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公开(公告)号：CN103460404A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201180068540.8
申请日：2011-10-13
申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司 , 纳米控股有限公司
CPC分类号： H01L51/426 , B82Y30/00 , H01L51/50 , H01L2251/5369 , Y02E10/549
摘要： 本发明的一些实施方案涉及一种IR光检测器，其广泛地吸收电磁辐射，包括近红外（NIR）光谱的至少一部分。所述IR光检测器包括PbS和/或PbSe的多分散QD。根据本发明的一个实施方案，所述IR光检测器当与发光二极管（LED）耦联时可作为层包括在上转换器件中。
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公开(公告)号：CN103733355B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201280031610.7
申请日：2012-07-02
申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司 , 纳米控股有限公司
发明人： 弗兰基·索 , 金渡泳 , 李在雄 , 布哈本德拉·K·普拉丹
CPC分类号： H01L27/3227 , H01L27/288 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022491 , H01L31/035218 , H01L31/09 , H01L31/143 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/184 , H01L51/0047 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/4213 , H01L51/422 , H01L51/442 , H01L51/5048 , H01L51/56 , H01L2031/0344 , H04N5/33 , Y02E10/549
摘要： 描述了光检测器、其制造方法和使用其检测辐射的方法。光检测器可以包括第一电极、光敏化层、电子阻挡／隧穿层和第二电极。还描述了红外-可见光上转换器件、其制造方法和使用其检测辐射的方法。红外-可见光上转换器件可以包括光检测器和与所述光检测器连结的OLED。
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公开(公告)号：CN107636431A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680033386.3
申请日：2016-06-10
申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司 , 纳米控股有限公司
发明人： 弗兰基·索 , 金渡泳 , 李在雄 , 布哈本德拉·K·普拉丹
摘要： 本文所述实施方案一般地涉及能够吸收红外辐射并产生电荷载流子的单分散纳米颗粒。在一些情况下，至少部分所述纳米颗粒为纳米晶体。在某些实施方案中，单分散IR吸收纳米晶体根据包括纳米晶体形成步骤的方法而形成，所述纳米晶体形成步骤包括将包含纳米晶体的第一元素的第一前体溶液添加至包含纳米晶体的第二元素的第二前体溶液以形成第一混合前体溶液，其中第一混合前体溶液中第一元素与第二元素的摩尔比高于成核阈值。该方法还可包括纳米晶体生长步骤，其包括将第一前体溶液添加至第一混合前体溶液以形成第二混合前体溶液，其中第二混合前体溶液中第一元素与第二元素的摩尔比低于成核阈值。
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公开(公告)号：CN103460404B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201180068540.8
申请日：2011-10-13
申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司 , 纳米控股有限公司
CPC分类号： H01L51/426 , B82Y30/00 , H01L51/50 , H01L2251/5369 , Y02E10/549
摘要： 本发明的一些实施方案涉及一种IR光检测器，其广泛地吸收电磁辐射，包括近红外（NIR）光谱的至少一部分。所述IR光检测器包括PbS和/或PbSe的多分散QD。根据本发明的一个实施方案，所述IR光检测器当与发光二极管（LED）耦联时可作为层包括在上转换器件中。
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公开(公告)号：CN103733355A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280031610.7
申请日：2012-07-02
申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司 , 纳米控股有限公司
发明人： 弗兰基·索 , 金渡泳 , 李在雄 , 布哈本德拉·K·普拉丹
CPC分类号： H01L27/3227 , H01L27/288 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022491 , H01L31/035218 , H01L31/09 , H01L31/143 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/184 , H01L51/0047 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/4213 , H01L51/422 , H01L51/442 , H01L51/5048 , H01L51/56 , H01L2031/0344 , H04N5/33 , Y02E10/549
摘要： 描述了光检测器、其制造方法和使用其检测辐射的方法。光检测器可以包括第一电极、光敏化层、电子阻挡／隧穿层和第二电极。还描述了红外-可见光上转换器件、其制造方法和使用其检测辐射的方法。红外-可见光上转换器件可以包括光检测器和与所述光检测器连结的OLED。
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公开(公告)号：CN104956483A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201480006005.3
申请日：2014-01-23
申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/14694 , H01L27/283 , H01L27/307
摘要： 一种图像传感器，其构建在基底上，该基底为读出晶体管阵列及形成在其上的红外探测器的多层膜阵列。所述红外探测器包括多个层，所述多个层包括远离所述基底的透红外电极、直接接触所述基底的对电极、以及包括大量纳米颗粒的红外敏化层。所述层可为无机材料或有机材料。除所述电极和敏化层外，所述多层堆叠体可包括空穴阻挡层、电子阻挡层以及减反射层。所述红外敏化层可为PbS或PbSe量子点。
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