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公开(公告)号：CN102027611B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980111980.X
申请日：2009-03-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/05 , C07D471/06
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括有机半导体层，其包括N，N’-1，4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺，所述化合物具有至少一个环烷基基团，所述基团在其4-位有氟化的取代基，所述取代基在环烷基基团的反式构型中采取平伏取向而在环烷基基团的顺式构型中采取直立取向。所述晶体管可以是场效应晶体管，具有电介质层，栅电极，源电极和漏电极。栅电极和有机半导体材料的薄膜均接触电介质层，源电极和漏电极均接触所述有机半导体材料的薄膜。
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公开(公告)号：CN1479143A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03147608.2
申请日：2003-07-14
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： C·L·保尔 , A·L·卡罗尔-李 , R·A·卡斯特勒 , J·F·埃尔曼 , J·W·霍夫 , B·M·霍塔林 , M·奈尔 , J·A·佩尼 , D·舒克拉 , D·M·特加登 , J·A·特雷斯特
IPC: G02F1/13363 , G02B5/30 , G09F9/35
CPC classification number: G02B5/3016 , G02F1/13363
Abstract: 公开了一种液晶显示器件用光学补偿器，它包含透明聚合物支持体、光取向层、含向列型液晶各向异性层以及位于支持体与光取向层之间的不透性阻挡层。本发明还提供制造此种补偿器的方法。
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公开(公告)号：CN1472577A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03149562.1
申请日：2003-07-11
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: G02F1/13363
CPC classification number: G02F1/133632 , G02B5/3016 , G02F1/133788 , G02F2202/023 , G02F2413/105 , Y10T428/10 , Y10T428/1036
Abstract: 公开一种液晶显示器件用光学补偿器，它依次包含透明聚合物支持体、取向层和含向列型液晶的光学各向异性层，其中各向异性层包含一种重均分子量大于该聚合物的缠结分子量的无色聚合物。该薄膜的均一性和质量因高分子量聚合物的加入而提高。
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公开(公告)号：CN101849300B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200880022782.1
申请日：2008-06-25
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0053 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 薄膜晶体管包含一层有机半导体材料，该材料包含四羧酸二酰亚胺萘-基化合物，该化合物在1个或2个亚胺氮上连接有取代或未取代的杂环烷基环体系。这类晶体管还可包含空间上分开的与所述材料接触的第一和第二接触或电极。还公开了制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选用升华沉积到衬底上的方法，其中衬底温度不超过200℃。
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公开(公告)号：CN1362640A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01130276.3
申请日：2001-12-28
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: G03C1/08
CPC classification number: C07D207/416 , C07C233/47 , C07C255/25 , C07C271/58 , C07C309/42 , C07C317/18 , C07C323/25 , C07C2601/04 , C07D209/48 , C07D249/18 , C07D257/04 , C07D277/64 , C07D403/12 , C07D417/12 , G03C1/10 , G03C7/30511 , G03C7/30547 , G03C2200/24 , Y02P20/55
Abstract: 本发明提供了照相元件,它包含至少一个卤化银乳剂层,其中卤化银被下式(a)的化合物增感:Δ－(t)m－XY’(a);XY’－(t)m－Δ(b);Δ－(t)m－XY’－(t)m－Δ(c);其中Δ是在照相元件显影过程中消除的保护基团,t是定时基团,m是0－3的整数,XY’是可碎裂的电子给体部分,其中X是给电子基团而Y’是离去质子H或离去基团Y,前提是当Y’是质子时,则碱β－存在于乳剂中或与X直接或间接共价键合,其中1)X－Y’具有的氧化势为0－约1.4V;2)氧化形式的X－Y’进行键裂反应以得到自由基X·和离去片段Y’;3)自由基X·的氧化势≤－0.7V。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101084590B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200580044132.3
申请日：2005-12-06
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0053 , B82Y30/00 , C09B5/62 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括有机半导体材料层，该材料包括基于四羧酸二酰亚胺3，4，9，10-苝的化合物，该化合物具有连接至每一酰亚胺氮原子的取代或未取代的苯基烷基基团。所述晶体管可进一步包括间隔开的、与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了用于制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选通过在基底上的升华或溶液相沉积，其中基底温度不超过100℃。
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公开(公告)号：CN101084589A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580043297.9
申请日：2005-12-02
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0053 , C09B5/62 , H01L51/0067 , H01L51/0545 , H01L51/5048 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括有机半导体材料层，该材料包括基于四羧酸二酰亚胺3，4，9，10－苝的化合物，该化合物具有连接至每一酰亚胺氮原子的由一个或多个含氟基团取代的碳环或杂环芳环体系。所述晶体管可进一步包括间隔开的、与所述材料接触的第一和第二接触装置或电极。进一步公开了用于制造ac薄膜晶体管器件的方法，优选通过在基底上的升华或溶液相沉积，其中基底温度不超过100℃。
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公开(公告)号：CN101849300A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880022782.1
申请日：2008-06-25
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0053 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 薄膜晶体管包含一层有机半导体材料，该材料包含四羧酸二酰亚胺萘-基化合物，该化合物在1个或2个亚胺氮上连接有取代或未取代的杂环烷基环体系。这类晶体管还可包含空间上分开的与所述材料接触的第一和第二接触或电极。还公开了制造有机薄膜晶体管器件的方法，优选用升华沉积到衬底上的方法，其中衬底温度不超过200℃。
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公开(公告)号：CN101341178A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200680048269.0
申请日：2006-12-20
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C08F12/34 , C08F26/06 , G02F1/1337
CPC classification number: C08F220/36 , G02F1/133788 , Y10T428/10 , Y10T428/1005
Abstract: 本发明涉及包含通式I的光活性含茋唑的聚合物的光学可定向排列材料：其中，Ma、Mb、Mc是构成聚合物的单体单元；x、y、z分别是单体单元Ma、Mb、Mc的摩尔分数，其中在各情况下0＜x≤1；0≤y＜1，0≤z＜1；Sa和Sb是间隔单元；Za是能够发生光化学异构化/二聚反应的茋唑单元；Zb是茋唑单元，和n是4到10,000。本发明还涉及使用一层光学定向排列材料的显示器，和将取向层定向排列以及使已施涂于光学定向排列的取向层上的液晶层发生取向的方法。
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公开(公告)号：CN101022949A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031668.1
申请日：2005-09-07
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C08K5/0016 , B32B27/22 , C08K5/10 , C08L1/12 , C08L1/14 , G02B1/105 , G02B1/111 , G02B1/14 , G02B5/3025 , Y10T428/10 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041
Abstract: 包括由说明书中所述结构1表示的增塑剂化合物的聚合物薄膜可以在显示器应用的偏振片中用作保护薄膜。还公开了制造这种聚合物薄膜和偏振片的方法。
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