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公开(公告)号：CN105849870B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201480070783.9
申请日：2014-08-27
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要： 本发明的目的在于提供基板加工方法及半导体装置的制造方法，利用本发明，能够将材料充分地埋入构成通孔、导通孔等的凹部内，同时还沿着凹部的底部、侧壁部及上端部留存沉积膜。根据本发明的一个实施方式的基板加工方法包括：第一照射步骤，用于利用粒子束从相对于基板面内方向成第一角度的方向照射已经形成于基板的凹部的开口部的沉积膜，并且去除沉积膜的厚度方向上的一部分；和在第一照射步骤之后的第二照射步骤，用于从比第一角度接近垂直于基板面内方向的第二角度的方向进行照射粒子束，并且去除残留的沉积膜的厚度方向上的一部分。
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公开(公告)号：CN107004591B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580057360.8
申请日：2015-10-02
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 提供一种离子束蚀刻方法，由此可以在不会使装置大型化的情况下，即使在低入射角静止条件下也能够进行高度均一的IBE处理。该离子束蚀刻方法包括以下步骤：改变开口部相对于基板的位置；使用通过所述开口部的离子束来蚀刻所述基板；以及随着所述离子束入射到所述基板的位置的中心远离所述离子源，减小倾斜角。
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公开(公告)号：CN107004591A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580057360.8
申请日：2015-10-02
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 提供一种离子束蚀刻方法，由此可以在不会使装置大型化的情况下，即使在低入射角静止条件下也能够进行高度均一的IBE处理。该离子束蚀刻方法包括以下步骤：改变开口部相对于基板的位置；使用通过所述开口部的离子束来蚀刻所述基板；以及随着所述离子束入射到所述基板的位置的中心远离所述离子源，减小倾斜角。
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公开(公告)号：CN105849870A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070783.9
申请日：2014-08-27
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76865 , C23C14/046 , C23C14/5833 , C23C14/5873 , C23C16/56 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76802 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/7843
摘要： 本发明的目的在于提供基板加工方法及半导体装置的制造方法，利用本发明，能够将材料充分地埋入构成通孔、导通孔等的凹部内，同时还沿着凹部的底部、侧壁部及上端部留存沉积膜。根据本发明的一个实施方式的基板加工方法包括：第一照射步骤，用于利用粒子束从相对于基板面内方向成第一角度的方向照射已经形成于基板的凹部的开口部的沉积膜，并且去除沉积膜的厚度方向上的一部分；和在第一照射步骤之后的第二照射步骤，用于从比第一角度接近垂直于基板面内方向的第二角度的方向进行照射粒子束，并且去除残留的沉积膜的厚度方向上的一部分。
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公开(公告)号：CN102428545B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080021815.8
申请日：2010-08-25
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/321
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置以及器件的制造方法。等离子体处理装置降低由在放电容器中产生的等离子体引起的损坏，从而使放电容器的更换周期延长。等离子体处理装置(1)包括：处理室(2)，其用于划分出处理空间；放电容器(3)，其一端以面对处理室(2)的内部的方式被开口，另一端被闭塞；天线(4)，其配置在放电容器(3)的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的放电容器(3)的内部生成等离子体；电磁体(9)，其配置在放电容器(3)的周围，用于在放电容器(3)的内部形成发散磁场。在放电容器(3)的闭塞端部形成有向处理室侧突出的突出部(15)。
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公开(公告)号：CN102428545A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021815.8
申请日：2010-08-25
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/321
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置以及器件的制造方法。等离子体处理装置降低由在放电容器中产生的等离子体引起的损坏，从而使放电容器的更换周期延长。等离子体处理装置(1)包括：处理室(2)，其用于划分出处理空间；放电容器(3)，其一端以面对处理室(2)的内部的方式被开口，另一端被闭塞；天线(4)，其配置在放电容器(3)的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的放电容器(3)的内部生成等离子体；电磁体(9)，其配置在放电容器(3)的周围，用于在放电容器(3)的内部形成发散磁场。在放电容器(3)的闭塞端部形成有向处理室侧突出的突出部(15)。
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