公开(公告)号：CN113166959B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202080006605.5

申请日：2020-02-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 东野孝浩 ,  野田阳平 ,  小川光靖 ,  真屿正利 ,  后藤和宏

IPC: C25B13/07 ,  H01M8/12 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126

Abstract: 提供在抑制传导率的降低的同时实现迁移率的提高的质子导体。该质子导体包含具有钙钛矿型结构且由式(1)：AaB1‑x‑yB'xMyO3‑δ(1)表示的金属氧化物，元素A为选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少一个元素，元素B为选自由Zr和Ce组成的组中的至少一个元素，元素B'为Hf，元素M为选自由Y、Yb、Er、Ho、Tm、Gd、In和Sc组成的组中的至少一个元素，δ为氧缺损量，a、x和y满足0.9≤a≤1.0、0.1≤y≤0.2和0＜x/(1‑y)≤0.2。

公开(公告)号：CN113166959A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080006605.5

申请日：2020-02-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 东野孝浩 ,  野田阳平 ,  小川光靖 ,  真屿正利 ,  后藤和宏

IPC: C25B13/07 ,  H01M8/12 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126

Abstract: 提供在抑制传导率的降低的同时实现迁移率的提高的质子导体。该质子导体包含具有钙钛矿型结构且由式(1)：AaB1‑x‑yB'xMyO3‑δ(1)表示的金属氧化物，元素A为选自由Ba、Sr和Ca组成的组中的至少一个元素，元素B为选自由Zr和Ce组成的组中的至少一个元素，元素B'为Hf，元素M为选自由Y、Yb、Er、Ho、Tm、Gd、In和Sc组成的组中的至少一个元素，δ为氧缺损量，a、x和y满足0.9≤a≤1.0、0.1≤y≤0.2和0＜x/(1‑y)≤0.2。