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公开(公告)号：CN109690779A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780053944.7
申请日：2017-07-07
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 吉际润
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0264 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14694 , H01L31/03044 , H01L31/03046
摘要： 本发明涉及一种光接收元件，其设有：光电转换层，其包括III-V族半导体；多个第一导电型区域，由所述光电转换层产生的信号电荷在所述第一导电型区域中移动；以及第二导电型区域，其延伸通过所述光电转换层并且设置在相邻的所述第一导电型区域之间。
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公开(公告)号：CN101853865B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010107209.X
申请日：2010-01-29
申请人： 索尼公司
发明人： 户田淳
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/225
CPC分类号： H01L27/14601 , B82Y20/00 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14694 , H01L27/14696 , H01L31/035236
摘要： 本发明提供一种固态摄像装置及其制造方法、以及摄像装置，能够在抑制了光散粒噪声的状态下通过雪崩倍增来提高灵敏度。所述固态摄像装置包括：第一电极(21)；第二电极(25)，与所述第一电极(21)相对地形成；以及光电转换电极(24)，形成在所述第一电极(21)与所述第二电极(25)之间，通过使窄带隙半导体的量子点(23)分散在导电膜(22)中而形成；所述第一电极(21)和所述第二电极(25)中的一者由透明电极形成，另一者由金属电极或透明电极形成。
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公开(公告)号：CN104956484A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201480006270.1
申请日：2014-01-31
申请人： 新成像技术公司
发明人： Y·尼
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/1461 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/109 , H01L31/1844
摘要： 本发明涉及光电二极管阵列，以及用于制造光电二极管阵列的方法，所述光电二级管阵列包括-阴极，所述阴极包括至少一个由磷化铟族的材料制备的衬底层(4)和一个由镓铟砷族的材料制备的有源层(5)，并且所述阵列特征在于所述阵列进一步包括至少两种相同类型的至少部分地在有源层(5)中形成的掺杂区域：-第一掺杂区域(3)，其与阴极一起形成用于图像的形成的光电二极管；-至少一个第二掺杂区域(8)，其吸收过量电荷载流子从而将过量电荷载流子排出。
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公开(公告)号：CN101853865A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010107209.X
申请日：2010-01-29
申请人： 索尼公司
发明人： 户田淳
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/225
CPC分类号： H01L27/14601 , B82Y20/00 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14694 , H01L27/14696 , H01L31/035236
摘要： 本发明提供一种固态摄像装置及其制造方法、以及摄像装置，能够在抑制了光散粒噪声的状态下通过雪崩倍增来提高灵敏度。所述固态摄像装置包括：第一电极(21)；第二电极(25)，与所述第一电极(21)相对地形成；以及光电转换电极(24)，形成在所述第一电极(21)与所述第二电极(25)之间，通过使窄带隙半导体的量子点(23)分散在导电膜(22)中而形成；所述第一电极(21)和所述第二电极(25)中的一者由透明电极形成，另一者由金属电极或透明电极形成。
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公开(公告)号：CN108140663A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061522.X
申请日：2016-08-26
申请人： 新成像技术公司
发明人： Y·尼
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14694
摘要： 本发明涉及一种光电二极管阵列以及其制造方法，所述阵列包括：磷化铟衬底(4)，在所述衬底(4)上的铟镓砷有源层(5)，位于所述衬底(4)与所述有源层(5)之间的埋入区域(8)，在所述有源层(5)上的由磷化铟制成的上层(6)，由掺杂区域(12)制成的光电二极管阳极；所述掺杂区域(12)从所述上层(6)延伸进入所述有源层(5)，而不接触所述埋入区域(8)，所述掺杂区域(12)限定出多个上层(6)的阴极区域(13)，所述阴极区域(13)通过所述掺杂区域(12)而相互隔离。
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公开(公告)号：CN104956483A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201480006005.3
申请日：2014-01-23
申请人： 佛罗里达大学研究基金会有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/14694 , H01L27/283 , H01L27/307
摘要： 一种图像传感器，其构建在基底上，该基底为读出晶体管阵列及形成在其上的红外探测器的多层膜阵列。所述红外探测器包括多个层，所述多个层包括远离所述基底的透红外电极、直接接触所述基底的对电极、以及包括大量纳米颗粒的红外敏化层。所述层可为无机材料或有机材料。除所述电极和敏化层外，所述多层堆叠体可包括空穴阻挡层、电子阻挡层以及减反射层。所述红外敏化层可为PbS或PbSe量子点。
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公开(公告)号：CN109427924A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810211943.7
申请日：2018-03-14
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/101
CPC分类号： H01L27/14649 , A61B5/443 , B82Y20/00 , G01J1/44 , G01J5/024 , G01J5/046 , G01J5/0853 , G01J2001/4446 , G01N21/3554 , H01L27/146 , H01L27/14669 , H01L27/14694 , H01L31/022466 , H01L31/03046 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/03845 , H01L31/1013 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/101
摘要： 提供了红外检测器和包括红外检测器的红外传感器。红外检测器包括彼此间隔开的包括第一组分的多个量子点，并且，覆盖所述多个量子点的第一半导体层以及覆盖所述第一半导体层的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN105720130B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510404231.3
申请日：2015-07-10
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/12 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L27/14652 , H01L27/14694 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/105
摘要： 本发明涉及基于量子阱带间跃迁的光电探测器。一种光电探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的光子吸收层，所述光子吸收层包括至少一个量子阱层以及设置在每个所述量子阱层两侧的势垒层。本发明利用半导体PN结对量子阱参与的光电转换过程的调制作用，大幅度提升了基于量子阱材料的光电探测器的电流输出。
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公开(公告)号：CN103843158A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201380003240.0
申请日：2013-05-16
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/10 , H01L21/205 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/18 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L27/1446 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/103 , H01L31/105
摘要： 本发明提供了光接收元件等，其在近红外至中红外区内具有高响应性，并且稳定地具有高质量，同时维持经济效率。该光接收元件的特征在于提供有：InP衬底，其对于波长为3-12μm的光是透明的；中间层，其外延生长在InP衬底上；GaSb缓冲层，其被设置成与中间层接触；光接收层，即II型多量子阱结构，其外延生长在GaSb缓冲层上。该光接收元件的特征还在于，GaSb缓冲层外延在超过正常晶格匹配条件的范围的情形下生长在中间层上。
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公开(公告)号：CN103703573A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280034301.5
申请日：2012-07-11
申请人： 新成像技术公司
发明人： Y·倪
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L31/0304 , H01L31/103 , H01L31/042
CPC分类号： H01L27/14654 , H01L27/14609 , H01L27/14649 , H01L27/1465 , H01L27/14683 , H01L27/14689 , H01L27/14694 , H01L31/1035 , H01L31/1844 , H01L31/1868 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及InGaAs光电二极管阵列（101）并且涉及用于制造InGaAs光电二极管阵列（101）的方法，其中所述阵列包括：阴极，所述阴极包括至少一个磷化铟衬底层（4）和有源铟镓砷化物层（5）；以及多个阳极（3），所述多个阳极（3）通过扩散P型掺杂剂至少部分地形成于所述有源铟镓砷化物层中，阳极（3）和阴极之间的相互作用形成光电二极管。根据所述方法，在形成所述阳极（3）的P型掺杂剂的扩散之前在有源层上设置磷化铟钝化层（6），以及执行第一选择性蚀刻以在其整个厚度上去除钝化层（6）的包围每个阳极（3）的区域（10）。
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