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公开(公告)号:CN105493295B
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201480047458.0
申请日:2014-08-29
申请人: 佛罗里达大学研究基金会有限公司
IPC分类号: H01L31/0352
摘要: 光探测器具有半导体无机纳米颗粒的光活性层,所述光活性层设置在第一金属氧化物的空穴传输电子阻挡层与第二金属氧化物的电子传输空穴阻挡层之间。纳米颗粒响应于光谱的至少红外区域中的电磁辐射。第一金属氧化物可以是NiO,并且第二金属氧化物可以是ZnO或TiO2。即使在光探测器周围没有封装涂层,金属氧化物层也使得光探测器在空气中稳定。光探测器具有P‑I‑N结构。
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公开(公告)号:CN105493295A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201480047458.0
申请日:2014-08-29
申请人: 佛罗里达大学研究基金会有限公司
IPC分类号: H01L31/0352
CPC分类号: H01L31/035218 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/02165 , H01L31/0296 , H01L31/0324 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/18 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/893 , Y10S977/954
摘要: 光探测器具有半导体无机纳米颗粒的光活性层,所述光活性层设置在第一金属氧化物的空穴传输电子阻挡层与第二金属氧化物的电子传输空穴阻挡层之间。纳米颗粒响应于光谱的至少红外区域中的电磁辐射。第一金属氧化物可以是NiO,并且第二金属氧化物可以是ZnO或TiO2。即使在光探测器周围没有封装涂层,金属氧化物层也使得光探测器在空气中稳定。光探测器具有P-I-N结构。
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