公开(公告)号：CN101849300A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880022782.1

申请日：2008-06-25

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·舒克拉 ,  T·R·韦尔特 ,  W·G·埃亨

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0053 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

Abstract: 薄膜晶体管包含一层有机半导体材料，该材料包含四羧酸二酰亚胺萘-基化合物，该化合物在1个或2个亚胺氮上连接有取代或未取代的杂环烷基环体系。这类晶体管还可包含空间上分开的与所述材料接触的第一和第二接触或电极。还公开了制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选用升华沉积到衬底上的方法，其中衬底温度不超过200℃。

公开(公告)号：CN101849300B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200880022782.1

申请日：2008-06-25

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： D·舒克拉 ,  T·R·韦尔特 ,  W·G·埃亨

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/0053 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

Abstract: 薄膜晶体管包含一层有机半导体材料，该材料包含四羧酸二酰亚胺萘-基化合物，该化合物在1个或2个亚胺氮上连接有取代或未取代的杂环烷基环体系。这类晶体管还可包含空间上分开的与所述材料接触的第一和第二接触或电极。还公开了制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选用升华沉积到衬底上的方法，其中衬底温度不超过200℃。