公开(公告)号：CN103650167A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033860.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 关口亮太 ,  古藤诚

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/456 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/108

Abstract: 提供了解决常规横向二极管元件的问题的二极管元件、检测设备等。在常规元件中，半导体界面出现在其表面上的两个电极之间的电流路径中，并且因此，由该界面所引起的噪声大。该二极管元件包括：第一导电类型的低载流子浓度层（103）；第一导电类型的高载流子浓度层（102）；以及，在半导体表面上形成的肖特基电极（104）和欧姆电极（105）。低载流子层（103）具有低于高载流子层（102）的载流子浓度的载流子浓度。该二极管元件包括在欧姆电极（105）下面形成的第一导电类型的杂质引入区域（106），并包括第二导电类型的杂质引入区域（107），以便在肖特基电极（104）和欧姆电极（105）之间的半导体表面上不与肖特基电极（104）电接触。第二导电类型的区域（107）与第一导电类型的区域（106）接触。

公开(公告)号：CN101123264A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710140892.5

申请日：2007-08-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 竹内哲也 ,  古藤诚 ,  山方宪二 ,  关口芳信 ,  米原隆夫

IPC: H01L27/15 ,  G03G15/00 ,  B41J2/45

CPC classification number: H01L27/153 ,  B41J2/45

Abstract: 发光元件阵列和成像装置。该发光元件阵列可以被制造而无需金属反射层的分离。该发光元件阵列包括提供在衬底上的多个发光元件部分，相邻发光元件部分之间的空间中至少一个空间彼此电分离，其中金属反射层提供在衬底上并且在多个发光元件部分下，并且用于发光元件部分之间的电分离的电阻层提供在多个发光元件部分与金属反射层之间。多个发光元件部分被划分成多个分块。每个分块包括多个发光部分。发光部分之间的电分离可以制造成作为相邻的不同分块中的相邻发光元件部分之间的电分离。