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公开(公告)号:CN1337594A
公开(公告)日:2002-02-27
申请号:CN01125205.7
申请日:2001-08-09
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: H04N1/00132 , H04N1/4097
Abstract: 一种查找照相材料上的线状缺陷的方法,所述材料具有有效的成像宽度和与所述材料纵向一致的缺陷,所述方法包括下列步骤:将所述材料的一定区域曝光,以形成在所述缺陷的有效成像宽度上基本均匀的潜像;将潜像显影以产生密度信号;利用测光装置对密度信号取样;以及分析取样的密度数据,确定与所述材料纵向一致的显著离差的存在,以查找所述缺陷。
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公开(公告)号:CN101322153A
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN200680044984.7
申请日:2006-11-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: G06T5/00
CPC classification number: G06T5/007 , G06T5/20 , G06T5/40 , G06T2207/20012 , G06T2207/30201 , H04N5/235 , H04N5/2355
Abstract: 一种基于距离信息调节数字照相机的曝光的方法,包括:数字照相机以选定的曝光捕获包含目标的场景的第一数字图像;提供具有两个或更多距离值的距离信息,所述距离值指示从数字照相机到场景中的目标的距离;使用该距离信息以及捕获的数字图像的像素值来确定对于选定曝光的曝光调节量;以及施加该曝光调节量给所述数字图像,以产生具有调节的曝光的第二数字图像。
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公开(公告)号:CN1337596A
公开(公告)日:2002-02-27
申请号:CN01125204.9
申请日:2001-08-09
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03B27/73
Abstract: 按照曝光量序列在照相材料上产生的参考校准片,把呈现主要方向上的线状缺陷的照相材料安排成二维阵列,并向所述阵列中的参考校准片指定曝光量,使得在主要方向上最靠近的相邻者在所述曝光量序列中不是最靠近的,从而减小线状缺陷的影响;并且参考校准片和在任何方向上与其最靠近的相邻者之间在所述曝光量序列中的最大级数少于预定数量,从而降低闪光的影响。
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