公开(公告)号：CN1650404A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809715.X

申请日：2003-04-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 木田隆广 ,  宫崎诚一 ,  西村和彦 ,  林伸之 ,  新井克典

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此，在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时，不会在晶片外周部产生环状的塌边。

公开(公告)号：CN100365774C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN03809715.X

申请日：2003-04-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 木田隆广 ,  宫崎诚一 ,  西村和彦 ,  林伸之 ,  新井克典

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此，在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时，不会在晶片外周部产生环状的塌边。

公开(公告)号：CN1489783A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN02804192.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 饭塚人 ,  二本松孝 ,  吉田正彦 ,  宫崎诚一

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  C09K13/02 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604 ,  Y10T428/12229

Abstract: 本发明涉及硅晶片的制造方法及使用该制造方法制造的晶片。本发明的硅晶片的制造方法至少具有游离研磨粒的抛光工序、碱性蚀刻液的蚀刻工序，其特征为，在上述抛光工序使用研磨粒子的最大径为21μm以下、平均粒径8.5μm以下的研磨粒子作为游离研磨粒进行抛光，其后，在上述蚀刻工序使用碱性成分的浓度在50重量％以上的水溶液作为碱性蚀刻液进行蚀刻。根据本发明，可提供能防止晶片的表面粗度及晶片全面的平坦度的恶化的硅晶片制造方法及使用该制造方法制作的硅晶片。