公开(公告)号：CN108365062A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810076542.5

申请日：2018-01-26

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 潘永中 ,  蔡长祐 ,  胡庆忠 ,  陈明宝 ,  沈圻 ,  连伟杰

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76846 ,  H01L29/205 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145

摘要： 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体结构；一第二半导体结构；一活性区域，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相反于上表面的底表面；一包含一第一电子阻挡层的电子阻挡区域，第一电子阻挡层的能阶大于其中阻障层的能阶；一第一含铝层，第一含铝层的能阶大于第一电子阻挡层的能阶，一位于活性区域的底表面以上的p型掺杂物，其包含一浓度轮廓，浓度轮廓包含一峰形，峰形具有一峰值浓度，峰值浓度位于活性区域的上表面起15nm至60nm的一距离内。

公开(公告)号：CN105206704B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410441930.0

申请日：2014-09-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许丽 ,  李文钦

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L31/1864 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种Na剂量控制方法，该方法包括：将至少两个衬底彼此间以一定距离放置在衬底载体上，将衬底载体放置在反应腔室中，在该至少两个衬底上沉积前体，以及对该至少两个衬底实施第一退火工艺。该至少两个衬底包括第一含量的第一材料。至少两个衬底之间的距离基于第一材料的第一含量和至少一个工艺参数。所公开的方法有利地提供了改善的Na剂量控制。

公开(公告)号：CN107799583A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710991535.3

申请日：2014-02-14

申请人： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

发明人： S·吕特根 ,  S·穆拉德 ,  A·基特尼斯

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025

摘要： 本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100)，其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S，该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120，140)之间及与其相邻的间层结构(530)，其中该间层结构(530)包括具有比第一和第二第III族氮化物层(120，140)的材料更大的带隙的第III族氮化物间层材料，其中p型掺杂剂浓度分布由至少1×1018cm-3开始在由间层结构(530)至第一和第二第III族氮化物层(120，140)的过渡中降低至少2倍。

公开(公告)号：CN104823269B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201380059256.3

申请日：2013-11-12

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

摘要： 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。

公开(公告)号：CN104051507B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410046657.1

申请日：2014-02-10

申请人： 丰田合成株式会社

发明人： 小嵜正芳 ,  藤井隆弘

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/872

摘要： 一种半导体装置，包括：直径为2英寸或更大的半导体衬底；以及堆叠在半导体衬底上的使用包含氮化镓（GaN）的材料的N型半导体层。在N型半导体层区域的面上的多个位置处，碳（C）浓度的多个测量值的中值等于或低于1.0×1016cm‑3。中值与其他测量值之差的最大值低于5×1015cm‑3。

公开(公告)号：CN106887384A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610918606.2

申请日：2013-03-29

申请人： 帝人株式会社

发明人： 今村哲也 ,  富泽由香 ,  池田吉纪

IPC分类号： H01L21/208 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/0257 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。

公开(公告)号：CN103890981B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280051930.9

申请日：2012-10-02

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 松村笃 ,  德永悠

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/14

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

摘要： 本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层24a）供给的电流的电流隔断部（13）。

公开(公告)号：CN106460228A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021973.6

申请日：2015-03-03

申请人： 国立大学法人大阪大学 ,  伊藤忠塑料株式会社 ,  松下电器产业株式会社

发明人： 森勇介 ,  吉村政志 ,  今出完 ,  伊势村雅士 ,  冈山芳央

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B29/406 ,  B28D5/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/20 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3013 ,  H01S2304/06

摘要： 通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。

公开(公告)号：CN106328586A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610717847.0

申请日：2016-08-24

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 郝晓丹 ,  殷婉婷

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  C23C16/44 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L29/66757 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  C23C16/44 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L2021/775

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。能够有效降低低温多晶硅阵列基板制造的工艺，较少了制造设备的投入，进一步降低了制备成本。

公开(公告)号：CN103855196B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201310618785.4

申请日：2013-11-28

申请人： 国际商业机器公司

发明人： R.A.卡米洛-卡斯蒂洛 ,  J.B.约翰逊

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7378

摘要： 本发明公开了一种异质结双极晶体管（HBT）装置及其制造方法。异质结双极晶体管（HBT）装置包括：设置在结晶硅层中的n型集电极区域；包括硼掺杂的硅锗晶体的p型本征基极，硼掺杂的硅锗晶体设置在由浅沟槽隔离体（STI）划界的下层结晶Si层的顶表面上，并在下层结晶Si层与浅沟槽隔离体（STI）的界面上形成有角度的小面；富Ge的结晶硅锗层，其设置在p型本征基极的有角度的小面上，而不设置在p型本征基极的顶表面上；以及n型结晶发射极，其设置在p型本征基极的顶表面上，而不在p型本征基极的有角度的小面上。