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公开(公告)号:CN1041366C
公开(公告)日:1998-12-23
申请号:CN94120764.1
申请日:1994-12-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法,其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用,其特征在于,制造光电换能器的方法,其具有在导电基片上形成功能薄膜,它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗,使导电基片表面与净化水接触,并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于,其形成有一金属层作为光反射层,一反射加强层,和一半导体光电器件层,其通过等离子CVD法来制备,其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。
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公开(公告)号:CN1112294A
公开(公告)日:1995-11-22
申请号:CN94120764.1
申请日:1994-12-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法,其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用,其特征在于,制造光电换能器的方法,其具有在导电基片上形成功能薄膜,它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗,使导电基片表面与净化水接触,并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于,其形成有一金属层作为光反射层,一反射加强层,和一半导体光电器件层,其通过等离子CVD法来制备,其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。
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