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公开(公告)号：CN101123264A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140892.5
申请日：2007-08-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , B41J2/45
Abstract: 发光元件阵列和成像装置。该发光元件阵列可以被制造而无需金属反射层的分离。该发光元件阵列包括提供在衬底上的多个发光元件部分，相邻发光元件部分之间的空间中至少一个空间彼此电分离，其中金属反射层提供在衬底上并且在多个发光元件部分下，并且用于发光元件部分之间的电分离的电阻层提供在多个发光元件部分与金属反射层之间。多个发光元件部分被划分成多个分块。每个分块包括多个发光部分。发光部分之间的电分离可以制造成作为相邻的不同分块中的相邻发光元件部分之间的电分离。
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公开(公告)号：CN100454563C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480000657.2
申请日：2004-05-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H01L27/148 , H04N5/33 , H04N5/335
CPC classification number: H01L21/00 , H01L27/10 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的固态图像传感装置，其制造工艺可被简化。提供了一种通过粘合第一组件(104)和第二组件(108)形成的固态图像传感装置。第一组件(104)具有位于第一组件(104)和第二组件(108)粘合界面一侧的第一表面，和位于粘合界面的相对侧的第二表面。第二组件(108)具有位于粘合界面一侧的第三表面，和位于粘合界面相对侧的第四表面。第一组件(104)包括在第一组件(104)被粘合到第二组件(108)之前形成在第一表面上的光电转换元件(105)。第二组件(108)包括在粘合之前形成在第三表面上的电路元件(106)。
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公开(公告)号：CN105280762A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510279692.2
申请日：2015-05-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 关口芳信
CPC classification number: H01L33/06 , G01B9/02001 , G01B9/02091 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/14 , H01L33/30
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件和光学相干断层成像装置。半导体发光元件包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包含具有相互不同的阱宽度的第一量子阱和第二量子阱。第一量子阱和第二量子阱的阱层由InxGa1-xAs形成。第一量子阱的阱宽度Lw和阱层In含量Inx(Lw)以及第二量子阱的阱宽度Ln和阱层In含量Inx(Ln)满足下式(1)：0.0631(Ln/Lw)2-0.134(Ln/Lw)+0.0712
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350499A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810131769.1
申请日：2008-06-27
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 关口芳信
CPC classification number: H01S5/18394 , H01S5/0215 , H01S5/0216 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了一种表面发射激光器及其制造方法。该表面发射激光器能够保持基横模，以获得较高功率，同时抑制高阶横模振荡。该表面发射激光器包括：孔口部分，其是用于将电流注入活性层的路径；电流限制区域，其被提供在孔口部分的周边；以及电流注入区域，其被提供在光输出侧的相对于活性层的相对侧上，该活性层在该光输出侧和该相对侧之间，其中，在电流注入区域中的电流注入路径的直径小于孔口部分的直径。
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公开(公告)号：CN1118931A
公开(公告)日：1996-03-20
申请号：CN94114899.8
申请日：1994-07-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种电子发射器件的制作方法及包括该电子发射器件的电子源和图像形成设备，该电子发射器件包括一对相对地设置的电极和一个包含设置在所述电极之间的电子发射区的导电膜，其特征在于所述方法包括一个降低设置在所述电极之间的导电膜的电阻的处理步骤。
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公开(公告)号：CN101529605B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780039902.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , B41J2/45 , H01L21/7806 , H01L21/784 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供新型的半导体物品制造方法等。具有在半导体衬底上形成的化合物半导体多层膜的半导体物品的制造方法包括：制备构件，该构件包含化合物半导体衬底(1000)上的蚀刻牺牲层(1010)、化合物半导体多层膜(1020)、绝缘膜(2010)和半导体衬底(2000)，并具有穿过半导体衬底和绝缘膜的第一沟槽(2005)和作为被设置在化合物半导体多层膜中以与第一沟槽连接的第二沟槽的半导体衬底沟槽(1025)；通过第一沟槽和第二沟槽使蚀刻剂与蚀刻牺牲层接触；以及蚀刻所述蚀刻牺牲层以使化合物半导体衬底与所述构件分开。
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公开(公告)号：CN101350499B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810131769.1
申请日：2008-06-27
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 关口芳信
CPC classification number: H01S5/18394 , H01S5/0215 , H01S5/0216 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供了一种表面发射激光器及其制造方法。该表面发射激光器能够保持基横模，以获得较高功率，同时抑制高阶横模振荡。该表面发射激光器包括：孔口部分，其是用于将电流注入活性层的路径；电流限制区域，其被提供在孔口部分的周边；以及电流注入区域，其被提供在光输出侧的相对于活性层的相对侧上，该活性层在该光输出侧和该相对侧之间，其中，在电流注入区域中的电流注入路径的直径小于孔口部分的直径。
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公开(公告)号：CN101529605A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780039902.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , B41J2/45 , H01L21/7806 , H01L21/784 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供新型的半导体物品制造方法等。具有在半导体衬底上形成的化合物半导体多层膜的半导体物品的制造方法包括：制备构件，该构件包含化合物半导体衬底(1000)上的蚀刻牺牲层(1010)、化合物半导体多层膜(1020)、绝缘膜(2010)和半导体衬底(2000)，并具有穿过半导体衬底和绝缘膜的第一沟槽(2005)和作为被设置在化合物半导体多层膜中以与第一沟槽连接的第二沟槽的半导体衬底沟槽(1025)；通过第一沟槽和第二沟槽使蚀刻剂与蚀刻牺牲层接触；以及蚀刻所述蚀刻牺牲层以使化合物半导体衬底与所述构件分开。
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