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公开(公告)号：CN116322262A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310303486.5
申请日：2023-03-24
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种主动散热基板及其制备方法，其中，主动散热基板包括底板、设置在底板上沿第一方向相对两侧的第一金属电极和第二金属电极，设置在第一金属电极和第二金属电极之间的散热单元，以及覆盖在散热单元顶部的导热板；散热单元包括并列设置在第一金属电极和第二金属电极之间的N型半导体片和P型半导体片，以及分别与N型半导体片和P型半导体片连接的中间金属电极；N型半导体片与P型半导体片之间具有填充介质；N型半导体片的侧面与第一金属电极接触，P型半导体片的侧面与第二金属电极接触。本发明主动散热基板沿垂直方向的厚度薄，且具备主动散热能力，适用于进行小型化、大功率电子元件的封装。
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公开(公告)号：CN115579344A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211052485.X
申请日：2022-08-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/498
摘要： 本发明涉及功率半导体器件，包括引线框架、基板、芯片组件，基板包括陶瓷板、以及设置在陶瓷板上的第一铜层和第二铜层，芯片组件包括并排设置在第一铜层上的第一芯片单元和第二芯片单元，第一芯片单元的顶面设置有第一栅极和第一源极，第一芯片单元的底面设置有第一漏极；第二芯片单元的顶面上设置有第二源极和第二栅极，第二芯片单元的底面设置有第二漏极；引线框架包括第一连接板和第二连接板，第一栅极与第二铜层之间通过第一键合线连接，第二栅极与第二铜层之间通过第二键合线连接；第一键合线与第二键合线垂直于陶瓷板的第一侧至第二侧的方向，其使栅源回路中的电流方向与漏源回路中的电流方向互相垂直，降低了功率半导体器件的寄生电感。
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公开(公告)号：CN114334922A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111663041.5
申请日：2021-12-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/427 , H05K1/18
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种立体分立器件及控制模块，其中，立体分立器件包括芯片和金属的焊线框架，焊线框架包括竖直相邻的框架顶部和框架底部，框架顶部包括支撑面和依次连接的多个侧面，焊线框架上开设有供散热介质通过的散热孔，其至少贯穿支撑面，芯片固定在侧面。立体的焊线框架的每个侧面上设置有芯片，提高了芯片的数量，使得分立器件可以做到超大功率；通过将焊线框架设置为金属框架，芯片能够将热量快速传导到焊线框架上进行散热，且焊线框架内设置的散热孔，散热孔内的循环的散热介质能够主动带走焊线框架上的热量，实现强制散热，为超大功率的分立器件提供保障，保证分立器件即使在功率很大的情况下也能稳定地工作。
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公开(公告)号：CN112992818B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110451116.7
申请日：2021-04-26
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了一种功率器件及其制作方法，具体涉及到半导体器件领域。功率器件包括结构封装体、支架板、芯片和散热体，散热体包括层叠设置的接触导电层和高绝缘高导热层；芯片的底面贴合设置在支架板的顶面上，位于散热体底面一侧的接触导电层贴合设置在芯片的顶面上；支架板、芯片和散热体基于结构封装体封装，支架板的底面外露于结构封装体，散热体的顶面外露于结构封装体。该功率器件通过在芯片的顶面设置散热体，可利用散热体提高封装器件的散热效率并提高封装器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117544152A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311466415.3
申请日：2023-11-06
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/687
摘要： 本发明公开一种氮化镓器件驱动芯片及驱动方法，包括第一开关模块、第二开关模块、电压转换模块和电压比较器，电压转换模块将第一开关模块输入的第一电压转换为第二电压，第二开关模块的第一端与第一开关模块的第二端连接，第二开关模块的第二端与电压比较器的第二输入端连接，第二开关模块的控制端与驱动芯片的模式切换引脚连接，模式切换引脚输入的模式切换信号控制电压比较器的输出端输出第一电压，驱动Cascode结构的氮化镓器件，或输出第二电压，驱动E‑mode型的氮化镓器件。本发明实施例提供的氮化镓器件驱动芯片，可同时兼容Cascode结构的氮化镓器件和E‑mode型的氮化镓器件，无需针对Cascode结构的氮化镓器件和E‑mode型的氮化镓器件分别设计驱动芯片，降低了成本。
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公开(公告)号：CN117259882A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311171075.1
申请日：2023-09-11
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种功率模块的焊接结构，所述焊接结构包括功率器件和金属散热器，所述功率器件的金属底部与所述金属散热器通过高频焊接工艺直接焊接在一起。本发明还涉及一种焊接工艺，包括：将功率器件的金属底部的表面与所述金属散热器的表面相互贴合形成焊接面，然后将高频线圈套设于所述焊接面的外围，再将所述高频线圈通电，开始高频焊接，完成焊接后得到功率模块的焊接结构。本发明还涉及实施所述焊接工艺的焊接装置。本发明的焊接结构将功率器件的金属底部与金属散热器直接焊接在一起，省略了中间焊料层，减少了中间焊料层的热阻，大大提升了整个功率模块的散热性能。
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公开(公告)号：CN114334870A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111666982.4
申请日：2021-12-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367
摘要： 本发明公开一种功率器件的散热系统，包括散热器和至少一个功率器件，散热器的内部为空腔，空腔内填充有冷却介质，在散热器相对的两个表面上分别设置有与空腔连通的进口和出口，冷却介质通过进口和出口进行循环散热，散热器的表面朝向空腔内凹陷设置有至少一个凹槽，凹槽的槽底设置有至少一个第一通孔；功率器件包括器件本体和与器件本体连接的第一散热件，器件本体嵌入在凹槽内，第一散热件与第一通孔的形状和大小相匹配，第一散热件通过第一通孔插入到空腔内。通过设置插入空腔内部的第一散热件，可以使功率器件直接与冷却介质接触，缩短功率器件热量的传递路径，提高散热效果。
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公开(公告)号：CN112992818A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110451116.7
申请日：2021-04-26
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了一种功率器件及其制作方法，具体涉及到半导体器件领域。功率器件包括结构封装体、支架板、芯片和散热体，散热体包括层叠设置的接触导电层和高绝缘高导热层；芯片的底面贴合设置在支架板的顶面上，位于散热体底面一侧的接触导电层贴合设置在芯片的顶面上；支架板、芯片和散热体基于结构封装体封装，支架板的底面外露于结构封装体，散热体的顶面外露于结构封装体。该功率器件通过在芯片的顶面设置散热体，可利用散热体提高封装器件的散热效率并提高封装器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114347341B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111666923.7
申请日：2021-12-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及电子元件封装技术领域，具体公开了一种分立器件塑封装置及塑封方法。该装置包括第二模板、开设有限位通孔的第一模板和顶面设有定位孔的底座板；三者相互平行，当分立器件的引脚插接于定位孔时，分立器件外侧壁能与限位通孔内侧壁贴合，第一模板顶面开设有进料通道，进料通道连通限位通孔和第一模板侧面；分立器件塑封装置能在第一、二和三状态之间切换，第一状态时，三者互不接触；第二状态时，第一模板压设于底座板顶面；第三状态时，第二模板压设于第一模板顶面。本装置利用分体结构，让拆装操作和塑封料清除操作能顺利且高效的完成。再通过调整分立器件的长度方向，改变了芯片与焊线受力方向，从而保证了塑封操作的良品率。
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公开(公告)号：CN117833631A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311788348.7
申请日：2023-12-22
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种电源模块和电源盒，包括整流滤波电路、反激电路、主控芯片、热敏电阻和输出电路，整流滤波电路的输入端连接市电，整流滤波电路的输出端与反激电路的输入端连接，反激电路的输出端与输出电路的输入端连接，输出电路的输出端向外部供电，热敏电阻的第一端与主控芯片的温度采集引脚连接，热敏电阻的第二端接地，热敏电阻用于采集电源模块内部的温度，主控芯片在电源模块内部的温度超过温度阈值时，控制反激电路降低输出电压，从而降低电源模块的输出功率，减少发热量，实现对电源模块的内部温度控制，可延长电源模块的内部的元器件的使用寿命，提高安全性能。
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