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公开(公告)号：CN1934284A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580008938.7
申请日：2005-03-14
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/246 , Y10S427/101
Abstract: 本发明公开了一种将有机物质蒸至发表面以形成薄膜的方法，所述方法包括：提供一定量流化的粉末形式的有机物质，计量所述粉末形式的有机物质，并将所述流化的粉末流引向第一部件，加热所述第一部件，使得所述流化的粉末流蒸发，在管道中收集所述已蒸发的有机物质和提供具有至少一个与所述管道相连的孔的第二部件，使得将所述已蒸发的有机物质引向所述表面，以形成薄膜。
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公开(公告)号：CN1922339A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005611.4
申请日：2005-02-11
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/12 , C23C14/243 , H01L51/001
Abstract: 一种用于沉积材料到基体上的热物理蒸汽沉积源，所述源包含用于接纳材料的加长容器(所述容器在加长方向的流导为CB)和用于加热容器中的材料以使材料蒸发至分压为Pm的加热器。所述容器有至少一个沿其长度方向布置有多个开口的构件，所述开口的总流导为CA，其中式(I)和用于加热容器各侧的末端加热器减少材料在容器上的冷凝。
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公开(公告)号：CN100482017C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580005766.8
申请日：2005-02-11
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , H01L51/001 , H01L51/0059 , H01L51/0077 , H01L51/0081
Abstract: 用于将有机材料汽化到基材表面上以形成薄膜的方法，所述方法包括在汽化装置内提供一定量的有机材料并且将汽化装置中的第一加热区中的有机材料主动地保持在汽化温度以下。所述方法还包括将汽化装置的第二加热区加热到该有机材料的汽化温度以上和以控制速率将有机材料从第一加热区计量加入到第二加热区，使得薄截面的该有机材料在取决于所需的速度的汽化温度下加热，从而有机材料汽化并且在基材表面上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN1922927A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005766.8
申请日：2005-02-11
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , H01L51/001 , H01L51/0059 , H01L51/0077 , H01L51/0081
Abstract: 用于将有机材料汽化到基材表面上以形成薄膜的方法，所述方法包括在汽化装置内提供一定量的有机材料并且将汽化装置中的第一加热区中的有机材料主动地保持在汽化温度以下。所述方法还包括将汽化装置的第二加热区加热到该有机材料的汽化温度以上和以控制速率将有机材料从第一加热区计量加入到第二加热区，使得薄截面的该有机材料在取决于所需的速度的汽化温度下加热，从而有机材料汽化并且在基材表面上形成薄膜。
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