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公开(公告)号：CN110517644A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810496008.X
申请日：2018-05-22
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： G09G3/34
摘要： 本发明涉及一种可抑制电磁干扰的显示装置及显示驱动电路。显示装置包括基板、主动阵列、显示驱动器以及薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)调节电路。主动阵列设置于基板上，并包括多条数据线、多条闸极线以及多个像素，其中数据线纵横交错于闸极线，像素耦接于数据线与闸极线的交错处。显示驱动器设置于基板上，其用以回应调节后序列数据时脉信号产生用以驱动数据线及/或闸极线的信号。薄膜晶体管调节电路设置于基板上并耦接显示驱动器。薄膜晶体管调节电路包括一或多个薄膜晶体管，其用以回应预设闸极偏压衰减序列数据时脉信号(Serial Data Clock，SDCLK)的振幅，以对显示驱动器提供调节后序列数据时脉信号。
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公开(公告)号：CN109698204A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710999747.6
申请日：2017-10-24
申请人： 元太科技工业股份有限公司
摘要： 本发明提供一种驱动基板及显示装置，该驱动基板包括基材、至少一主动元件、电阻、第一保护层以及第二保护层。具有氧化物半导体层的主动元件与耦接至主动元件的电阻配置于基材上。第一保护层覆盖主动元件，其中部分第一保护层直接接触氧化物半导体层而使氧化物半导体层具有第一导电率。第二保护层覆盖第一保护层与电阻，其中部分第二保护层直接接触电阻而使电阻具有第二导电率。第一导电率不同于第二导电率。
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公开(公告)号：CN104795447A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410110738.3
申请日：2014-03-19
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/0607
摘要： 本发明是有关于一种半导体结构，包括顶栅极、氧化物半导体通道层、第一介电层、第二介电层以及源极与漏极。氧化物半导体通道层配置于顶栅极与基板之间。第一介电层配置于顶栅极与氧化物半导体通道层之间。第二介电层配置于第一介电层与氧化物半导体通道层之间。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧，且位于第一介电层与基板之间。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。部分第一介电层及部分第二介电层直接接触且完全覆盖氧化物半导体通道层的部分。
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公开(公告)号：CN103247691A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210511484.7
申请日：2012-11-28
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/2206 , H01L29/41725 , H01L29/41733 , H01L29/7869
摘要： 本发明是有关于一种薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括栅极、半导体层、绝缘层、源极以及漏极。半导体层具有相对的第一端与第二端。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极夹持半导体层的第一端，且漏极夹持半导体层的第二端。
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公开(公告)号：CN107887336B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610861378.X
申请日：2016-09-29
申请人： 元太科技工业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示装置及其像素结构，显示装置包含至少一个像素结构，此像素结构包含主动元件、绝缘层以及像素电极。绝缘层设置在主动元件上。绝缘层具有凹陷以及贯穿孔。贯穿孔开设于凹陷的底面。围绕凹陷的绝缘层的一部分与围绕贯穿孔的该绝缘层的另一部分是一体成形的。像素电极具有相连接的第一电极部以及第二电极部。第一电极部位于凹陷中。第一电极部的厚度小于凹陷的深度。第二电极部位于贯穿孔中并通过贯穿孔电性连接主动元件。如此，可提升显示装置对于外力冲击的耐受性。
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公开(公告)号：CN104795447B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410110738.3
申请日：2014-03-19
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
摘要： 本发明是有关于一种半导体结构，包括顶栅极、氧化物半导体通道层、第一介电层、第二介电层以及源极与漏极。氧化物半导体通道层配置于顶栅极与基板之间。第一介电层配置于顶栅极与氧化物半导体通道层之间。第二介电层配置于第一介电层与氧化物半导体通道层之间。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧，且位于第一介电层与基板之间。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。部分第一介电层及部分第二介电层直接接触且完全覆盖氧化物半导体通道层的部分。
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公开(公告)号：CN103258856B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210116344.X
申请日：2012-04-17
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/41733 , H01L29/78621 , H01L29/7869
摘要： 本发明是有关于一种薄膜晶体管，其包括栅极、半导体层、绝缘层、源极、漏极以及电流抑制层。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极连接至半导体层。漏极连接至半导体层，其中源极与漏极彼此分离配置。电流抑制层具有第一部分与第二部分，其中第一部分配置于半导体层与至少部分源极之间，且第二部分配置于半导体层与至少部分漏极之间。
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公开(公告)号：CN103247617A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210073570.4
申请日：2012-03-15
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L29/786 , H01L27/0296 , H01L27/1225
摘要： 本发明是提供一种主动阵列基板上的静电防护结构，其包含信号线、薄膜晶体管以及分流导线。薄膜晶体管包含金属氧化物半导体层，且第一金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。分流导线电性连接薄膜晶体管的漏极。当信号线的一电压浪涌大于一定值时，电压浪涌经由薄膜晶体管分流至分流导线。
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公开(公告)号：CN113345322A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010136613.3
申请日：2020-03-02
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： G09F9/30 , G09F9/37 , G02F1/167 , G02F1/1685
摘要： 本发明提供一种显示面板的走线结构包括第一金属层以及第二金属层。第一金属层用于传输第一电压。第二金属层设置在第一金属层之下，用于传输第二电压。第一金属层及第二金属层在显示面板上形成走线结构，使走线结构具有电容结构。走线结构用于连接电源输入以及面板驱动电路。
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公开(公告)号：CN103579358B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201310110856.X
申请日：2013-03-21
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , G09F9/33
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78696
摘要： 本发明是有关于一种薄膜晶体管，包括栅极、介电层、金属氧化物半导体通道、源极以及漏极。栅极与金属氧化物半导体通道重叠。介电层阻隔栅极、源极以及漏极。源极以及漏极分别位于金属氧化物半导体通道的相对两侧。金属氧化物半导体通道包括金属氧化物半导体层以及配置于金属氧化物半导体层中且彼此分离的多个纳米微结构。此外，上述薄膜晶体管的显示面板及其制造方法也被提出。
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