公开(公告)号：CN100365774C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN03809715.X

申请日：2003-04-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 木田隆广 ,  宫崎诚一 ,  西村和彦 ,  林伸之 ,  新井克典

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此，在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时，不会在晶片外周部产生环状的塌边。

公开(公告)号：CN106663623B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580044315.9

申请日：2015-08-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 宫泽佑毅 ,  木田隆广 ,  高野智史

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为一种半导体晶圆的加工方法，对具有表面及背面且于周缘端部具有由表面侧、背面侧的倒角面及边缘面所构成的倒角部的半导体晶圆的与表面侧、背面侧的倒角面、边缘面及表面或背面的倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于表面侧倒角面镜面研磨的步骤及背侧面倒角面镜面研磨的步骤后，于同一步骤中进行边缘面及表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由以同一步骤进行边缘面及最外周部的镜面研磨，调整表面或背面的最外周部的边缘下降量。借此不使半导体晶圆的内侧形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后半导体晶圆的边缘面形状锐利化。

公开(公告)号：CN106663623A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580044315.9

申请日：2015-08-19

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 宫泽佑毅 ,  木田隆广 ,  高野智史

IPC: H01L21/304 ,  B24B9/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为一种半导体晶圆的加工方法，对具有表面及背面且于周缘端部具有由表面侧、背面侧的倒角面及边缘面所构成的倒角部的半导体晶圆的与表面侧、背面侧的倒角面、边缘面及表面或背面的倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于表面侧倒角面镜面研磨的步骤及背侧面倒角面镜面研磨的步骤后，于同一步骤中进行边缘面及表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由以同一步骤进行边缘面及最外周部的镜面研磨，调整表面或背面的最外周部的边缘下降量。借此不使半导体晶圆的内侧形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后半导体晶圆的边缘面形状锐利化。

公开(公告)号：CN1650404A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809715.X

申请日：2003-04-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 木田隆广 ,  宫崎诚一 ,  西村和彦 ,  林伸之 ,  新井克典

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此，在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时，不会在晶片外周部产生环状的塌边。