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公开(公告)号：CN108505009A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810163692.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: C23C14/48 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置。其课题在于提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。离子注入装置(100)具备：离子源(10)，能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束；上游射束线(102)，包括质谱分析磁铁(22a)和高能量多级直线加速单元(14)；能量分析磁铁(24)；射束能量测定装置(200)，在能量分析磁铁(24)的下游测定校正用离子束的能量；及校正序列部，制作表示已知的能量与通过射束能量测定装置(200)测定出的校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表。上游射束线压力在离子注入处理期间被调整为第1压力，在制作能量校正表的期间被调整为高于第1压力的第2压力。
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公开(公告)号：CN114999879A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210196986.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/145 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明可抑制污垢附着于静电四极透镜装置中所包含的电极体或支承电极体的绝缘部件，以提高射束线的真空度。静电四极透镜装置具备：多个透镜电极(82)，在对置的多个透镜电极之间隔着射束线(BL)在与射束线(BL)所延伸的轴向正交的径向上对置，且在与轴向及径向这两个方向正交的周向上隔着间隔配置；上游侧覆盖电极(84a)，包覆多个透镜电极(82)的射束线上游侧，且具有在轴向开口的射束入射口(92a)；及下游侧覆盖电极(84b)，包覆多个透镜电极(82)的射束线下游侧，且具有在轴向开口的射束射出口(92b)。上游侧覆盖电极(84a)及下游侧覆盖电极(84b)中至少一者具有在径向开口的至少一个气体排出口(94a、94b、96a、96b)。
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公开(公告)号：CN110739213A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910648386.X
申请日：2019-07-18
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/67 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种能够实现所期望的注入分布的离子注入技术。离子注入装置(100)具备：射束线装置，输送离子束(B)；晶片保持装置，保持离子束(B)所照射的晶片(W)；及温度调整装置(50)，用于对晶片(W)进行加热或冷却。离子注入装置(100)使用温度调整装置(50)将晶片(W)加热或冷却至规定的温度，以满足规定的通道效应条件的方式将晶片(W)保持于晶片保持装置，对晶片保持装置所保持的规定的温度的晶片(W)照射离子束(B)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817503A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811351479.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 佐佐木玄
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明根据需要提高离子注入装置的质量分辨率。质量分析装置(22)具备：质量分析磁铁(22a)，对通过引出电极从离子源引出的离子束施加磁场而使其偏转；质谱分析狭缝(22b)，设置于质量分析磁铁(22a)的下游，且使偏转的离子束中所希望的离子种的离子束选择性地通过；及透镜装置(22c)，设置于质量分析磁铁(22a)与质谱分析狭缝(22b)之间，且对朝向质谱分析狭缝(22b)的离子束施加磁场及电场中的至少一种来调整离子束的收敛及发散。质量分析装置(22)在隔着质谱分析狭缝(22b)的上游侧至下游侧为止的规定的调整范围内，利用透镜装置(22c)来改变通过质谱分析狭缝(22b)的离子束的收敛位置，由此调整质量分辨率。
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公开(公告)号：CN108505009B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810163692.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: C23C14/48 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置。其课题在于提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。离子注入装置(100)具备：离子源(10)，能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束；上游射束线(102)，包括质谱分析磁铁(22a)和高能量多级直线加速单元(14)；能量分析磁铁(24)；射束能量测定装置(200)，在能量分析磁铁(24)的下游测定校正用离子束的能量；及校正序列部，制作表示已知的能量与通过射束能量测定装置(200)测定出的校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表。上游射束线压力在离子注入处理期间被调整为第1压力，在制作能量校正表的期间被调整为高于第1压力的第2压力。
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公开(公告)号：CN108281341A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810010055.9
申请日：2018-01-05
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 佐佐木玄
IPC: H01J37/317
Abstract: 离子注入方法以及离子注入装置，以高精度迅速调整线性加速器的透镜参数。离子注入装置具备：多级线性加速单元(110)，包含多级高频谐振器和多级收敛透镜；第1射束测量部(160)，设置于多级线性加速单元(110)的中途，构成为使射束轨道(Z)的中心附近的射束部分通过，另一方面测量在射束轨道(Z)的中心附近的外侧被电极体(164)屏蔽的其他射束部分的电流量；第2射束测量部(170)，设置于多级线性加速单元(110)的下游，构成为测量从多级线性加速单元(110)射出的离子束的电流量；以及控制装置，构成为根据第1射束测量部(160)以及第2射束测量部(170)的测量结果调整多级收敛透镜的控制参数。
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公开(公告)号：CN109817503B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201811351479.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 佐佐木玄
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明根据需要提高离子注入装置的质量分辨率。质量分析装置(22)具备：质量分析磁铁(22a)，对通过引出电极从离子源引出的离子束施加磁场而使其偏转；质谱分析狭缝(22b)，设置于质量分析磁铁(22a)的下游，且使偏转的离子束中所希望的离子种的离子束选择性地通过；及透镜装置(22c)，设置于质量分析磁铁(22a)与质谱分析狭缝(22b)之间，且对朝向质谱分析狭缝(22b)的离子束施加磁场及电场中的至少一种来调整离子束的收敛及发散。质量分析装置(22)在隔着质谱分析狭缝(22b)的上游侧至下游侧为止的规定的调整范围内，利用透镜装置(22c)来改变通过质谱分析狭缝(22b)的离子束的收敛位置，由此调整质量分辨率。
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公开(公告)号：CN108281341B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810010055.9
申请日：2018-01-05
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor： 佐佐木玄
IPC: H01J37/317
Abstract: 离子注入方法以及离子注入装置，以高精度迅速调整线性加速器的透镜参数。离子注入装置具备：多级线性加速单元(110)，包含多级高频谐振器和多级收敛透镜；第1射束测量部(160)，设置于多级线性加速单元(110)的中途，构成为使射束轨道(Z)的中心附近的射束部分通过，另一方面测量在射束轨道(Z)的中心附近的外侧被电极体(164)屏蔽的其他射束部分的电流量；第2射束测量部(170)，设置于多级线性加速单元(110)的下游，构成为测量从多级线性加速单元(110)射出的离子束的电流量；以及控制装置，构成为根据第1射束测量部(160)以及第2射束测量部(170)的测量结果调整多级收敛透镜的控制参数。
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