-
公开(公告)号：CN105247115A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
申请人： 信越半导体株式会社
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B30/04
摘要： 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
-
公开(公告)号：CN106029958B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201580008300.7
申请日：2015-02-03
申请人： 信越半导体株式会社
摘要： 本发明是一种单晶硅制造装置，其是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于入口温度、出口温度及流量的测定值来计算从腔室去除的去除热量的运算装置；以及基于计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。由此，提供一种单晶硅制造装置，其基于由冷却介质的温度及流量的测定值计算出的从腔室去除的去除热量来控制加热器功率，由此能够以更接近目标值的结晶直径及结晶提拉速度来进行单晶的提拉。
-
公开(公告)号：CN105247115B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
申请人： 信越半导体株式会社
摘要： 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
-
公开(公告)号：CN106029958A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008300.7
申请日：2015-02-03
申请人： 信越半导体株式会社
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B29/06
摘要： 本发明是一种单晶硅制造装置，其是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于入口温度、出口温度及流量的测定值来计算从腔室去除的去除热量的运算装置；以及基于计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。由此，提供一种单晶硅制造装置，其基于由冷却介质的温度及流量的测定值计算出的从腔室去除的去除热量来控制加热器功率，由此能够以更接近目标值的结晶直径及结晶提拉速度来进行单晶的提拉。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.021 秒)
