材料主动地保持在汽化温度以下。所述方法还包括将汽化装置的第二加热区加热到该有机材料的汽化温度以上和以控制速率将有机材料从第一加热区计量加入到第二加热区,使得薄截面的该有机材料在取决于所需的速度的汽化温度下加热,从而有机材料汽化并且在基材表面上形成薄膜。
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