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公开(公告)号：CN113341646A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110219930.6
申请日：2021-02-26
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供一种有机膜形成材料，其特征为包含下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。该通式(1)中，X为碳数2～50的n价有机基团或氧原子，n为1～10的整数，R1独立地为下述通式(2)中任一者。该通式(2)中，破折线表示键结到X的键结部位，Q1为含有羰基的1价有机基团，且至少一部分为下述通式(3)表示的基团。该通式(3)中，破折线表示键结部位，X1表示单键、或碳数1～20的2价有机基团，且该有机基团具有芳香环时也可具有取代基。R2表示氢原子、甲基、乙基、或苯基。**表示键结部位。
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公开(公告)号：CN112286000A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010710472.1
申请日：2020-07-22
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题为提供可形成LWR、CDU优良的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用该组合物的图案形成方法。该课题的解决方法为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有：包含通式(Sx‑1)、(Sx‑2)及(Sx‑3)所示的部分结构中的任一种以上的热固化性含硅的材料、及通式(P‑0)所示的化合物。[化1]。
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公开(公告)号：CN117215155A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310673371.5
申请日：2023-06-08
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，在半导体装置制造步骤的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，即使在具有宽广的沟渠结构等特别难平坦化的部分的被加工基板上，仍能形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜且进一步给予具有适当蚀刻特性的抗蚀剂下层膜，并提供使用了前述材料的图案形成方法及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，其特征为包含(A)含有苯酚性羟基的化合物或树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN111208710B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111458980B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010072206.0
申请日：2020-01-21
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P‑0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
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公开(公告)号：CN111855581A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010334210.X
申请日：2020-04-24
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，包括下列步骤：由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf)；将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上，然后予以加热，制得形成含硅膜及树脂膜的基板；对基板照射高能射线或电子束使酸产生，将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度；用碱显影液将树脂膜溶解；测定残留的树脂的膜厚。
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公开(公告)号：CN118584753A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410227847.7
申请日：2024-02-29
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供可形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜，且提供具有适切的蚀刻特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料。本发明的解决手段为一种抗蚀剂下层膜材料，包含：(A)不含有酚性羟基的化合物、或酚性羟基经修饰而该酚性羟基的残存率未达2％的化合物，且该化合物的以凝胶渗透层析法所为的聚苯乙烯换算重均分子量为2,500以下的化合物，(B)下列通式(1)所示的含有酚性羟基的交联剂，(C)碱产生剂，及(D)有机溶剂。#imgabs0#式中，Q为单键、或碳数1～20的q价烃基。R16为氢原子、或碳数1～20的烷基。q为1～5的整数。
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公开(公告)号：CN113805434B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110646782.6
申请日：2021-06-10
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1～10的整数。#imgabs1#式中，虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#式中，虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。
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公开(公告)号：CN116339073A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211658764.0
申请日：2022-12-22
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/033 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08F220/24 , C08F220/36 , C08K5/21 , C08K5/3432
摘要： 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是提供：如下的密合膜的密合膜形成材料，该密合膜在半导体装置制造步骤中利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，具有和抗蚀剂上层膜的高密合性且具有抑制微细图案的崩塌的效果同时可形成良好的图案形状。该课题的解决手段是一种密合膜形成材料，是使用于形成在抗蚀剂上层膜的紧邻下方的密合膜的密合膜形成材料，前述密合膜形成材料含有：(A)具有至少一个含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元，且具有至少一个和前述含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元不同的下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN111855581B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010334210.X
申请日：2020-04-24
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，包括下列步骤：由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf)；将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上，然后予以加热，制得形成含硅膜及树脂膜的基板；对基板照射高能射线或电子束使酸产生，将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度；用碱显影液将树脂膜溶解；测定残留的树脂的膜厚。
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