公开(公告)号：CN109244092B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201810757489.5

申请日：2018-07-11

申请人： 佳能株式会社

发明人： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

公开(公告)号：CN116705813A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310457124.1

申请日：2018-07-11

申请人： 佳能株式会社

发明人： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

公开(公告)号：CN109244092A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810757489.5

申请日：2018-07-11

申请人： 佳能株式会社

发明人： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14685 ,  H04N5/369

摘要： 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。