公开(公告)号：CN1650404A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809715.X

申请日：2003-04-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 木田隆广 ,  宫崎诚一 ,  西村和彦 ,  林伸之 ,  新井克典

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此，在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时，不会在晶片外周部产生环状的塌边。

公开(公告)号：CN100365774C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN03809715.X

申请日：2003-04-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 木田隆广 ,  宫崎诚一 ,  西村和彦 ,  林伸之 ,  新井克典

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02008 ,  B24B9/065 ,  B24B37/042 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/928

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法及晶片外周部没有环状的塌边的晶片。本发明具有按照镜面研磨至原料晶片的背面的倒角部边界的面内侧的一部分的方式进行背面部分研磨及镜面倒角的背面部分研磨镜面倒角工序、支撑进行了背面部分研磨及镜面倒角的晶片的背面并对该晶片的表面进行镜面研磨的表面研磨工序。由此，在对进行了碱性蚀刻的晶片进行研磨时，不会在晶片外周部产生环状的塌边。