-
公开(公告)号：CN108138355B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201680059722.1
申请日：2016-09-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其特征在于，其具有：测量原料熔液的熔液面位置的至少两个以上不同的熔液面位置测量单元；基于测量的熔液面位置来控制熔液面位置的控制单元；以及判断在熔液面位置测量单元是否发生测量异常的判断单元，通过多个熔液面位置测量单元同时测量熔液面位置，从多个熔液面测量单元中选择一个采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元，在通过判断单元判断为该选择的熔液面位置测量单元中发生了测量异常的情况下，采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元切换为别的熔液面位置测量单元。由此，提供一种单晶制造装置以及熔液面位置的控制方法，其即使在熔液面位置的测量中发生了测量异常的情况下，也能够稳定地进行熔液面位置的控制。
-
公开(公告)号：CN107075718A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049307.3
申请日：2015-09-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/22
Abstract: 本发明提供一种半导体单晶提拉装置，其具备：对收容熔融液的坩埚进行加热保温的加热器、及一边从所述熔融液提拉一边培育半导体单晶的绳线，所述半导体单晶提拉装置的特征在于，单晶提拉装置具备：再熔融检出装置，其在用绳线使半导体单晶的下端部浸没在熔融液中并再熔融时，根据半导体单晶的重量变化，来检出半导体单晶的下端部的再熔融已经完成；以及，最下端检出装置，其通过在坩埚与绳线之间施加电压，来一边在半导体单晶与熔融液之间施加电压一边用绳线卷绕提起半导体单晶时，根据半导体单晶与熔融液之间变得无电流流动的位置，来检出半导体单晶的最下端。由此，在半导体单晶的再熔融中，为了判断浸没的结晶的熔融的完成，不需要通过目视来确认，能够进行有效的再熔融。
-
公开(公告)号：CN108138355A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059722.1
申请日：2016-09-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其特征在于，其具有：测量原料熔液的熔液面位置的至少两个以上不同的熔液面位置测量单元；基于测量的熔液面位置来控制熔液面位置的控制单元；以及判断在熔液面位置测量单元是否发生测量异常的判断单元，通过多个熔液面位置测量单元同时测量熔液面位置，从多个熔液面测量单元中选择一个采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元，在通过判断单元判断为该选择的熔液面位置测量单元中发生了测量异常的情况下，采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元切换为别的熔液面位置测量单元。由此，提供一种单晶制造装置以及熔液面位置的控制方法，其即使在熔液面位置的测量中发生了测量异常的情况下，也能够稳定地进行熔液面位置的控制。
-
公开(公告)号：CN107075718B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580049307.3
申请日：2015-09-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/22
Abstract: 本发明提供一种半导体单晶提拉装置，其具备：对收容熔融液的坩埚进行加热保温的加热器、及一边从所述熔融液提拉一边培育半导体单晶的绳线，所述半导体单晶提拉装置的特征在于，单晶提拉装置具备：再熔融检出装置，其在用绳线使半导体单晶的下端部浸没在熔融液中并再熔融时，根据半导体单晶的重量变化，来检出半导体单晶的下端部的再熔融已经完成；以及，最下端检出装置，其通过在坩埚与绳线之间施加电压，来一边在半导体单晶与熔融液之间施加电压一边用绳线卷绕提起半导体单晶时，根据半导体单晶与熔融液之间变得无电流流动的位置，来检出半导体单晶的最下端。由此，在半导体单晶的再熔融中，为了判断浸没的结晶的熔融的完成，不需要通过目视来确认，能够进行有效的再熔融。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
