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发明公开
离子注入方法及离子注入装置审中-实审

公开(公告)号：CN110739213A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910648386.X

申请日：2019-07-18

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 川崎洋司 , 佐佐木玄

IPC: H01L21/265 , H01L21/67 , H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种能够实现所期望的注入分布的离子注入技术。离子注入装置(100)具备：射束线装置，输送离子束(B)；晶片保持装置，保持离子束(B)所照射的晶片(W)；及温度调整装置(50)，用于对晶片(W)进行加热或冷却。离子注入装置(100)使用温度调整装置(50)将晶片(W)加热或冷却至规定的温度，以满足规定的通道效应条件的方式将晶片(W)保持于晶片保持装置，对晶片保持装置所保持的规定的温度的晶片(W)照射离子束(B)。

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