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    半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备
    1.
    发明公开
    半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN110098210A

    公开(公告)日：2019-08-06

    申请号：CN201910094403.X

    申请日：2019-01-31

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 庄山敏弘

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本申请涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及设备。一种制造半导体装置的方法，包括在具有第一面和第二面的半导体基板的第一面的一侧形成第一沟槽，通过经由第一沟槽在半导体基板中注入离子形成吸杂区域，以及在形成吸杂区域之后，在半导体基板的第一面的一侧形成第二沟槽。第二沟槽的底表面相对于第一面的深度小于第一沟槽的底表面相对于第一面的深度。

    光电转换装置、其制造方法和设备
    2.
    发明公开
    光电转换装置、其制造方法和设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN109841635A

    公开(公告)日：2019-06-04

    申请号：CN201811402133.6

    申请日：2018-11-23

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 金田翼 ,  庄山敏弘

    IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L27/146

    摘要： 本发明涉及光电转换装置、其制造方法和设备。光电转换装置包括布置于由硅制成的半导体基板中的光电转换器和布置于基板的表面上的晶体管。光电转换器包含被配置为蓄积电荷的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域。第一区域被布置于表面与第二区域之间。基板包含作为晶体管的源极和/或漏极的第三区域。基板在处于第三区域之下并且与第三区域分开的位置中包含杂质区域，所述杂质区域含有硅以外的第14族元素。杂质区域中的所述第14族元素的浓度分布中的峰值位置距表面的深度小于第二区域中的多数载流子的浓度分布中的峰值位置距表面的深度。

    光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备
    3.
    发明授权
    光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备 有权

    公开(公告)号：CN109244092B

    公开(公告)日：2023-05-05

    申请号：CN201810757489.5

    申请日：2018-07-11

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

    有机设备、显示装置、光电转换装置、电子装置、照明装置、移动物体、以及可穿戴设备
    5.
    发明公开
    有机设备、显示装置、光电转换装置、电子装置、照明装置、移动物体、以及可穿戴设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN118102765A

    公开(公告)日：2024-05-28

    申请号：CN202311605930.5

    申请日：2023-11-28

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 马饲野彰宜 ,  碓井崇 ,  庄山敏弘

    IPC分类号： H10K50/805 ,  H10K50/813 ,  H10K59/10

    摘要： 本发明涉及有机设备、显示装置、光电转换装置、电子装置、照明装置、移动物体、以及可穿戴设备。有机设备包括在基板的第一主表面上方依次布置的反射层、第一电极、有机层、以及第二电极。所述第一电极包括第一至第四区域。所述第一区域与所述有机层接触。所述第二区域在远离所述基板的方向上倾斜。所述第三区域相对于所述基板具有小于所述第二区域的倾斜的倾斜。所述第四区域在远离所述基板的方向上倾斜并且相对于所述基板具有大于所述第三区域的倾斜的倾斜。所述第一和第二区域彼此接触。所述第二和第三区域彼此接触。所述第三和第四区域彼此接触。

    光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备
    6.
    发明公开
    光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN116705813A

    公开(公告)日：2023-09-05

    申请号：CN202310457124.1

    申请日：2018-07-11

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 小平新志 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  远藤信之 ,  手塚智之 ,  庄山敏弘 ,  岩田纯

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。

    成像装置、制造该成像装置的方法和照相机
    8.
    发明授权
    成像装置、制造该成像装置的方法和照相机 有权

    公开(公告)号：CN106252367B

    公开(公告)日：2020-08-18

    申请号：CN201610407002.1

    申请日：2016-06-12

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 庄山敏弘 ,  高草木弘 ,  山崎康生 ,  石野英明 ,  小川俊之

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本公开内容涉及成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。一种制造成像装置的方法包括：制备包括晶圆和布置在晶圆上的硅层的基板，晶圆包括由单晶硅制成的、氧浓度不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的第一半导体区域，硅层包括由单晶硅制成的、氧浓度低于第一半导体区域中的氧浓度的第二半导体区域；在含有氧的气氛中使基板退火，并且将第二半导体区域中的氧浓度设置在不小于2×1016个原子/cm3并且不大于4×1017个原子/cm3的范围内；并且在退火之后在第二半导体区域中形成光电转换元件。