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公开(公告)号：CN102027611B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980111980.X
申请日：2009-03-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/05 , C07D471/06
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括有机半导体层，其包括N，N’-1，4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺，所述化合物具有至少一个环烷基基团，所述基团在其4-位有氟化的取代基，所述取代基在环烷基基团的反式构型中采取平伏取向而在环烷基基团的顺式构型中采取直立取向。所述晶体管可以是场效应晶体管，具有电介质层，栅电极，源电极和漏电极。栅电极和有机半导体材料的薄膜均接触电介质层，源电极和漏电极均接触所述有机半导体材料的薄膜。
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公开(公告)号：CN102027611A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980111980.X
申请日：2009-03-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/05 , C07D471/06
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括有机半导体层，其包括N，N’-1，4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺，所述化合物具有至少一个环烷基基团，所述基团在其4-位有氟化的取代基，所述取代基在环烷基基团的反式构型中采取平伏取向而在环烷基基团的顺式构型中采取直立取向。所述晶体管可以是场效应晶体管，具有电介质层，栅电极，源电极和漏电极。栅电极和有机半导体材料的薄膜均接触电介质层，源电极和漏电极均接触所述有机半导体材料的薄膜。
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公开(公告)号：CN1989093A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024272.4
申请日：2005-07-07
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： T·R·韦尔特
IPC: C07C37/055
CPC classification number: C07C37/86 , C07B2200/07 , C07C41/44 , C07C2603/94 , C07C39/17 , C07C39/42 , C07C43/23
Abstract: 本发明涉及一种化学分离1，1’－螺二茚满－6，6’－二醇衍生物对映体的方法，其包括提供外消旋手性1，1’－螺二茚满－6，6’－二醇衍生物；使非外消旋手性成分与所述外消旋手性1，1’－螺二茚满－6，6’－二醇衍生物反应以提供非对映二酯混合物；分离所述非对映二酯混合物以提供基本上纯的单独的非对映二酯；和从所述基本上纯的单独的非对映二酯化学中去除酯基以提供非外消旋手性1，1’－螺二茚满－6，6’－二醇衍生物。
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公开(公告)号：CN101849300B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200880022782.1
申请日：2008-06-25
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0053 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 薄膜晶体管包含一层有机半导体材料，该材料包含四羧酸二酰亚胺萘-基化合物，该化合物在1个或2个亚胺氮上连接有取代或未取代的杂环烷基环体系。这类晶体管还可包含空间上分开的与所述材料接触的第一和第二接触或电极。还公开了制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选用升华沉积到衬底上的方法，其中衬底温度不超过200℃。
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公开(公告)号：CN101849300A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880022782.1
申请日：2008-06-25
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0053 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 薄膜晶体管包含一层有机半导体材料，该材料包含四羧酸二酰亚胺萘-基化合物，该化合物在1个或2个亚胺氮上连接有取代或未取代的杂环烷基环体系。这类晶体管还可包含空间上分开的与所述材料接触的第一和第二接触或电极。还公开了制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选用升华沉积到衬底上的方法，其中衬底温度不超过200℃。
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