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公开(公告)号：CN115838922A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211120925.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46
Abstract: 本发明是一种成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜方法在基板上通过喷雾CVD法来使以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜成膜，其包括下述工序：对基板进行加热；对供给包含原料溶液的喷雾的喷嘴进行加热；以及以经加热的喷嘴的喷出方向相对于基板的表面成为垂直方向的方式来将喷雾供给至经加热的基板上，以进行结晶性氧化物膜的成膜，在对喷嘴进行加热的工序中，在基板不存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行喷嘴的加热，在进行结晶性氧化物膜的成膜的工序中，在基板存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行成膜。由此，提供一种结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好的以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜。
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公开(公告)号：CN115911081A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211156828.7
申请日：2022-09-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法。一种层叠结构体，其为至少包括基底基板及以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，且所述层叠结构体的所述结晶性氧化物膜侧的面中波长400nm～800nm的光的反射率的平均值为16％以上。由此，可提供一种具有以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，所述结晶性氧化物膜的结晶缺陷显著少、结晶性优异且在应用于半导体装置时半导体特性优异。
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公开(公告)号：CN116964243A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280019575.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 坂爪崇寛
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明为一种成膜方法，对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜，其特征在于包含下述工序：将所述原料溶液雾化或液滴化而生成雾；利用载气将所述雾搬送至成膜部；以及在所述成膜部中从喷嘴向基板上供给所述雾，在所述基板上进行热处理而进行成膜，且在将所述喷嘴的开口面的面积设为S[cm2]，将所述开口面内的点与所述基板的表面的距离中达到最长的距离设为H[cm]，将从所述喷嘴供给的所述载气的流量设为Q[L/分]时，设为SH/Q≧0.015。由此，提供一种抑制异常成长而形成表面的平滑性良好的膜的成膜方法。
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公开(公告)号：CN117321256A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280030633.X
申请日：2022-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B29/16
Abstract: 本发明是一种层叠结构体，其特征在于包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，提供包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体以及所述层叠结构体的制造方法。
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公开(公告)号：CN117242554A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280032175.3
申请日：2022-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人和歌山大学
IPC: H01L21/365
Abstract: 本发明为一种原料溶液的制造方法，其是用于通过雾CVD法来进行成膜的原料溶液的制造方法，将在溶媒中混合包含金属元素的溶质并加以搅拌的温度设为30℃以上；及成膜方法，基于使用通过所述原料溶液的制造方法所制造的原料溶液的雾CVD法来进行。由此，提供一种用于通过雾CVD法来进行成膜，并且成膜速度优异，即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时也能够进行膜中组成的再现性优异的成膜的原料溶液的制造方法；及成膜速度优异，即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时膜中组成的再现性优异的基于雾CVD法来进行的成膜方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116940708A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019526.7
申请日：2022-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜，所述成膜装置包括：雾化部，将所述原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，供给载气，所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾；成膜部，在内部包括载置所述基板的载置部，将由所述载气搬送的所述雾供给至所述基板上；以及排气部，从所述成膜部排出废气，且在所述成膜部内的所述载置部的上方进而包括：喷嘴，向所述基板上供给所述雾；以及顶板，将从所述喷嘴供给的所述雾进行整流。由此，提供一种能够应用雾CVD法、能够形成膜厚的面内均一性优异的膜的成膜装置、及成膜方法。
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公开(公告)号：CN217948254U
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202220519843.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型的成膜装置对经雾化的原料溶液进行热处理而在基板上进行成膜，所述成膜装置包括：雾化部，将所述原料溶液雾化而产生雾；载气供给部，供给载气，所述载气搬送所述雾化部中所产生的所述雾；成膜部，在内部包括载置所述基板的载置部，将由所述载气搬送的所述雾供给至所述基板上；以及排气部，从所述成膜部排出废气，且在所述成膜部内的所述载置部的上方进而包括：喷嘴，向所述基板上供给所述雾；以及顶板，将从所述喷嘴供给的所述雾进行整流。由此，提供一种能够应用雾CVD法、能够形成膜厚的面内均一性优异的膜的成膜系统及成膜装置。
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公开(公告)号：CN218951491U
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202222440438.4
申请日：2022-09-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/46
Abstract: 本实用新型是一种成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜装置进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾；以及所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件，能够将所述基板载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置与所述喷出方向以外的位置。由此，提供一种以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜、用于使所述结晶性氧化物膜成膜的成膜装置，所述结晶性氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好。
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公开(公告)号：CN217691180U
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202220507104.1
申请日：2022-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 坂爪崇寛
IPC: H01L29/24 , H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型提供一种抑制凹坑而表面的平滑性良好的镓系氧化物半导体膜及其成膜系统、半导体装置。所述镓系氧化物半导体膜具有刚玉结构，膜厚为0.05μm～100μm，在所述镓系氧化物半导体膜的表面，开口径10nm～10μm且深度10nm～10μm的凹坑为10000个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN221421215U
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202220709474.3
申请日：2022-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L21/34
Abstract: 本实用新型是一种层叠结构体，包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，本实用新型提供一种包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体、半导体装置以及所述层叠结构体的制造系统，所述结晶性氧化物膜在适用于半导体装置的情况下，半导体特性优异。
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